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121.
以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。 相似文献
122.
文章对股票的投资回收期及股票的标准投资回收期进行了探讨,针对不同股票的特征,提出了4种股票投资回收期的模型,从而,克服了用市盈率作为判断股票投资价值的不足,为股票投资者提供了一个投资决策方法。 相似文献
123.
采用平面叶栅模拟压气机动叶叶尖间隙流 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对动叶叶尖进口端壁附面层的性状分析,指出采用平面叶栅模拟动叶叶尖间隙流端壁面静止(工况 1 )和仅有端壁面运动 (工况 2 )进口端壁附面层与真实情况的差异。根据转子静止静子转动这一相对运动思想设计出动叶叶尖间隙流实验模型 (工况 3)。对上述 3种工况叶片表面静压分布和叶尖间隙流进行了实验测量。实验表明:工况 3比 2,1叶尖间隙泄漏涡生成得早且间隙泄漏流量较大;采用无粘叶尖间隙流计算模型,在叶片后面部分计算结果与实测值吻合较好,而在叶片前缘部分由于流向压力梯度较大使得计算值大于实测值。 相似文献
124.
125.
研究了低铝含量(5%)的NA(硝胺)/AP/HTPB推进剂高压(15MPa~22MPa)燃烧特性。结果表明:二茂铁衍生物(RMT)能大幅提高推进剂燃速和降低高压燃速压强指数。随着RDX含量(15%~35%)增加,推进剂燃速基本不变;而HMX(15%~30%)含量增加,燃速呈降低趋势。提高配方中RMT含量、细AP的含量或采用RMT,铬酸盐组合催化剂的方法都可将NA/AP/HTPB推进剂高压压强指数降低到0.45以下。 相似文献
126.
127.
128.
129.
130.
相变热图技术中,为了得到风洞试验模型表面的热流分布,必须对相变热图序列进行相变线提取.首先通过特殊的时-空变换,将所有原始序列图像的直接分割转化为对少量合成图像的分割,在减小计算量的同时较好地解决了原始图像中由于相变区域模糊而难以分割的问题.同时,为了解决由于模型表面存在镜面反射造成的模型头部区域相变线提取不准确,引入镜面反射模型,并通过分割和参数求取过程的迭代执行计算出反射模型各参数,对合成图像进行整体性亮度补偿并最终得到良好的分割结果.最后根据提取出的相变线位置和材料相变温度,完成热流值的计算.通过比较表明本文结果更为准确合理,也验证了所提出分割方法的有效性,促进相变测温技术的广泛应用. 相似文献