关于空气压缩机用密封石墨条的研究

为了解决空气压缩机气缸的密封性问题，进行了试验研究。在某型四缸无油摆式空气压缩机的四个气缸内，分别安装四种不同材质的密封石墨条，相同条件下．进行满负载运行30小时，分析各密封石墨条的受磨损情况。通过试验前后磨损量数据的比较，找到一种既满足密封特性又耐磨损的空气压缩机气缸石墨密封材料。     

一种新的金刚石合成方法——强激光冲击合成金刚石的初步研究

简要叙述了激光技术的特点及其在金刚石合成方面的应用。在溶胶凝胶法制备碳膜的基础上,采用强激光冲击处理合成了金刚石微晶;以激光喇曼光谱为主要测试手段,分析了合成产物的成分和粒度,研究了激光工艺参数对石墨成分转变的影响作用。并对试样进行了扫描电镜分析,指出了在激光冲击产生的非平衡态热力学条件下,存在着石墨向金刚石转变的趋势;讨论了其转变机理。     

低掺量石墨水泥基材料的压敏特性

通过减水剂将少量石墨加入水泥基材料中制成石墨水泥基材料试样,采用交流分压电路测量其电阻率,研究其在一次性加载破坏试验中的压敏特性.试验结果表明,低掺量石墨粉作为导电组份加入水泥基材料后会导致其强度降低,但可以使水泥基材料具有一定程度的压敏特性.随着石墨掺量的增加,各组试样电阻率的离散性变小,材料的压敏特性提高,在加载过程电阻率的波动变小.在本试验的测量方法下得到的石墨水泥基材料的压敏特性曲线与混凝土材料的应力应变曲线有相关性,试样的电阻率随着应力的增大而产生变化的过程大体可分为3个阶段,即波动阶段、稳定下降阶段和急剧下降阶段,分别对应混凝土材料应力应变关系的弹性变化、非弹性变化和应变迅速增大阶段.      

石墨粉对LSI法制备C/C-SiC复合材料性能的影响

在酚醛树脂中添加石墨粉,采用模压法制备出CFRP材料,在不同温度热解转化为C/C复合材料,然后反应熔渗(LSI)硅制备出C/C-Si C材料,研究了石墨粉对材料的微结构、毛细渗透行为及机械性能的影响。结果表明,热解后C/C材料中的石墨粉和碳基体之间形成了剥离型微裂纹,但层间结合良好,且弯曲性能和未添加石墨粉C/C材料相当,同时石墨粉的添加降低了C/C材料毛细增重速率。热解温度对C/C材料的孔隙率、弯曲强度和毛细渗透行为均有显著影响。不同条件C/C材料硅化后制备的C/C-Si C弯曲强度基本相当,在120~130 MPa,表明热解温度和石墨粉对C/C-Si C材料的弯曲性能没有明显影响。     

电路参数对石墨加热元件发热特性的影响规律研究

电路参数是石墨加热元件发热性能的决定性因素,对电路参数的影响规律的研究是高性能高可靠性石墨加热器设计的基础。对石墨加热装置的失效过程进行研究,确定发热元件可靠性量化指标：温度均匀度;在此基础上,确定对加热元件热输出性能进行量化的四个电路参数：加热元件厚度、发热条宽度、发热条缝隙、缝隙处的倒圆半径;对发热电路进行参数化建模,并采用有限元电热耦合仿真对加热元件电路参数对加热能力和可靠性的影响机理进行研究。结果表明：加热元件的厚度决定了加热元件的热输出能力,而其余三个电路参数决定了加热元件的可靠性。本文的研究成果对高性能石墨加热装置的研制具有重要的支撑作用。     

影响石墨材料浸泡N2O4后密封性的研究分析

为验证石墨材料与N2O4介质的相容性,对4种不同石墨材料进行了N2O4介质浸泡试验。针对试验结果,从石墨材料气孔率、浸渍树脂、石墨基材、石墨元素分析及石墨微观结构等方面,研究分析了石墨材料介质浸泡后影响其密封性能的原因。分析认为石墨杂质和微观组织结构对石墨材料耐N2O4介质有重要影响。     

炭／陶复合材料电热性能的研究

通过在陶瓷基体原料(高岭土)中添加炭系导电原料(石墨、炭黑),经球磨混合、模压成形和烧结工艺制得炭/陶复合材料.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、数字测温仪等分析和测试了所研制试样的相组成、显微结构以及电热性能.结果表明,本实验的烧结条件下,炭系导电原料不会和陶瓷基体发生反应,其导电性不会受到影响.单一石墨和炭黑含量超过30和25wt%或石墨加炭黑混合(m石墨: m炭黑=1: 1)导电原料含量超过30wt%时,可在炭/陶复合材料内部形成良好的连续导电通道,且该材料具有优良的电发热性能.     

pH值对硅酸钇涂层结构影响的研究

采用一种新颖的水热电沉积方法直接在石墨表面制备了硅酸钇涂层,利用XRD,EDS和SEM等测试手段对涂层进行测试分析,重点研究了电沉积前驱溶液pH值对涂层显微结构的影响.结果表明:当前驱液的pH值为1.5～3.0及水热温度为150℃时,即可制备出硅酸钇涂层.随前驱液pH值增加,涂层开裂趋势减弱,结晶趋势增强,致密度有所提高.     

掺杂硅再结晶石墨微观结构及其性能的研究

用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、硅粉作添加剂 ,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂硅再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加硅对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化。结果表明 :与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较 ,掺杂硅再结晶石墨的导热导电性能均有较明显的提高 ,而力学性能却有所降低。与纯石墨材料相比较 ,当硅掺杂量为 4wt%时 ,再结晶石墨电阻率可降低 2 5 % ;而当硅掺杂量超过 4wt%时 ,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下 ,RG-Si-6再结晶石墨的层面方向热导率可达 3 2 5 W/ (m·K)。微观结构分析表明 ,随着硅掺杂量的增加 ,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸均增大 ,晶面层间距 d0 0 2 降低。原料中掺杂硅量为 6wt%时 ,再结晶石墨的石墨化度为 94.3 % ,微晶参数 La/为 1 94nm。 XRD分析表明 ,硅元素在再结晶石墨中以 α-Si C的形式存在。硅对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用碳化物分解机理来解释     

以天然石墨为原料制备高性能材料的研究

以天然石墨为原料，进行多组元掺杂制备了SiC-B4C-ZrC/C复合材料。研究了ZrO2的加入量对材料性能的影响。实验结果表明：加入少量的（小于8％）ZrO2石墨材料的力学性能和电学性能明显得到提高；而继续添加ZrO2，石墨材料的力学性能和电学性能则有所下降。