增材制造异形波导管内腔的磨粒流抛光方法研究

针对磨粒流抛光异形波导管内球面欠抛的问题,通过设置仿形芯模引导磨料流经内球面,完成内球面的抛光.利用Fluent对不同仿形芯模与波导管内腔形成的流道模型进行流体仿真,对比分析等效壁面的流速、压力以及壁面剪切应力.仿真结果表明,芯模球径越大,越有利于改善内球面的加工质量.采用球径9mm的仿形芯模进行磨粒流抛光试验,波导管...     

光纤连接器端面研磨的技术关键

简要地介绍了连接器的生产中最关键的研磨工艺，对研磨工艺流程，研磨质量跟踪表和研磨质量指标通过实际生产过程进行研究。而且利用跟踪记录的研磨数据，并根据研磨质量的指标，找出一套最佳的研磨工艺。从而生产出高质量的连接器。     

一种新型白口铸铁的组织与性能

本文研究不同含硅量、不同铬含量硅铬白口铸铁的组织与性能影响，结果表明：随含硅．铬量的增加，硅铬白口铸铁中碳化物的相对量逐渐增加，基体、碳化物的显微和宏观硬度逐渐增加，碳化物由Fe3C和Fe7C3组成；冷却速度和淬火加热温度对该材料冲击磨粒磨损性能影响不大；硅铬白口铸铁下贝氏体基体耐冲击磨粒磨损性能较其它组织的好。     

低温磨料气射流加工PDMS实验研究

通过自研的低温磨料气射流加工装置进行低温磨料气射流加工聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)实验研究,分析了加工时间、加工距离、冲蚀角度和磨料粒径对冲蚀率、孔深和孔横截面形貌的影响。结果表明:随着加工时间的增加,冲蚀率先增大后减小,在第1阶段加工过程中,孔深与加工时间大致呈线性关系,增加加工时间还可使孔底部变平整;存在一个最佳加工距离使孔深最大,当加工距离大于最大加工距离时,孔深将随着加工距离的增加而急剧下降,孔的锥度随着加工距离的增大而增大;当冲蚀角度处于30°～60°之间时,冲蚀率最大,随着冲蚀角度的增加,孔的形状逐步由椭圆形变成圆形;存在一个最佳磨料粒径,使冲蚀率和孔深达到最大;当冲蚀角度小于90°时,低温磨料气射流加工PDMS材料去除机理为塑性去除和脆性去除的结合。     

真空感应钎焊单层金刚石砂轮的实验研究

在真空条件下用Ni-Cr合金做钎料进行了钎焊单层金刚石砂轮的实验研究，实现了金刚石与钢基体间的牢固化学冶金结合。通过扫描电镜X射线能谱，结合X射线衍射结构分析，发现Ni-Cr合金中的Cr原子与金刚石表面的碳原子反应生成稳定连续的Cr3C2膜，在钢基体结合界面上生成（FexCry）C，这是实现合金层与金刚石及钢基体之间都有较高结合强度的主要因素。通过磨削实验验证了金刚石确实有较高的把持强度。     

散粒磨粒抛光运动轨迹的仿真与合理参数的选择

通过计算机模拟出磨粒的运动轨迹,从而得出影响抛光质量的因素,并提出了合理的抛光运动参数。     

不锈钢镜面的游离磨粒精密加工

利用游离磨粒加工方法对马氏体平面不锈钢SUS440C试件进行精密加工.通过田口实验方法对研磨阶段的工艺参数进行了优化,涉及的工艺参数包括研磨盘转速、加工载荷和加工时间.利用优化的研磨工艺加工后试件表面粗糙度达Ra72nm.抛光过程中使用聚氨酯抛光垫和二氧化硅磨粒,经抛光后试件表面粗糙度达Ra8nm、表面呈镜面.     

IC制造中平坦化技术的性能与分析

表面平整化技术是半导体工业的关键技术,在一定程度上制约着半导体芯片集成技术的发展,针对多层立体布线的IC全局平坦化技术,介绍了代表当今平整化技术及其未来的发展方向,其中一些技术会取代传统的CMP技术而成为IC产业的主导技术之一;叙述了超大规模集成电路(ULSI)的发展对全局平整化的具体要求;对传统的CMP技术的特点进行了分析;并论述了当今主流的IC平整化技术的原理、性能以及未来的发展方向。     

电连接器的常见失效分析

电连接器的质量和可靠性直接关系到卫显、飞船、导弹等重点型号产品的成败，对航天用电连接器的各种常见失效模式和失效机理进行分析，并提出了改进和提高其质量和可靠性的若干建议。     

单层超硬磨料砂轮制造技术新发展

概述了国外单层高温钎焊超硬磨料砂轮的工艺优势及主要研究成果，这种新型超硬磨料砂轮以其卓越的磨削性能已在国内外磨削界引起了轰动，它在今后逐步替代传统砂轮应是一种无法抗拒的必然趋势。鉴于它极其广阔的应用前景，国内在推广应用超硬磨料砂轮时也必将大力引进开发此种单层钎焊砂轮。为使国内开发钎焊砂轮有一个更高的起点，作者提出了关于开展这一领域研究的若干构想和实施方案