高温耐热合金 GH169 的深小孔钻削加工性

研究了高速钢麻花钻头、硬质合金钻头和电沉积ＣＢＮ高速钢钻头钻削高温耐热合金ＧＨ１６９,其横刃部分采用“Ｓ”型的修磨结构时钻削深小孔的性能,并优化了钻头横刃的修磨等几何参数和切削参数。实验表明：采用硬质合金钻头或电沉积ＣＢＮ钻头钻削高温耐热合金ＧＨ１６９是切实可行的。而且改善了加工条件,提高了加工质量和生产效率。     

ZrC 粉体制备的研究进展

ZrC作为一种先进的高温结构陶瓷材料,在航空航天、清洁能源(第四代核技术)等领域具有广泛的应用。本文主要综述了ZrC粉体的制备技术,主要有直接合成法、机械合金化法、自蔓延高温合成法、碳热还原法、溶胶-凝胶法、液相前驱体法、激光气相反应法和高频等离子体法等,详细分析了各制备技术的特点。     

一种考虑温度影响的SiC JFET的数据驱动模型

提出了基于数据驱动建模思想建立考虑温度影响的常断型SiC JFET器件模型的方法,解决了目前物理建模方法应用于功率半导体器件建模过程中器件自身结构、材料等参数获取困难的问题。根据常断型SiC JFET器件手册的图表信息并结合部分实测数据,在Saber软件中建立其热电耦合模型。通过对其静态特性和动态特性的仿真和实验研究,验证了考虑温度影响的常断型SiC JFET数据驱动模型的准确性。该数据驱动建模方法可以推广应用于其他功率半导体器件如功率SiC MOSFETs和GaN FETs等的建模。     

镀钛金刚石钎焊界面微区结构分析

采用Ag-Cu-Ti合金粉末在加热温度920 ℃保温时间8 min条件下真空钎焊镀钛金刚石,运用X射线衍射仪、扫描电镜、能谱仪综合分析界面微观结构、元素分布特征及新生物相形貌。结果表明,镀钛金刚石镀层并不是单一钛的附着层,而是薄层TiC。钎焊过程中,镀钛金刚石磨粒与Ag-Cu-Ti钎料结合界面出现显微组织分层现象,原镀层与 新生层厚度分别约为0.8 μm和5 μm。新生化合物在镀层表面呈短针状致密生长且有序连成片状,在镀层破损处有长约4 μm,宽约1.5 μm针状物,而在破损边缘处碳化物呈棒状背离镀层侧向生长。原子扩散动力学分析显示镀层晶体结构会限制游离C原子的无规则运动,使得新生TiC均匀分散形核并长大。     

纤维增强整体叶环/盘强度问题分析

为了尽可能全面剖析纤维增强整体叶环(简称叶环)的优点和结构强度问题,明确纤维增强叶环转子强度优化问题及加工制造要求,利用ANSYS有限元软件,在分析典型纤维增强叶环和特殊纤维增强整体叶盘(简称叶盘)结构的受力特性基础上,结合前期对纤维增强叶环/盘特性的认识了解,提出了纤维增强叶环/盘结构在设计使用中出现的减质、寿命、刚度和热变形不协调等结构强度问题,并分析了这些问题产生的机理,可供纤维增强转子结构设计、加工、试验和检查时参考。     

Luminescent Nanocrystalline Silicon Carbide Thin Film Deposited by Helicon Wave Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

Hydrogenated nanocrystalline silicon carbide (SiC) thin films were deposited on the single-crystal silicon substrate using the heli-con wave plasma enhanced chemical vapor deposition (HW-PECVD) technique. The influences of magnetic field and hydrogen dilution ratio on the structures of SiC thin film were investigated with the atomic force microscopy (AFM), the Fourier transform infrared ab-sorption (FTIR) and the transmission electron microscopy (TEM). The results indicate that the high plasma activity of the helicon wave mode proves to be a key factor to grow crystalline SiC thin films at a relative low substrate temperature. Also, the decrease in the grain sizes from the level of microcrystalline to that of nanocrystalline can be achieved by increasing the hydrogen dilution ratios. Transmis-sion electron microscopy measurements reveal that the size of most nanocrystals in the film deposited under the higher hydrogen dilution ratios is smaller than the doubled Bohr radius of 3C-SiC (approximately 5.4 nm), and the light emission measurements also show a strong blue photoluminescence at the room temperature, which is considered to be caused by the quantum confinement effect of small-sized SiC nanocrystals.     

