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511.
结合开发国产化软件的实践,详细论述了开发CAD/CAM集成系统中的几个关键技术:包括用户界面设计、系统结构设计、数据管理、信息处理、图形支持软件、关键算法以及软件开发的工程化管理等几个方面。从软件工程的角度出发,分析了为适应大规模CAD/CAM系统开发中并行作业的需要,用户界面设计、信息处理设计、图形支持软件的设计方法和原则。为实现CAD/CAM集成系统的可修改性、可扩充性和可移植性,作者直接将面 相似文献
512.
肖军 《南京航空航天大学学报》1996,28(2):267-270
通过对多向层合板刚度和热弹性的分析,给出了适于测量复合材料多向层间Ⅲ型分层断裂韧性的试样铺层;改进了裂口悬臂梁测试方法的试验夹具,使其简单可靠且易于操作。实验研究了S2/648玻璃纤维增强环氧复合材料多向层间(0/θ)的Ⅲ型分层断裂韧性,结果表明:对所研究的复合材料,其单向层间的Ⅲ型分层断裂有纤维架桥效应,断裂韧性G(ⅢC)先随裂纹扩展线性增加,而后趋于常值;而多向层间(0/θ)的Ⅲ型分层断裂韧性则没有明显的纤维架桥效应,且断裂韧性G 的测试值与层间参数θ没有明显的相关性。 相似文献
513.
514.
515.
516.
517.
518.
卫星采用运载火箭上面级发射入轨期间,经历了由大椭圆轨道至圆轨道的过程,飞行姿态经历了变轨、慢旋、分离后巡航等多个阶段。在太阳翼展开前,卫星要经历比自身变轨更为恶劣的高低温环境及能源紧张等供电风险。在分离时刻的太阳翼碰撞或干涉安全性也需要重点关注和分析。针对北斗三号一箭双星采用上面级直接入轨方式的特点,分析了卫星与上面级间的供电和热设计接口,并从双星分离安全性角度考虑,分析影响卫星与上面级接口安全性的主要要素,并对应用和验证情况进行总结。 相似文献
519.
为了更好地评估碳化硅(Silicon carbide,SiC)MOSFET在功率变换装置中的性能,需要建立精确的SiC MOSFET模型。针对传统的SiC MOSFET的建模方法的不足,在Matlab/Simulink环境中提出了一种基于先进迁移率模型的SiC MOSFET模型。利用Matlab/Simulink强大的数学处理能力和丰富的模块功能,该模型考虑了实际SiC/SiO_2界面特性的影响。利用SiC MOSFET的产品手册中的实测曲线和所搭建的实验电路的测试结果验证了所建立模型的准确性。基于所建立的模型,研究了SiC/SiO_2非常重要的界面参数——界面陷阱电荷对SiC MOSFET温度特性的影响;从模型和实验上对比了SiC MOSFET与Si MOSFET在开关电路中瞬态温度的变化,结果显示碳化硅功率器件具有非常优秀的温度特性。 相似文献
520.
机载航电总线系统发展评述 总被引:11,自引:0,他引:11
简要阐述了机载总线系统的发展和研究状况;并对主要几种总线系统进行了分析和比较;还论述了高速线性令牌总线系统的功能和结构。最后,对发展我国航空电子总线系统提出了某些看法。 相似文献