光学元件抛光亚表面损伤实验研究

设计光学元件抛光亚表面损伤检测实验,使用原子力显微镜(AFM)检测传统抛光亚表面塑性划痕与磁流变抛光亚表面塑性划痕的最大深度,通过比较验证磁流变抛光对亚表面塑性划痕的抑制能力;同时利用二次离子质谱仪的深度剖析功能检测磁流变抛光石英样件后表面水解层的深度,指出磁流变抛光属于低损伤性抛光技术。     

细长调节杆精密加工

调节阀中重要零件调节杆的加工精度较以往产品大幅提高，给机械加工带来很大困难。通过对产品结构特点、加工工具性能等的分析，采取了调整加工设备、制定合理的工艺方案、对材料进行消除变形热处理等保证加工精度的措施成功地加工出了符合设计精度要求的产品。     

采用磁流变阻尼器的直升机"地面共振"分析

针对磁流变阻尼器的非线性特性，采用能量法得到了磁流变阻尼器的等效线性阻尼。建立了机体平面二自由度和刚性桨叶的“地面共振”分析模型，得出了直升机“地面共振”的稳定性区域。通过分析计算可以得出，磁流变阻尼器能在不同情况下提供“地面共振”所要求的阻尼，达到抑制“地面共振”的目的。     

复杂结构薄壁件小直径永磁球头磁流变抛光技术

针对一种复杂结构薄壁件的结构特点和加工精度要求,在磁流变抛光原理的基础上,设计了小直径永磁球头的加工工艺。本文详细分析了工件的磁流变抛光工艺要求,并在此基础上确立了工件的小直径永磁球头磁流变抛光加工方法。通过自行研制的磁流变抛光机床对工件进行加工验证实验,经过加工工件的表面粗糙度由645.8nm减小到18.7nm,表明了采用小直径永磁球头磁流变抛光方法对工件进行抛光,可以得到较好抛光表面质量,达到了工件的精度要求,进而验证了该方法的正确性。     

新的直升机复合材料涵道制造技术

为了实现AC332 民用直升机复合材料涵道结构的高质量、低成本、敏捷快速制造,针对结构特点和各项设计要求,开展正向工艺设计,提出一种新的直升机复合材料涵道制造技术。新的直升机复合材料涵道制造技术包括零件的精准制造技术、涵道结构胶接装配技术、精加工技术,对技术加以展开论述,介绍技术的应用情况;与传统的海豚直升机的涵道制造技术从多方面进行对比。结果表明：新的直升机复合材料涵道制造技术达到了降低成本、缩短制造周期、简化工装、提升质量、保证接口精度的效果,对其他直升机大部件的精准制造有重要的参考价值。     

“曲面投影精加工”五轴策略研究

介绍了Powermill软件中"曲面投影精加工"策略的原理、主要参数及优化方法,列举了曲面投影精加工在五轴零件中的应用。在完成曲面投影精加工设置时应分别忽略参考曲面,优化切入切出,同时进行刀轴设置,生成高效的"曲面投影精加工"五轴联动刀具路径。     

磁流变机床误差分析和加工工艺优化

首先通过实验分析不同工艺参数下对去除函数稳定性的影响,并进行了仿真分析,确定了机床的敏感方向;其次,对磁流变机床运动轴误差进行了测量,分析这些误差引起法线方向误差的大小;最后,实验验证采用较大的压深和补偿法线方向误差可以有效提高机床的加工精度.     

磁力研磨法去除燃油喷嘴积碳的试验研究

针对燃油喷嘴大修再制造中积碳难去除的问题。利用扫描电子显微镜（SEM）分析喷嘴表面积碳的微观形貌和成分组成，为磁力研磨技术去除积碳方法的确定和工艺研究奠定基础。从旋转磁场的产生原理、磁针在磁场中受力和磁针在磁场中运动三方面综合分析了磁力研磨法的材料去除机理。采用电磁研磨装置对喷嘴进行积碳去除试验，运用响应面分析法分析旋转磁场转速、磁针的型号尺寸和研磨时间的交互作用对材料去除量和表面粗糙度的影响规律，确定试验的最佳工艺参数。最优的工艺参数为：磁针型号尺寸Ø0.8 mm×5 mm，旋转磁场转速1 000 r/min，研磨时间40 min。通过微观形貌的观测以及表面应力检测分析，综合评价研磨后的喷嘴表面质量。结果表明，研磨后的喷嘴表面积碳基本去除，表面光滑，残余应力明显下降，金相组织完好。经过专业测试，研磨后的残余积碳小于技术要求规定值。采用磁力研磨技术，可以有效去除燃油喷嘴表面积碳，去除效率高，技术环保，满足绿色再制造的要求。     

光学材料磨削加工亚表面损伤层深度测量及预测方法研究

针对光学材料磨削加工引入的亚表面损伤层,综合使用磁流变抛光斑点技术和HF差动化学蚀刻速率法测量亚表面裂纹层深度和亚表面残余应力层厚度。建立了亚表面裂纹层深度与表面粗糙度间关系的理论模型,以实现亚表面裂纹层深度的准确预测,并通过分析亚表面裂纹尖端应力场,预测了亚表面裂纹尖端塑性层厚度。     

盘型磁流变流体阻尼器悬臂转子系统响应时间测试

在不同的磁流变流体、激励方式、转子转速以及磁场强度情况下系统地测量了盘型磁流变流体阻尼器悬臂转子系统的响应时间。结果发现转子系统的响应时间由初始响应时间、快速响应时间和慢变响应时间3部分组成。转子系统的初始响应时间一般小于100ms,快速响应时间一般在50～400ms的范围内,两者均不可能为几个毫秒。初始响应时间及快速响应时间不仅与磁场强度、磁流变流体的组分和转子转速有关,而且还与激励方式有关。突加电流过程中的响应时间比去掉电流过程中的响应时间短。无论是在突加电流还是在去掉电流的过程中,都存在着一个由磁化或去磁过程引起的初始滞后时间。