转子-滚动轴承试验器有限元建模及实验验证

针对自行研制的转子-滚动轴承试验器,在Pro/E中建立了单盘转子的三维实体模型。通过Pro/E与ANSYS的无缝连接技术,在ANSYS中得到单盘转子的三维有限元模型,采用Sol-id185实体单元进行网格划分并采用Subspace法得到了前4阶固有频率和振型。利用锤击法对转子试验器进行了实验模态分析,并与ANSYS模态分析结果进行了对比。结果表明,基于ANSYS的计算模态和实验模态达到了很好的一致性。同时,利用ANSYS分析了陀螺力矩对临界转速的影响。最后,利用修改后的有限元模型仿真计算了不平衡动力响应,与相同条件下的实验结果比较表明,所建立的有限元模型能够准确模拟实际转子-滚动轴承试验器的动力学行为。     

螺旋锥齿轮齿面误差分析与自动反馈修正

基于齿面检测信息,识别并分析了齿面误差及其影响因素,推导出了机床运动参数与齿面误差的映射关系;开发了齿面误差自动识别系统来自动确定误差类型及机床运动参数修正项;建立了四轴联动数控铣齿机运动修正模型,通过数值优化计算实现了机床运动参数的自动修正,并经由测量加工网络完成了修正参数至数控机床的自动反馈.实验及应用表明,通过齿...     

涡喷发动机加速控制系统数学模型及数字仿真

 本文介绍了航空涡轮喷气发动机加速控制系统数学模型建立、数字仿真方法。由于加速过程是一个大偏离动态过程,因而发动机与加速控制器模型均用非线性方程描述,对非线性方程组求解和系统迭代方法本文进行了讨论。算例中分析了在不同飞行条件下发动机的加速规律。     

分组码在有记忆删除信道上的性能计算

 本文首先描述了一种有记忆删除信道模型,然后提出了分组码在该信道上的性能的迭代算法。最后以Golay(23,12,7)码为例给出了多种信道参数之下的性能曲线。     

氢气泡网格图像测速法—瞬态二维速度场测量

本文介绍一种二维瞬态多点流场测量方法－网格图像测速法。运用数字图像处理技术由氢气泡时间－染色线流动显示图像自动生成网格图像，网格图像的网格结点为氢气泡块角点的拟合点，由网格结点的位移确定流场速度。     

2024铝合金新人工时效制度的探讨

为缩短2024铝合金的自然时效时间,本文通过对2024铝合金导电率和硬度实验研究以及对它的时效机理的分析,初步确定了2024铝合金的一种新的时效时间较短的人工时效制度.这种新时效制度为:时效温度45±5.5℃,时效时间12h.在飞机结构维修中,这种新人工时效制度对于缩短飞机维修停场时间具有重要作用.     

冲击体质量和冲击高度对里氏硬度测量值影响的分析

利用正交试验的方法分析了冲击体质量和冲击高度对里氏硬度测量值的影响,同时给出了一个两因素水平的可允许变动范围.     

某型飞机起落架舱门数字可视化装配系统的设计研究

提出一种飞机数字可视化装配的设计方法和实现原理。在CATIA数字模型基础上,运用MAYA实行动画及渲染,以VisualC 为平台建立数字化装配的整体框架,用C 语言引入装配相关零件的各种信息,通过对这些信息的处理实现虚拟环境下飞机舱门的数字化装配。     

无轴承开关磁阻电机控制系统的设计与实现

介绍了无轴承开关磁阻电机的绕组结构和悬浮力原理,简要推导了数学模型。结合数学模型的复杂性详细分析了控制策略,根据控制策略设计了基于TMS320LF2407A的高速DSP芯片为核心控制器件的数模混合控制电路。样机实验结果不仅验证了理论分析的正确性,也表明了所设计控制电路的有效性和可靠性。     

Effects of the Fabrication Processes of NC-Si:H Films on Their Mechanical Properties

Studies of nanoindentation were performed on nc-Si:H films to evaluate the effects of the fabrication processes on their mechani-cal properties. It is observed that with the decrease of the SiH4 contents, the grain size of the films increases gradually, and as does the crystalline volume fraction. The smaller the grains become, the more homogeneous the films, and the more even the hardness as well as the modulus will be. The hardness and the modulus will increase with the substrate’s temperature rising. The hardness and the modulus of the nc-Si:H films on the Si substrate prove to be higher than those on the glass substrate given the same technology parameters. How-ever, the films on the glass substrate appear to be more homogeneous.