射频辉光放电法沉积类金刚石碳膜

研究了碳氢气体通过射频辉光放电沉积类金刚石碳膜。研究了射频电压和沉积时间对膜厚和维氏显微硬度的影响。此外,还进行了微动磨损试验。本实验所用的碳氢气体为C_2H_2,基体材料为TC4钛合金(Ti-6％Al-4％V)和45钢(Fe-0.45％C)。     

掺氮TiO2光学薄膜的吸光特性研究

TiO2在光催化方面具有较好的应用前景,可望用于有害污染物的降解处理;但由于其禁带宽度对应的激发波长在紫外区,限制了其大规模应用。文章利用操作简便、易于控制的真空阴极电弧离子镀膜技术,制备了非掺氮和掺氮的TiO2薄膜。并分别在300℃和500℃退火后,获得了非晶态向锐钛矿结晶的转变。结果还表明,掺氮TiO2薄膜的相变温度比非掺氮的TiO2薄膜要高,其光吸收区也从紫外区扩展到了可见光区。     

金刚石纳米薄膜法向热导率的分子动力学模拟

结合卫星“微型核”的特点，用分子动力学模拟的方法研究了金刚石晶体的热导率与其厚度和温度的依变关系。采用平衡分子动力学的方法（EMD）模拟了晶向（001）的金刚石纳米薄膜法向热导率；采用非平衡分子动力学（NEMD）方法模拟了晶向（111）的金刚石法向热导率。模拟的结果表明：金刚石纳米薄膜的法向热导率显著小于对应大体积晶体的实验值，并随着厚度的增加而增加；在模拟范围内法向热导率与薄膜厚度呈近似线性关系；薄膜热导率在模拟厚度为2．05334nm时随着温度的增加而增加；在模拟厚度为2．874676nm时，则随着温度的增加而下降。     

柔性热电薄膜器件的研究进展

针对柔性热电薄膜器件的最新研究进展,从柔性基底、热电材料、薄膜沉积工艺、过渡层的引入和器件设计等几个方面归纳总结了在热电器件制作过程中材料和工艺选择方面应注意的问题。对各类柔性热电薄膜器件的性能对比分析表明:目前性能最佳的柔性器件采用的材料是(Bi,Sb)2Te3类合金,其单个热电偶对在1K的温差下可输出0.1~0.3mV的电压;在内阻足够低的条件下,单个热电偶对在1K温差下的输出电压与热电材料的Seebeck系数相等;增加热电薄膜的厚度能够有效地降低热电偶对的内阻,进而提高器件的输出电压。     

MSM结构ZnO紫外探测器的制备及光电性能研究

采用磁控溅射方法,在石英衬底上制备了光电性能优良的ZnO紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜(SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了ZnO紫外探测器的光电特性。结果表明:探测器的光电流高出暗电流近3个数量级,紫外波段的光响应高出可见光波段近2个数量级,所制备ZnO紫外探测器达到了高辐射灵敏度和可见盲特性的要求。     

ITO透明导电膜的制备及性能

研究了用直流反应磁控溅射法在无机玻璃基片上制备ＩＴＯ透明导电膜的工艺;测试了膜的电阻率、对可见光的透射率及对垂直入射微波的反射率和透射率;研究了反应溅射时氧浓度、溅射后退火气氛对电阻率和透光率的影响;ＩＴＯ膜方块电阻对微波反射率和透射率的影响     

混杂组元低频吸波阵列层板复合材料的吸波性能

采用电磁仿真运算的方法设计了方形和十字形混杂组元低频吸波阵列,采用模压工艺制备了基于混杂组元低频吸波阵列的吸波层板复合材料。研究了各单组元阵列本征吸波特性随单元结构变化的规律和混杂组元低频阵列本征吸收带的叠加效应。吸波性能测试结果表明,不同形状阵列单元的混杂可以有效拓宽阵列的本征吸收带宽,方形和十字形混杂组元阵列为双峰吸收阵列,吸收峰频率分别为3.1与4.5 GHz。混杂组元低频阵列的引入可以有效改善层板低频吸波性能,5 mm厚吸波阵列层板的反射率在2~6 GHz范围内-4.7 d B,6~16 GHz范围内-7 d B,阵列吸波层板的宽频吸波性能显著优于传统的阻抗渐变型吸波层板,阵列吸波层板力学性能与树脂基复合材料层板相当。     

全固态薄膜锂电池研究进展和产业化展望

全固态薄膜锂电池利用固态电解质替代传统电解液,采用多层薄膜堆垛的平面结构,属于新一代的锂离子电池,在军民两用的可穿戴设备、便携式移动电源、汽车和航空动力电池等领域应用前景广阔。该类电池因高安全性、长循环寿命、高比容量和高能量密度等优势性能受到业界广泛关注。本文概述薄膜锂电池的分类和充放电原理,总结正负极、电解质薄膜材料的发展历程和薄膜制备手段的改进,对比各类电池材料的电化学性能,引入该方向最新的研究进展:三维薄膜锂电池,可变形的柔性电池,高电压、大容量电池组。汇总国外商用电池产品、关键优势技术、电池制备设备,提出薄膜锂电池亟待解决的科学问题和国内潜在的产业化方向。     

Study on the Microstructure and Dielectric Properties of Barium Strontium Titanate Thin Films Prepared by Sol-gel Method

Sr0.5Ba0.5–xBixTiO3 (BST) thin films were fabricated on a Pt/SiO2/Si substrate by the sol-gel method. Then follows an investigation of the influences of bismuth (Bi) on the microstructures and the dielectric properties of Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3 (BST) thin films. The micro-structures of the BST thin films were examined by the XRD and the TEM techniques. Tetragonal perovskite crystal grains were observed in BST thin films. Increasing Bi3 doping ration in BST will lead to decrease of the grain size. It is found that Bi3 doping decreases the dielectric loss and improves the frequency dispersion of the BST thin films. Not only is compressed the peak of temperature-dependence of dielectric constant of Bi3 -doped BST thin films but also moves into the low-temperature region. Moreover, the average Curie tem-perature decreases gradually with the Bi3 contents increasing.     

材料表面两层薄膜硬度的测试计算

给出了基于纳米硬度试验的二层薄膜的硬度测算方法。首先利用有限元方法探讨了二层薄膜一基体材料系统的硬度随压痕深度变化的规律，进而推导和验证了材料系统硬度一位移曲线的拟合公式，最后给出了以压痕实验为基础的二层薄膜材料硬度的计算公式。