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161.
162.
采用钴基钎料及镍基合金粉料,分别在1170℃保温10min、60min和120min的钎焊工艺下,对K452镍基铸造高温合金进行真空钎焊实验,通过扫描电镜和能谱分析仪进行了接头显微组织观察与物相分析,并测试钎焊接头的高温力学性能。结果表明:在保温60min的工艺规范下,界面实现较好的结合,钎缝内部孔洞缺陷较少,钎缝组织均匀,有利于钎焊接头性能的提高;在更长的保温时间120min下,钎缝内部又有蚀孔缺陷形成,且较多的白色块状化合物在合金粉颗粒间聚集长大,但界面结合良好,钎焊接头性能较高,900℃抗拉强度达到400MPa,900℃/100MPa持久寿命为141h55min。 相似文献
163.
164.
165.
通过拉伸性能测试、金相组织观察、电子显微分析等方法研究固溶时效和形变热处理工艺对Cu-3Ag-0.5Zr组织和性能的影响,得出了最佳热处理工艺。研究结果表明,经940℃/40min固溶(水冷)+500℃/2h(空冷)处理后合金的强度和塑性可以得到最佳配合,合金的抗拉强度、屈服强度、伸长率分别为124MPa,289MPa和37.6%。形变热处理中的预冷变形能有效地强化合金,形变量为40%时,合金能够获得最优的综合力学性能,抗拉强度、屈服强度、伸长率分别为421MPa、350MPa和16.7%。 相似文献
166.
采用高能超声辅助铸造法制备Al-Cr金属间化合物/Al原位复合材料.利用扫描电镜观察复合材料中增强体颗粒的大小、形貌和分布,应用XRD、EDS对复合材料进行物相分析,并研究复合材料的硬度.结果表明:通过高能超声辅助铸造法制备的Al-Cr/Al原位复合材料中金属间化合物增强体颗粒呈多边形,尺寸较为细小,分布均匀;原位反应时Al和Cr首先生成Al0.983Cr0.017金属间化合物,随着Cr含量的增加,然后生成高Cr化合物;随着温度的升高,有利于更稳定、性能更好的化合物生成;这些金属间化合物会相互扩散,最终形成均匀的混合增强相,并保持Al,Cr的原子比例不变;复合材料的硬度随Cr含量的增加而增加,随Cr颗粒尺寸的增加而具有最大值,当Cr含量为10%,粒径为75 μm时,复合材料硬度增加了2.5倍. 相似文献
167.
采用金相分析、硬度测试等技术手段,研究热处理对马氏体不锈钢9Cr13Mo3Co3Nb2V组织和硬度的影响。结果表明:9Cr13Mo3Co3Nb2V经淬火、冰冷处理及多次回火后,残余奥氏体充分转变为回火马氏体,并产生较强的二次硬化效果,进而获得稳定的组织和高的硬度;在350℃以上回火时,由于组织中二次碳化物的析出,开始出现二次硬化倾向,至480~520℃时,回火硬度达到了最大值。 相似文献
168.
169.
170.
SHAN Lian-weia * ZHANG Xian-youa DONG Li-mina WU Zea HAN Zhi-donga FU Xing-huab HOU Wen-pingb aDepartment of Materials Science Engineering Harbin University of Science Technology Harbin China bDepartment of Materials Science Engineering Jinan University Jinan China 《中国航空学报》2006,19(Z1)
Sr0.5Ba0.5–xBixTiO3 (BST) thin films were fabricated on a Pt/SiO2/Si substrate by the sol-gel method. Then follows an investigation of the influences of bismuth (Bi) on the microstructures and the dielectric properties of Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3 (BST) thin films. The micro-structures of the BST thin films were examined by the XRD and the TEM techniques. Tetragonal perovskite crystal grains were observed in BST thin films. Increasing Bi3 doping ration in BST will lead to decrease of the grain size. It is found that Bi3 doping decreases the dielectric loss and improves the frequency dispersion of the BST thin films. Not only is compressed the peak of temperature-dependence of dielectric constant of Bi3 -doped BST thin films but also moves into the low-temperature region. Moreover, the average Curie tem-perature decreases gradually with the Bi3 contents increasing. 相似文献