添加剂对反应烧结氮化硅显微结构及性能影响

 本文较系统研究了添加剂si_3N_4、石墨及La_2O_3对反应烧结氮化硅的显微结构和性能影响。探索这些添加剂的作用规律及合适的添加量;探讨了烧结体密度,相组成与强度之间的关系。     

BAg25CuZn钎料钎焊不锈钢的钎缝组织研究

对用BAg25CuZn钎料火焰和炉中钎焊1Cr18Ni9Ti不锈钢的钎缝组织及其形成过程进行了研究,对两种钎焊方法焊态和退火状态钎缝组织进行了对比分析.研究结果表明,两种钎焊方法所得到的钎缝组织均由富铜相、富银相和伪共晶组织构成,但由于两种钎焊方法的冷却速度不同,造成钎缝组织的形貌有较大差别,退火处理有利于钎缝组织均匀化.     

A组分变化对AB5型储氢合金组织结构及电化学性能的影响

通过实验验证的方法选取AB5型合金三种成分La1-xAx(Ni,Co,Sn)5,采用SEM、EDXA、XRD以及P-C-T曲线和电化学性能测定装置,综合研究了三样品中A组分变化时对合金组织结构及电化学性能的影响.结果表明,合金三样品均为CaCu5型六方结构.用Nd和Ce部分取代La后,合金吸氢后体胀率降低.P-C-T曲线测定结果表明用Ce部分取代La的3号样品的动力学性能及大电流放电性能较好.合金的充放电循环稳定性是AB5-3﹥AB5-2﹥AB5-1,但容量以纯La 合金的较高.     

液态过热对高硅Al—Si合金组织和性能的影响

考察了液态不同温度处理在各种冷却条件下对高硅Ａｌ－Ｓｉ合金凝固后的初晶硅组织和力学性能的影响。结果表明，在快速冷却条件下，液态高温处理能改变固态初晶硅组织并提高拉伸性能和改善耐磨性。液态温度处理影响固态组织和性能是由于液态结构变化引起的。     

不同交联剂对聚硅氧烷裂解产物的影响

分别利用含乙烯基聚硅氧烷(VPSO)和二乙烯基苯(DVB)作为交联剂使含氢聚硅氧烷(HPSO)固化,然后在高温下裂解。采用X射线衍射、红外光谱、元素分析等手段对VPSO/HPSO和DVB/HPSO两个体系的裂解产物进行表征。结果表明,两个体系的裂解产物在结构和成分上有明显不同。比较了两者间的差别,认为裂解产物存在差异的原因是不同交联剂引发交联方式不同,从而导致交联产物结构不同。     

钛硅共晶合金的组织与性能研究

在氩气保护下，利用非自耗钨极水冷铜坩埚电弧熔炼法制备Ti-Si共晶合金，并研究其组织与性能。X射线衍射结果，室温下铸态Ti-Si合金的组织由α-Ti基体和金属间化合物TisSi3两相组成，具有非平衡凝固特征。Miedema理论计算说明，TisSi3相的生成热比高温下β-Ti的生成热更小，共晶反应时Ti3Si3相先析出。首次测得Ti-Si共晶系合金的压缩强度和塑性，分析断口特征发现，不同共晶类型的Ti-Si合金虽然都属于脆性断裂，但断裂机制不尽相同。     

铸造凝固冷速对原位自生（TiW）C／Fe复合材料组织的影响

研究了不同的铸造凝固冷速对原位自生10vol%(TiW)C/Fe复合材料显微组织的影响。结果表明,在原位合成的10vol%(TiW)C/Fe复合材料中,(TiW)C相是唯一的第二相,均匀、弥散分布于基体中,其形态基本上呈块状,条状较少。在块状(TiW)C相中,Ti和W元素的分布是不均匀的,芯部富Ti,边缘富W。当冷速较快时,形成的第二相颗粒趋于等轴状,条状共晶组织消失,有利于基体耐磨性的提高;当冷速较慢时,第二相颗粒数量多,尺寸小,且随冷速的降低在该复合材料中形成了大量的共晶组织。适当提高冷却速度,有利于获得较理想的复合材料显微组织。     

影响微动疲劳行为的材料因素研究

实验对比研究了两种结构不同的钛合金 [Ti6Al4V (α +β型 )和Ti5Al2 .5Sn(α型 ) ]和两种结构相同 (马氏体 )但强度与硬度差别较大的耐热不锈钢 (lCr11Ni2W 2MoV和Cr17Ni2 )的微动疲劳 (FF)抗力及微动垫材料的影响 ,以进一步探讨材料因素对FF抗力的作用规律和机制。在本文实验条件下 ,具有较高强度和疲劳极限的Ti6Al4V钛合金和Cr17Ni2耐热不锈钢的FF抗力分别高于Ti5Al2 .5Sn钛合金和 1Cr11Ni2W2MoV钢 ,即在材料组织结构相同或相近的条件下 ,屈服强度和疲劳极限决定FF抗力 ;当材料与高硬度配副接触时 ,FF裂纹易于萌生 ,FF损伤倾向增大 ,此时喷丸形变强化可更有效地提高材料的FF抗力。     

热处理细化Ti46Al8.5Nb0.2W合金的铸态组织

用风冷（ＧＦＣ）／回火再加在１０００～１２００℃之间的循环热处理的方法对Ｔｉ４６Ａｌ８．５Ｎｂ０．２Ｗ 合金的铸态合金的组织细化进行了研究。结果表明：风冷（ＧＦＣ）／回火处理能快速地破碎Ｔｉ４６Ａｌ８．５Ｎｂ０．２Ｗ 合金的铸态组织,得到双态组织（ＤＭ）,并且组织比较均匀。循环热处理是在１０００～１２００℃之间进行,循环热处理能有效地阻止已经存在的γ晶粒的异常长大,并且能使空冷形成的亚稳层片迅速均匀地等轴化成ＮＧ组织。     

硅微传感器中微弱信号的相关检测

主要论述全光纤硅谐振微传感器中微弱信号的相关检测技术,研究表明,对于高阻抗信号源,有效信号电流仅为纳安级,信噪比很低,谐振频率高达２００ｋＨｚ的微弱信号,可通过用低漂移－高输入阻抗和宽频带的运放作为前置放大器,并进一步应用相关检测原理,设计出相应的电路,就能极大地提高信噪比,检测出有效信号,实现硅微传感器微弱信号的检测。