Design and Coupled Thermo-Mechanical Analysis of Silicon Carbide Primary Mirror Assembly

Based on the principle that the thermal expansion coefficient of the support structure should match that of the mirror, three schemes of primary mirror assembly were designed. Of them, the first is fused silica mirror plus 4J32 flexible support plus ZTC4 support back plate, the second K9 mirror plus 4J45 flexible support plus ZTC4 support back plate, and the third SiC mirror plus SiC rigid support back plate. A coupled thermo-mechanical analysis of the three primary mirror assemblies was made with finite element method. The results show that the SiC assembly is the best of all schemes in terms of their combination properties due to its elimination of the thermal expansion mismatch between the materials. The analytical results on the cryogenic property of the SiC primary mirror assembly show a higher surface finish of the SiC mirror even under the cryogenic condition.     

碳化硅基直流固态断路器短路保护方法

碳化硅器件比硅器件具有更低的导通电阻,用其制作直流固态断路器可以大大降低其通态损耗,减轻散热压力。然而相比于硅器件,由于碳化硅器件管芯面积小,电流密度大,其短路能力相对较弱,短路保护要求更高。为确保碳化硅器件安全可靠工作,提高碳化硅基直流固态断路器的可靠性,对比分析了硅基与碳化硅基MOSFET的短路能力,揭示了其器件恶化机理,研究了栅源极电压箝位方法,并结合去饱和检测,提出了一种基于源极寄生电感的"软关断"短路保护方法,制作了直流固态断路器样机进行实验验证。实验结果表明,所提方法可以降低功率器件的关断电压应力、抑制短路电流,适合碳化硅基直流固态断路器短路保护。     

一锅法合成SiC-ZrC复相陶瓷前驱体及其性能

以甲基三氯硅烷、二氯二甲基硅烷、二氯二茂锆以及金属钠为原料,通过一锅反应合成出一种全新的SiC-ZrC复相陶瓷前驱体(HBZS)。利用TG、FTIR、XRD及SEM等对HBZS的热解行为、分子结构以及热解产物的微观形貌与结构进行了全面分析。结果表明:HBZS在900℃时可以完全裂解转化成SiC-ZrC复相陶瓷,陶瓷收率可达60%以上;裂解产物中ZrC相晶粒尺寸极小(10～45 nm)且均匀分散于连续的SiC相中。该前驱体可用于制备SiC-ZrC陶瓷纤维及陶瓷基复合材料。     

直升机起落架轮轴碳化钨磨削工艺研究

直升机起落架轮轴表面喷涂碳化钨涂层后可提高轮轴的耐磨性和耐腐蚀性,但是受超声速火焰喷涂工艺方法的限制,喷涂碳化钨的轮轴必须通过磨削工艺保证表面质量和尺寸精度,然而轮轴的弱加工刚性和涂层的高耐磨性导致磨削过程中易产生让刀、颤刀等现象,造成零件磨削质量不合格。首先采用正交试验法研究四种精磨工艺参数对于磨削表面粗糙度的影响;然后研究装夹工具和磨削策略对于零件圆柱度的影响;最后加工并收集15 件轮轴的各段外圆尺寸并计算其过程能力指数。结果表明：选择高砂轮线速度、小切深以及适中的砂轮轴向进给速度与工件线速度可以获得粗糙度为0.4 μm 的零件表面,增加装夹工具的夹持长度和刚性并采用“粗磨—精磨—光磨”策略可保证零件外圆的圆柱度不大于0.01 mm。轮轴过程能力指数的计算结果不小于1.33,验证了整个磨削工艺的可靠性与稳定性。