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102.
在分析雷电电磁脉冲、核电磁脉冲等电磁脉冲(EMP)对地面电子设备可能造成的损害,以及电磁脉冲感应电流在接地体中的散流特性的基础上,给出了简单接地体的冲击接地作用的度量参数和冲击接地电阻的计算方法,并举例求得一个接地体的冲击接地电阻,为实际工程提供理论依据。 相似文献
103.
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采用高速摄像技术可视化观察5 μl小液滴在铜、铝和不锈钢表面上的蒸发与核化过程,板温50~112℃.实验测量了液滴高度、湿润半径和接触角随时间的动态演化.板温低于100℃时蒸发处于自由界面蒸发模态,过程可分为两阶段,第一阶段液滴高度和接触角连续降低,湿润半径仅比初始值略有降低;第二阶段后退角恒定,湿润半径迅速降低至零.板温高于100℃时处于核态沸腾模态,液滴内部核化及气泡动力学过程强烈依赖壁面过热度.自由界面蒸发模态和核态沸腾模态,壁面平均热流与壁温均呈线性关系,斜率的不同反映两种模态换热机制的差别. 相似文献
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106.
TSIEN Pei-hsin 《中国航空学报》2006,19(Z1)
The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib–Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic–Ic0 as well as the related changes of the current gain (β) will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic–Ic0 increase; β and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of β are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT’s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phe-nomena were observed: Ic–Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will β in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristics was also discussed. 相似文献
107.
高速铁路隧道初始压缩波一维流动模型的数值分析方法 总被引:2,自引:0,他引:2
基于隧道内空气流通截面是时间和距离的二元函数条件与一维流动理论,提出了高速列车驶入设有缓冲结构隧道端口时产生初始压缩波的数值分析方法。一维流动理论采用考虑摩擦、传热以及空气质交换等因素的一维可压缩非定常不等熵流动模型。数值分析方法采用广义黎曼变量特征线法。与国外有关未设缓冲结构、开孔型与未开孔型缓冲结构的隧道端口三种情况的现车试验结果进行了比较,表明本文所建方法正确、合理,能够模拟计算多种类型缓冲结构条件下的压缩波波动规律。 相似文献
108.
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