对VC++ MFC类库中CFile类的派生类的研究和示例

VC＋＋中MFC类库中所包含的各个应用结构类都是派生于根类CObject，拥有许多共同的接口和方法，为Win32下的编程提供了许多方便。针对类的派生特性，亦可以通过派生MFC类库中的某些应用结构类，构造可以实现更高效，更实用．功能更强大而不影响其拥有的父类的功能模块的应用子类．本文以CFile类及其由笔者编写的派生类为例，来对MFC类的派生用法进行阐述和研究。     

基于FPGA的高速LVDS接口的实现

给出了一种基于FPGA的高速LVDS接口设计,利用FPGA内部的SelectIO资源,设计并构造了LVDS接口发送单元、LVDS接口接收单元和对齐状态机。并基于Xilinx Virtex-5平台成功搭建了一个500 Mb/s高速LVDS串行互联系统,通过仿真和测试,验证了系统的有效性,为后续采用FPGA实现各种高速协议奠定了良好的基础。     

火星及其环境

火星环境类似于地球,而探索其生命存在是重大的科学任务。在火星探测中,对火星及其环境的了解与研究是重要的任务目标,事关探测任务的成功实施。文章对国外火星探测已发布的成果进行收集和整理,其中包含大量的相关数据。这些知识和数据是火星探测任务设计的输入条件,可为我国火星探测计划的制定提供参考依据。     

高硅氧/酚醛复合材料热变形实验测试及表面烧蚀形貌分析

通过非接触式高温变形测量系统,对高硅氧/酚醛防/隔热复合材料在单侧热流载荷作用下的温度和全场高温变形进行了精确测量,并对试样体积烧蚀后的表面微观形貌进行分析。实验结果表明,利用陶瓷板在1 000℃左右对高硅氧/酚醛复合材料试件辐射加热200 s后,通过测量发现距离加热面12.62 mm处热电偶温度峰值为259℃,从而说明高硅氧/酚醛复合材料具有优良的防/隔热性能。通过DIC方法测得试样加热200 s后沿加热方向的最大位移为0.18 mm,且沿着试样加热方向位移呈现出逐渐递减的规律。通过对材料烧蚀后表面形貌微观观测和分析,发现在试样加热面上出现了凹凸不平的烧蚀坑,并出现了一层很薄的高硅氧纤维高温熔融后的硅氧化合物颗粒结晶状物质。     

Linux环境下MPI并行编程与算法实现研究

并行计算实现求解一些复杂的问题,并行编程技术的进步使得并行计算逐步应用到很多领域。MPI是一种消息传递编程模型并可以被广泛使用的编写消息传递程序的标准,已扩展为一种优秀的并行程序设计语言。该文简要介绍了有关并行编程的基本概念与方法,深入讨论了MPI并行编程环境与并行编程模式,对MPI并行性进行了分析,给出了Linux环境下MPI编程环境的配置方法,最后结合一个实例详细描述了用MPI实现并行算法的方法。通过对实验程序的结果分析,在Linux机群环境下用MPI实现复杂的并行算法是简单的,并且能取得较好的性能。     

航电系统SCI环型互连的可靠性建模研究

研究了SCI(可扩展一致性接口)环型互连的可靠性建模问题.结合SCI协议及航电系统ICD(接口控制文件)设计文件,提出了基于消息流的源-目的可靠度概念,建立SCI环型互连系统的可靠性模型,并针对3种环型拓扑进行了可靠性的建模分析,指出该可靠度指标对消息流的制定及航电系统任务的可靠度分配具有重要指导意义.      

Ti合金与SiC_p/Al复合材料在无压浸渗同步复合过程中的相容性

采用熔铝无压浸渗复合工艺在高体份SiCp／Al复合材料制备过程中同步复合Ti合金零部件（圆柱体）,研究了这种跨宏-微观尺度、超混杂铝基复合材料的微观组织及性能,特别是SiCp／Al复合材料与Ti合金零部件之间的相容性。结果表明,复合材料性能优异、组织致密,SiC颗粒分布均匀、无偏聚现象。SiCp／Al复合材料与Ti合金之间的界面结合非常紧密,Ti元素向铝合金基体一侧有一定距离的扩散,并且出现了可增强界面结合的连续、无缺陷的界面反应物薄层,SEM和XRD分析表明界面反应产物为Al2Ti,界面剪切强度超过200MPa,完全可以满足在复合材料中的Ti合金零部件处加工装配孔的要求。     

综合压力畸变指数的计算软件设计及验证

设计了专用软件计算稳态压力畸变指数,同时利用该软件绘制了气动界面总压图谱,并利用某风洞试验数据验证了该软件的准确性;设计了数字滤波器对动态压力数据进行处理,研究了滤波器截止频率、数据取样时间对动态压力畸变指数的影响。应用所设计的稳态压力绘图和畸变计算软件及动态压力数据处理方法,对某型飞机飞行时发动机进口气动界面的综合压力畸变指数进行了计算。     

机载航电总线系统发展评述

简要阐述了机载总线系统的发展和研究状况;并对主要几种总线系统进行了分析和比较;还论述了高速线性令牌总线系统的功能和结构。最后,对发展我国航空电子总线系统提出了某些看法。     

Ti/ZrO_2界面反应研究

借助DSC、SEM分析 ,分别对Ti ZrO2 体系、Ti Al ZrO2 体系、Ti B Al ZrO2 体系中Ti和ZrO2 的界面反应进程及初始反应温度进行了研究。结果发现 :随着Al、B及微量添加剂的加入 ,Ti和ZrO2 的初始反应温度逐步升高 ;Ti Al ZrO2 和Ti B Al ZrO2 体系与Ti ZrO2 体系相比较 ,Ti和ZrO2 初始反应温度分别提高近 5 0℃和70℃ ,从而弱化了Ti和ZrO2 型壳材料之间的界面反应