共混物对二次发泡聚丙烯的发泡效果和力学性能的影响

运用型内二次发泡工艺确定了低密度聚乙烯(LDPE)或高熔体强度聚丙烯(HM SPP)共混改性发泡聚丙烯(PP)的配方,用傅里叶红外光谱仪和扫描电镜研究了共混聚合物组分的种类和含量对PP分子结构、泡孔结构的影响机制及断口形貌,共混聚丙烯发泡材料的发泡效果和力学性能的影响规律。结果表明,在共混过程中,部分PP和LDPE分子在热的作用下相互促进,产生了接枝交联;共混物比纯PP的泡孔结构优且发泡效果佳,其中LDPE的用量范围比HM SPP更宽,且含LDPE为30%时聚丙烯的发泡效果最好;HM SPP的发泡体的抗弯强度明显要高于LDPE;而LDPE对发泡体冲击强度的影响要显著大于HM SPP。     

FLUENT软件的二次开发及其在火箭气动计算中的应用

针对火箭设计过程中的气动特性计算,在计算流体力学软件FLUENT的基础上进行二次开发,从后台启动FLUENT进程,生成参数文件,采用批处理功能自动控制计算过程,减少用户工作量,极大地提高了设计效率。以两种不同的火箭构型为例,计算了在攻角α=4,°Ma=0.4,0.6,0.8,1.0,1.2,2.0,4.0,6.0状态下的气动特性。给出了火箭升力系数、压心系数和阻力系数随马赫数的变化规律。计算结果与实验数据吻合良好,精度满足设计要求,计算的气动数据可以为火箭的初步设计提供参考和依据。     

改进的瞬态实验方法对涡轮转子端壁换热的研究

改进瞬态实验方法,使实验件的初始温度在上下表面间形成线性分布,降低了对实验设备和操作的要求.以此方法研究涡轮转子端壁的流动和换热情况,实验结果表明,端壁表面的换热强度受来流雷诺数和端壁二次流结构的共同影响.来流雷诺数增加,端壁整体换热增强;二次流的影响,导致端壁表面存在若干局部传热强化的区域,包括前缘马蹄涡形成的区域、马蹄涡分支覆盖的区域、靠近吸力面一侧通道涡生成的区域、以及角涡产生的位置.实验测得的结果符合对端壁二次流结构的现有认识.      

轴流压气机转子近失速工况全通道 数值模拟

对某亚声速轴流压气机转子进行了全通道三维非定常数值模拟,获得了该压气机近失速工况下的详细流动情况.转子前缘均匀布置的十支静压数值探针监测结果表明,转子圆周上出现两个静压扰动区域,其中一个逐渐发展为突尖波.流场分析表明,叶顶通道中存在频繁的分离涡运动,静压扰动区域中分离涡的强度较大.分离涡诱发间隙流形成“前缘溢流”和“尾缘反流”.静压扰动区域沿圆周方向传播是由分离涡在通道之间的传递引起的.传播过程中,分离涡强度的持续增大是突尖波形成的关键因素.通道中较强的“尾缘反流”沿通道上行并绕过叶片形成“前缘溢流”的现象可作为突尖波形成的标志.      

复杂地形在不同大气条件下流场显示实验研究

在拖曳式水槽中利用不同密度分层的盐水来模拟不同的大气条件。对香港岛铜锣湾地带的污染情况进行了不同大气条件下的流场显示实验。从该地区在常年风作用下流场的变化,找出污染物不易扩散的原因。     

非壅塞固体火箭冲压发动机二次燃烧室进气方案研究

用k-ε湍流模型以及EBU燃烧模型。对固体火箭冲压发动机二次燃烧三维反应流场进行了数值计算,研究了空气射流与富燃燃气射流动量之比、射流速度和燃气发生器喷管数量对二次燃烧的影响。研究结果表明,当空燃动量比在一定范围内时。若空燃动量比变大,则二次燃烧效率升高;降低空气和燃气射流的速度有利于二次燃烧效率的提高;并且增加燃气发生器喷管数量能增强燃气与空气在头部的掺混效果,为燃烧创造良好的条件。     

卫星真空热试验有机分子污染计算软件开发

文章介绍了卫星真空热试验有机分子污染计算软件的物理模型、数学模型及相关的一些重要公式,并对其主体框架、计算流程和特征设计进行了说明。该软件可以进行卫星真空热试验容器内任意位置有机分子污染量的快速计算,对试验过程起到很好的监督作用。     

基于凝相燃烧产物分析的固冲发动机补燃室硼燃烧特性研究

由于硼具有热值高、着火温度高等特点,使得其在固冲发动机中的应用成为研究的热点和难点。以开展固冲发动机条件下的硼燃烧试验研究为目的,建立了一套试验系统。基于这一试验系统,对不同轴向位置的凝相燃烧产物进行试验取样,在XRD、SEM和EDS等物理分析的基础上,对物相成分进行定量分析,研究了不同轴向位置的硼局部燃烧效率和完全燃烧效率,获得了硼燃烧效率和完全燃烧效率沿轴向的分布规律。     

面向星载应用的1553B总线仿真卡二次开发软件

提炼和抽象了星载总线功能,尤其是总线复杂通信功能对1553B总线仿真卡二次开发软件的通用需求,在此基础上对总线仿真卡二次开发软件面向应用层的发送与接收子地址关联、服务请求设置响应与清除、模拟总线消息内容按多种规律变化等3个新功能进行了介绍,并列举实例加以说明,文章所述方法已在多颗遥感卫星上得到了应用。     

卫星载荷二次电源用MOSFET的抗辐射设计及验证

针对某卫星载荷二次电源所面临的空间总剂量辐射环境及其效应,进行了二次电源用3款MOSFET(IRF5N3415、IRF7NA2907、IRF7N1405)的抗辐射总剂量设计,通过使用钽片加固及合理的结构布局防护使该3款MOSFET的辐照设计余量(RDM)均不小于3。开展总剂量辐照试验验证,对比参数变化得出MOSFET的抗电离总剂量数据,验证了加固设计的有效性。采用经过抗辐射设计的非宇航级元器件将成为空间降成本应用的趋势之一。