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61.
应用断裂力学理论分析了保证试验对陶瓷试件造成的损伤及其对疲劳强度的影响。保证试验后试件的最低强度可根据材料的亚临界裂纹扩展参量、保证应力和保证试验的卸载速率估算。采用惰性试验环境和高的卸载速率可获得较高的试件最低剩余强度值。 相似文献
62.
断口反推技术在飞机结构损伤容限中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文以某机翼疲劳试验时下壁板油泵口边缘螺栓孔实测裂纹扩展数据为例,对断口反推方法、原理进行了探讨,对其在疲劳损伤容限方面用来确定裂纹扩展周期、裂纹扩展曲线以及确定初始裂纹长度等方面的应用做了进一步深入分析、论证,并提出了自己的见解。 相似文献
63.
材料非线性对复合材料层板损伤的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
许承东 《北京航空航天大学学报》1998,24(5):546-548
根据Hahn-Tsai非线性应力应变关系,用有限元方法对受拉伸载荷作用的含孔复合材料层板损伤演变进行了模拟计算,由非线性有限元方法得到的应力、应变以及最终载荷与以往线性分析方法得到的结果比较表明:考虑材料非线性可以提高计算精度;参数研究表明非线性系数的变化对正交各向异性板的影响较大,而对准各向同性板的影响较少. 相似文献
64.
65.
为研究飞机机身7050铝合金孔构件挤压强化后的疲劳增益,采用数值模拟与试验研究相结合的方法,对孔构件的挤压强化过程、疲劳加载过程、疲劳裂纹萌生和裂纹扩展过程进行研究。通过数值模拟探究了孔构件在不同状态下危险截面的应力分布和对应的疲劳行为,分析了残余应力场对疲劳性能的影响,探讨了残余应力与疲劳裂纹萌生和裂纹扩展的内在联系,建立了孔构件挤压强化疲劳寿命数值预测模型。结果表明:孔挤压强化引入的残余压应力可以减小孔构件在受载时孔壁最大拉应力,改变疲劳裂纹的萌生位置,抑制疲劳裂纹萌生和裂纹扩展,提高7050铝合金孔构件疲劳寿命近2倍,疲劳寿命数值预测模型误差在12%以内。 相似文献
蒙特卡罗方法可以准确评估复杂机械系统疲劳共因失效概率,但效率偏低,因此提出系统PSN曲线的概念和基于此概念的系统可靠度蒙特卡罗评估方法。在给定的恒幅载荷下,基于同一零件的疲劳寿命在不同应力水平下的概率分位点具有一致性的原则,对系统中零件PSN曲线进行随机抽取;根据线性累积损伤法则和相应的系统可靠度模型,得到齿轮传动的恒幅载荷下的疲劳寿命分布,拟合恒幅载荷与寿命分布之间的关系得到系统PSN曲线。将系统视为一个零件,完成"零件"-"系统"-"零件"的寿命分析过程。通过损伤等效原则,将随机载荷下的复杂串联系统可靠度评估问题转化为恒幅载荷下零件的可靠度评估问题。 相似文献
67.
基于主动热载荷管理技术的涡轮盘疲劳寿命 总被引:1,自引:1,他引:0
为降低航空发动机涡轮盘失效风险并提高使用寿命,将主动热载荷管理技术应用于预置裂纹的涡轮盘模型,采用通用权函数法计算裂纹应力强度因子进而分析轮盘寿命,研究经主动热载荷管理的轮盘上能量分布对轮盘寿命的影响,探索轮盘上热边界载荷与寿命的关联性和变化规律,并通过有限元仿真模拟初步分析其作用机理。结果表明:主动热载荷管理技术通过优化轮盘的温度分布,可以有效地降低裂纹附近的应力,延缓裂纹的扩展,显著的提高寿命和安全性,当热边界载荷系数分别取0.05和0.10时,轮盘相应的寿命分别增加12.2%和26.1%。 相似文献
68.
轴电压对电机轴承的破坏,引起了国内外许多电蚀事故,并造成船舶严重的设备损伤和船东的经济损失。通过研究不同参数类型船用电机的轴电压问题,介绍了轴电压产生原因、测量方法,实测装配不同类型轴承电机的轴电压,并提供了预防轴电压的实用方法。这有利于减少和避免轴电压产生所带来的机损危害。 相似文献
69.
研究了无缺口、打伤缺口和3种抛修缺口对TC17钛合金叶片振动疲劳性能的影响。结果表明,无缺口模拟叶片的疲劳寿命最长且寿命分散性最小,打伤缺口模拟叶片的疲劳寿命最短且寿命分散性最大,3种抛修缺口模拟叶片的疲劳寿命介于前两者之间,其中抛修缺口Ⅰ模拟叶片的疲劳寿命最长。无缺口和抛修缺口模拟叶片的疲劳裂纹均起源于叶片根部,打伤缺口模拟叶片的裂纹产生于缺口底部,与有限元模拟计算的最大应力位置吻合。模拟叶片的疲劳断裂区比较平坦,呈半椭圆形貌,疲劳源区主要位于模拟叶片表面的微小损伤处,疲劳扩展区具有典型的疲劳弧线特征,并呈现沿α/β片状组织界面开裂的特征。 相似文献
70.
利用wx AMPS软件构建了高效Ga In P/Ga As/Ge太阳电池的中电池模型,并对电池抗辐照性能进行模拟研究。模拟发现,当辐照缺陷密度较小时,缺陷对中电池的电性能影响较小;当缺陷密度较大时,电性能的下降与电子注量值的对数成正比。计算电池的I-V和量子效率谱(QE曲线)可知,电池电性能的下降直接对应于量子效率的下降、饱和暗电流的增强以及并联电阻的衰降。模拟结果与试验结果的对比显示,在各子电池均匀损伤的假定下,1 Me V电子辐照的缺陷引入率约为0.81。 相似文献