短纤维增强铝硅合金中共晶硅形貌的SEM观察

利用挤压铸造制备了氧化铝短纤维增强铝硅合金复合材料，在sEM上观察了复合材料中的共晶硅形貌。结果表明，复合材料中的氧化铝短纤维可作为硅相非自发形核的衬底，并且在铝硅共晶体的共生生长过程中，可触发孪晶，导致纤维附近的共晶硅呈变质形态。     

高温变形参数对TC6钛合金微观组织的影响研究

在热模拟实验和金相实验的基础上,研究了变形参数(变形温度、应变速率、变形程度)对TC6钛合金微观组织的影响。研究结果表明:变形温度对TC6钛合金的变形组织有着显著影响。在两相区,随着变形温度的升高,组织中初生相的含量在减少,而相晶粒的尺寸有先增大后减小的趋势。应变速率对TC6钛合金变形组织中初生相的形态和尺寸有较大影响。较大的应变速率能促进变形时的动态再结晶,有利于晶粒的细化。变形程度存在着一临界值,当超过这一临界值后,变形程度的增加有利于晶粒的细化。     

一种变应变速率组合的TiAl合金细晶方法探讨

提出了一种先低后高的变应变速率组合等温压缩细晶方法,通过两次连续变形,得到70%以上变形量而不产生裂纹,获得了良好的细晶效果。流变应力曲线出现明显的动态软化现象,其机制为动态再结晶;在采用低应变速率进行第一次变形后,由于动态再结晶的发生,使第二次高应变速率变形时,应力降低并且可以获得较大变形量,晶粒细化充分;在两次变形之间增加保温处理,可以使细小动态再结晶晶粒得到静态球化,使细晶程度提高。     

热处理对BT36高温钛合金组织及性能的影响

BT36是俄罗斯研制的一种600℃高温钛合金,该合金的特点之一是含5%左右的W。本文采用BT36轧棒(20mm)研究了5种不同的热处理制度,进行了金相组织分析和性能测试(包括拉伸、蠕变、热稳定性等)。结果表明,获得片层组织是提高合金600℃持久及蠕变性能的关键,而且需要依靠适当的热处理工艺控制片层的厚度及形貌。BT36棒材通过5重热处理(995℃ 0.5h,AC+970℃ 2h,FC→700℃ 2h,AC+500℃ 15h,AC+650℃ 6h,AC)可获得较好的综合性能。     

铝合金反重力铸造充型过程数值模拟

介绍了反重力铸造(CGC)技术,分析了CGC条件下合金液充填铸型过程数值模拟的数学模型,利用建立的数学模型进行了反重力铸件充填过程模拟,并进行叶轮铸件研制和模拟结果的对比分析.     

GH4133B合金精化模锻件的性能及工艺控制

叙述了现行工艺模锻的GH4133B合金精化模锻件的性能和组织特点;叙述了直接时效、添加预备热处理精化模锻件的性能和组织特点.叙述了标准热处理固溶加热温度与精化模锻件组织和性能的关系.     

TC4的铣削加工中铣削力和刀具磨损研究

通过TC4铣削加工时的铣削力试验,研究了干切削时和有氮气介质铣削时影响铣削力大小的几个因素,为提高金属去除率优化了切削参数。同时通过刀具磨损试验,对上述两种铣削方式,比较了在不同的切削速度下铣削时铣刀后刀面的磨损,证实了以氮气为切削介质能够大大地改善刀具的磨损状况和提高刀具的寿命。     

含SMA纤维的复合材料层合板的应力集中实验与分析

 由于具有形状记忆效应, 埋入复合材料层合板中的形状记忆合金纤维, 相变后将产生很大的回复应力, 不仅改善了整个承载结构的机械性能, 而且改变了危险区域的应力分布, 降低了应力集中程度。针对带孔的复合材料层合板, 通过拉伸实验及测定应力集中因子, 说明形状记忆合金纤维对于承载复合材料构件孔边附近区域的应力集中有很好的抑制作用, 孔边应力集中因子最大可降低9%。     

Ni基合金与γ-TiAl基合金的固态连接规律研究

通过对Ni基合金进行激光熔覆γ-TiAl基合金涂层处理,对γ-TiAl基合金进行激光表面熔凝处理,提出了一种采用激光表面改性技术和超塑扩散连接相结合的Ni基合金/γ-TiAl基合金连接新技术。研究了合金激光改性层的显微组织特征,探讨了Ni基合金/γ-TiAl基合金固态扩散连接的规律。结果表明:激光表面改性技术提高了Ni基合金/γ-TiAl基合金的连接质量,合金通过激光表面改性处理后,采用连接温度850℃、连接压力60MPa、连接时间1h的连接条件及900℃保温0.5h连接后续热处理,实现了Ni基合金/γ-TiAl基合金的连接。     

钇对Ti-Ti5Si3共晶合金微观组织和力学性能的影响

研究了稀土元素钇（Y）对Ti-Ti5Si3共晶合金的微合金化作用。微观组织分析表明,添加微量Y,可以改变原始钛硅合金的共晶团形态和组织形貌。适量Y的加入（原子比0．025％）,不仅使共晶团中粗大的Ti5Si3相颗粒明显细化和钝化,而且合金的微观组织也更加均匀。合金的室温压缩塑性和强度也得到了有效提高。稀土元素Y对钛硅合金的作用,很可能是因为Y原子替代了Ti5Si3相中的部分Si原子,形成硅化物Ti5（Si,Y）3所致。