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171.
在分析雷电电磁脉冲、核电磁脉冲等电磁脉冲(EMP)对地面电子设备可能造成的损害,以及电磁脉冲感应电流在接地体中的散流特性的基础上,给出了简单接地体的冲击接地作用的度量参数和冲击接地电阻的计算方法,并举例求得一个接地体的冲击接地电阻,为实际工程提供理论依据。 相似文献
172.
173.
174.
覆膜陶瓷粉末的选择性激光烧结工艺研究及参数优化 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了选择性激光烧结成形制造过程中激光功率密度、扫描速度、预热温度和激光束扫描间距对烧结成形件致密度的影响,通过正交试验及方差分析,判定了各工艺参数的显著性及其重要性顺序,并给出覆膜陶瓷粉末烧结的最佳工艺参数。 相似文献
175.
高空长航时无人机SINS/CNS组合导航系统仿真研究 总被引:14,自引:0,他引:14
根据高空长航时无人机的特点研究了SINS/CNS组合导航系统并进行了仿真。研究了分段定常系统(PWCS)的可观测性分析方法和基于奇异值分解的系统状态可观测度分析问题,并提出了一种改进的状态可观测度分析方法,在求状态变量的可观测度时,抛开了观测量,只利用可观测矩阵进行分析,然后将该理论应用到SINS/CNS组合导航系统中,证明了其合理性与可行性,进一步根据可观测度分析的结果对系统进行反馈校正,通过仿真结果证明导航精度得到了提高。 相似文献
176.
TSIEN Pei-hsin 《中国航空学报》2006,19(Z1)
The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib–Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic–Ic0 as well as the related changes of the current gain (β) will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic–Ic0 increase; β and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of β are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT’s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phe-nomena were observed: Ic–Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will β in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristics was also discussed. 相似文献
177.
高速铁路隧道初始压缩波一维流动模型的数值分析方法 总被引:2,自引:0,他引:2
基于隧道内空气流通截面是时间和距离的二元函数条件与一维流动理论,提出了高速列车驶入设有缓冲结构隧道端口时产生初始压缩波的数值分析方法。一维流动理论采用考虑摩擦、传热以及空气质交换等因素的一维可压缩非定常不等熵流动模型。数值分析方法采用广义黎曼变量特征线法。与国外有关未设缓冲结构、开孔型与未开孔型缓冲结构的隧道端口三种情况的现车试验结果进行了比较,表明本文所建方法正确、合理,能够模拟计算多种类型缓冲结构条件下的压缩波波动规律。 相似文献
178.
179.
180.