基于星座恢复法降低PAPR的性能分析

提出了一种新的降低峰均功率比(Peak-to-average ratio,PAPR)的方法——星座恢复法.在发送端采用软件削波限幅的方法来降低系统的峰均比,其系统结构简单、且可根据系统的要求灵活地改变PAPR值;在接收端根据调制信号的星座特性恢复出被限幅数据的实际值,从而减小了信号的畸变,提高了系统的误码性能.为了使星座恢复法更具实用性,对其算法进行了简化,从而大大地减少了系统的运算量.理论分析和仿真结果表明:与选择性映射法(Selective mapping,SLM)相比,基于星座恢复法的正交频分复用(Orthogonal frequency division multiplexing,OFDM)系统,其误码性能得到了明显的改善,算法较简单,且无需额外信道来传送附加信息.     

Internet上的流媒体特性及用户访问行为研究

通过跟踪CERNET中典型流媒体服务器日志,分析了流媒体特性和用户访问行为,为在Internet上通过内容分送网络(CDN)高效分送流媒体内容及流代理服务器的仿真与设计提供实验依据.结果表明:流对象大小和播放持续时间较好地符合对数正态分布,平均位速率呈"双峰"变化特性;对流媒体的访问呈现出比Zipf分布更强烈的偏向性;请求具有定域性,其是由对文件排列中的前若干文件的频繁访问所造成,这些请求间具有较强时间相关性.指出了上述结论对仿真、设计和实现流媒体缓存代理服务器的意义.     

薄壁管轴压胀形关键工艺参数及成形极限

利用粘性介质传压,对薄壁管轴压胀形进行了研究;基于塑性理论和分散性失稳理论,推导了轴对称胀形内压力分布规律,得出了内压加载区间和轴向加载关系;建立了基于载荷控制的加载函数,提出了送料控制方法,优化了加载模式;基于集中性失稳理论,计算了胀形压力极限,建立了均匀变形极限和极限应力比的概念,形成了零件可成形性的基本判据;分析了管材成形过程中应力变化特点,揭示了管材胀形区由拉-压应力状态迅速发展到双向受拉的机理.通过实验并利用有限元方法对薄壁管轴压胀形过程进行了模拟计算和研究,验证了理论分析结果.      

非对称偏差下质量特性值分布评价

传统的统计过程控制以公差中心为基准研究质量问题,对基本尺寸未给予足够重视,导致公差为非对称偏差时产品质量测度方法缺乏完善性.对此,以基本尺寸为基准,对非对称偏差下基于正态分布和切段正态分布假设的产品质量水平进行了分析,运用Taguchi质量损失函数对两类分布下产品价值的期望进行比较.结果表明,质量特性值服从切段正态分布的产品质量水平较优,产品价值的期望较高.      

标准压力源自校准方法探讨

当前以压力传感器为一次仪表组成的标准压力源,用软件实现自校准既可提高校准效率,又能提高仪器的性价比.对标准压力源的软件自校准方法进行了探讨.     

低压蒸汽透平排汽缸内能量损失的数值研究

运用三维粘性流场数值模拟软件(Fine/Turbo)对一个低压蒸汽透平排气缸内的复杂流动进行数值模拟,计算结果与已有的实验数据进行了对比.计算得到的排气缸出口截面上的质量平均总压损失为47.8%,实验值为40.9%.数值模拟清晰地显示了排气缸通道内的流场结构是以各种旋涡为主要特征,包括通道涡、分离涡和端壁涡等.其中,通道涡的尺度最大,是造成排汽缸内能量损失的最主要因素.     

基于电子展成与坐标结合原理自动测量圆柱齿轮的研究

介绍了利用电子展成与坐标结合的原理来自动测量渐开线圆柱齿轮的方法。采用CNC技术实现电子展成 ,利用被测齿形的测量值进行分析与评价。为了消除传动误差 ,在电子展成系统中设有误差修正环节     

热沉温度场仿真研究

为了确定热沉温度场控制方法，建立了KM6热沉正常运行状态的数学模型，在MATRIX仿真平台上构造了仿真模型并求解，确定了KM6热沉温度场的动态特性和等价模型，并对热沉的设计提出了若干建议。     

钛合金表面低氧压熔结Al-Si涂层及抗氧化能力

采用低氧压高温快速熔结技术在Ti-6Al-4V合金表面成功地制备出抗高温氧化的Al-Si熔结涂层.与Si改性渗涂层相比,这种工艺相对简单,不需要经过长时间的扩散就能形成足够厚度的Al-Si熔结涂层,省时节能,且涂层中抗氧化元素铝、硅的浓度可通过调整粉末的混合比例来进行控制.X射线检测表明涂层主要由Ti₅Si₃和TiAl₃组成.在923K空气中52h循环氧化试验结果表明:低氧压熔结Al-Si涂层在前10h的氧化过程中氧化增重较快,而在随后的氧化过程中氧化增重较为缓慢,而Si改性渗涂层在氧化过程中一直保持着较高的氧化速率.      

无电阻CMOS带隙基准电压源的设计

设计了一种高准确度无电阻的带隙基准电压源。该电路采用差分结构的电压传输单元来代替电阻,并且没有使用运算放大器,从而避免了运算放大器所带来的高失调和必须补偿的缺陷。电流源采用共源共栅结构,提高了电源抑制比。增加了启动电路,保证电路可以正常工作。在0.6μm CMOS工艺条件下,电路的各项性能指标采用Sm artSp ice进行模拟验证,结果表明有效温度系数可以达到6×10-6/℃,电源电压从3.8 V变化到5.5 V时,输出的基准电压波动不到3 mV。