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291.
腹下无隔道大偏距S弯进气道流场特性 总被引:7,自引:0,他引:7
针对一种腹下无隔道大偏距S弯进气道,在利用实验结果验证了数值方法的可靠性之后,通过数值模拟分析了该进气道在跨声速段的口面流动特征和内通道二次流特征,解释了声速时性能较高的原因。结果表明:进气道口面设计能够将绝大部分前体边界层低能流扫离进气口;高亚声速和声速时鼓包的静压分布比较相似,而低超声速时则相差较大,这主要由于其形成机理不同;进气道出口截面下方的对涡仍然是由S弯扩压段第2弯的旋流发展而来的。 相似文献
292.
293.
军用飞机重叠关键部件二次杀伤易损性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为减缩军用飞机的易损面积,有时会将关键部件的重叠布置作为其方法之一,但在考虑二次杀伤的情况下,重叠布置并不一定会减缩飞机的易损面积,为此分析对比了飞机重叠布置在考虑二次杀伤情况下和不采取重叠布置时易损面积的变化,得出了飞机在重叠布置下易损面积变化的通用计算公式和影响因素。 相似文献
294.
本文将二次流理论与端壁附面层理论相关联,提出一种用于预测轴流压气机叶栅通道内的端壁附面层及叶片力亏损的新方法。附面层主流流动采用包含叶片力亏损的动量积分方程,横流流动采用双层速度分布模型,使用二次流分析和有限差分计算方法预测横流外层速度分布,主流流动和横流流动交替计算。用于两种高负荷压气机叶栅的预测结果表明,不仅端壁附面层发展的预测结果与实验结果吻合较好,而且叶片力亏损发展的预测值也与实验值一致性较好;此外,该方法不仅自动,而且还能较准确地预测S形横向流动的发展。 相似文献
295.
本文给出充满粘性不可压缩流体时同心圆柱间内柱作小振幅振荡所诱导的二次旋涡流动的解析解,对典型的柱径比给出容器外边界对二次旋涡流动流线、涡量分布和动能分布的影响。给出了等涡量线和等动能线分布的鞍点。采用数值求解非定常Stokes流动考察了二次旋涡流动的发展过程。二次定常旋涡流动的显示实验表明,解析解、数值计算和实验显示所示流谱基本一致。 相似文献
296.
高负荷涡轮叶栅气动性能试验 总被引:1,自引:0,他引:1
在环形涡轮叶栅低速风洞上,对某型高负荷涡轮静叶栅进行了吹风试验.应用五孔球头测针,详细测量了在三个冲角下由栅前至栅后7个横截面内气流参数沿叶高和节距的分布.试验结果表明,沿叶高变负荷结合叶片弯曲,在满足高负荷要求的条件下能够控制边界层的集聚、转捩与分离.在主流区采用前加载叶型,保证叶片能承担高负荷.在两个端壁区采用后部加载叶型,并通过叶片正弯进一步降低气动负荷,从而减小端壁横向压力梯度,削弱端壁横向二次流.正、负冲角仅影响叶片前缘吸力面或压力面的静压分布,引起气动负荷的增加与减小.研究的高负荷涡轮叶栅具有良好的冲角适应性. 相似文献
297.
298.
旋转通道一维非定常计算模型 总被引:2,自引:2,他引:2
采用特征线法,对航空发动机二次空气系统的旋转通道结构一维非定常流动及换热的计算模型进行了研究,通过将广义的定截面、有摩擦、考虑对外热交换的旋转通道可压缩非定常流动偏微分方程组转换为常微分方程组,考虑旋转离心力,并采用Colebrook White方程定义其阻力特性,进而获得旋转通道内部沿流动方向压力、质量流量、温度等系统参数的特征线数值解,采用商业软件Fluent对其进行验证.结果表明:特征线法利用压力波传播方式对旋转通道进行求解,能够直观地描述旋转通道一维非定常流动及换热特性,计算误差不超过5%,可以作为二次空气系统旋转通道一维非定常计算研究的有效手段. 相似文献
299.
考虑油滴变形和二次油滴效应的轴承腔壁面油膜流动分析 总被引:2,自引:1,他引:2
航空发动机轴承腔油气两相流动状态下的壁面油膜分布和流动速度直接影响其润滑和换热特性.考虑油滴变形和二次油滴沉积效应作用,通过油滴变形和运动、油滴/腔壁碰撞过程质量和动量转移以及二次油滴运动和沉积分析,获得油滴沉积过程的质量和动量转移;在此基础上利用根据力平衡原理和质量守恒原理建立的壁面油膜分布和流动的力学模型获得壁面油膜的厚度和速度分布.分析和探讨了油滴变形对油滴速度和运行轨迹的影响,变形和二次沉积效应对油滴质量和动量转移以及壁面油膜厚度和速度分布的影响.计算结果表明:考虑变形后油滴所受阻力增加,其运动速度减小,运行轨迹更加弯曲,一次质量转移增加,一次动量转移减小;二次油滴的数量很大,其沉积质量和动量转移是轴承腔中油滴质量和动量转移的主要部分;油滴变形和二次沉积效应作用下壁面油膜的厚度和流动速度都明显增大,润滑油加速排出. 相似文献
300.
为了精确测量材料在不同入射电子能量和入射电子角度下的二次电子产额(secondary electron yield, SEY)以及二次电子能谱,研制了收集极为球形结构的SEY测量装置。首先介绍了装置的构成、测量原理及中和方法,并对测得的信号波形进行了分析。随后,测量了Cu材料和Al2O3薄膜材料的SEY值和二次电子能谱。结果表明:不同入射电子能量下SEY值的标准偏差分别小于0.055(Cu)和0.126(Al2O3);不同入射电子角度下SEY值与理论模型符合的很好,拟合R2值为0.998 64(Cu);出射的二次电子能量绝大部分集中在10eV(Cu)和20eV(Al2O3)以下,符合相关理论预期。 相似文献