压缩拐角区的压力,热流工程计算方法

 <正> 引言 从压缩拐角分离流动的试验及数值计算出发,建立起一个实用范围较广精度较高的工程估算程序,方便快速地估算出压缩拐角分离区和再附区的峰值压力、峰值热流;分离区和再附点位置;分离区长度等。这是气动设计部门关注的课题。这些工作是在文献(3,4)中的经验公式的基础上,按照分离流动流谱,分区进行迭代修正计算,对二维情况给出了完整     

用边界元法研究非保守力系下杆的稳定性

 本文采用边界元法,研究了完全弹性支持杆,在均布的和集中的跟随压力作用下的稳定性,给出了结构失稳的临界载荷和两种失稳形式（颤振失稳和发散失稳）的转变随边界条件变化的一般规律,以及加载方式（载荷分布情况）对临界载荷和失稳形式的影响,说明了边界元法对解决非保守稳定问题的有效性。     

应用LDV研究二元管道内分离流动

应用二维激光多普勒仪测量了二元曲壁非对称扩张通道内的湍流附面层分离流动。得到了时均速度、雷诺应力、平均流动方向角及正反向间歇流动因子的分布。文中给出了所测结果的不确定度,并在激光测速的近壁测量上做了尝试。实验结果分析表明:间歇瞬时分离点对应于附面层内垂直压强梯度的最大值;Schofield的速度尺度和长度尺度可用于形成新的速度相似型;正反向间歇流动因子γpuo与平均流动方向角存在着简单的线性关系。     

绕扁长椭球体三维分离的积分法

本文利用三维积分边界层法并结合流线法决定涡层型流动分离。由三维不可压湍流边界层方程求得边界层参数后,按流线法计算粘性流线。作为算例,研究了一带迎角的扁长椭球体在不可压缩湍流里的绕流,经与水洞里所观察到的α=15°流型的对比,二者基本一致。     

MEMS惯性器件低应力封装过渡层研究

封装应力是影响MEMS惯性器件输出性能的主要因素之一，封装应力是由于封装过程中封装对象间材料热特性不匹配所引起的。封装应力除了受封装对象本身的材料性能影响外，还与芯片及基底间的过渡层形式有关。不同的过渡层形式不仅会影响封装应力的峰值，还会对应力的分布情况产生影响。为了研究不同形式的过渡层对三层结构MEMS惯性器件芯片封装应力的影响，首先利用COMSOL有限元仿真分析软件简要地分析了不同材料参数对封装应力的影响，并进一步研究了常见封装形式以及不同封装结构的应力分布规律。结果表明，不同的粘接材料、封装形式和封装结构都会引起封装应力的变化。     

二维平行剪切层声波产生和辐射的数值模拟

 在二维线化Euler 方程的基础上解决了第3 届计算气动声学专题讨论会的第5 类标准问题: 二维平行剪切层声波的产生和辐射。频散相关保持有限差分格式用于空间离散, 低频散低耗散的龙格库塔法用于时间积分。重点使用了远场无反射边界条件。计算结果与NASA GLENN 研究中心的解析解符合得很好。     

马赫数对后掠激波和湍流边界层干扰特性的影响

本文介绍了尖前缘翼诱导激波和湍流边界层干扰流场壁面特性，着重强调马赫数影响。给出２．０≤Ｍ≤８．２、ａ≤３５°分离流场中，锥型干扰区内主分离线和再附线位置与无粘激波角β０和迎角ａ的相关式，证实无粘条件是控制锥型区尺度的主要因素，面高超声速与超声速干扰流中二次分离随激波强度的不同发展，表明干扰流场的细致结构与可压缩性有关。     

绕凸台的高超声速分离流动研究

本文研究高超声速流动绕三维低凸台的流动特性。凸台高度与边界层厚度之比介于0.5～0.8,凸台周边倾角介于14°～45°。在高超声速风洞中,来流马赫数为5,单位雷诺数为2.6～6.0×10~7/米。实验过程中测量了模型中心线及特殊部位之表面压强分布,根据纹影记录及表面流动显示确定激波与边界层干扰流场特性及分离区的变化。发现分离区在中心线上距凸台最远,而在凸台肩部距周边沿法线方向最近,确定了中心线上最大压强比的位置。     

高超声速进气道内激波－边界层干扰研究

为了研究高超声速进气道内激波干扰和流场结构，对一个二维进气道模型在中国空气动力研究与发展中心超高速所风洞流场中进行了实验（Ｍ＿∞＝５．０，Ｒｅ＿∞＝７．５×１０￣６ｍ￣（－１））。采用纹影方法，结合压力测量对进气道内流结构进行诊断，同时用Ｙｅｅ的ＴＶＤ有限差分格式通过求解二维Ｎ─Ｓ方程对相应实验状态下的进气道内流场进行了数值模拟。风洞实验与数值模拟取得了较好的一致。进一步的分析还表明高超声速进气道内的激波─边界层干扰对进气道性能有很大的影响。     

高强铝合金晶界偏析与氢致断裂机理的研究

提出了一个三元合金晶界偏析与沿晶断裂模型，并将该模型与准化学理论相结合，研究了高强铝合金Mg、H晶界偏析对沿晶断裂功的影响。结果表明，Mg、H偏析均使沿晶断裂功下降，且H比Mg脆化晶界严重。这与7075铝合金的应力腐蚀实验结果相一致。