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521.
在分析霍尔推力器点火启动过程中电源侧脉冲电流形成机理的基础上,通过解析分析和变参数试验的方法研究了外回路参数与电源侧脉冲电流峰值之间的规律。研究结果表明,随着外回路电容和电感的增大,电源脉冲点火电流峰值减小,根据理论推导得到的霍尔推力器点火启动过程电源脉冲电流峰值函数,分析了外回路电感、电容参数对点火脉冲电流的影响,给出了给定电感值下电感线圈匝数、磁环导磁截面积、磁芯材料BH曲线的要求,为霍尔推力器放电外回路的参数设计提供理论参考。 相似文献
522.
李文然 《中国空间科学技术》2016,36(4):81
随着大功率空间低温斯特林制冷机的出现,制冷控制器仍采用传统缓启动和LC储能滤波串联抑制电路会产生不平稳/大超调的启动电流,造成制冷机控制器过流保护并对卫星电源及其他设备造成可能的浪涌破坏。在不增加元器件的情况下,提出一种具有启动电流反馈功能的缓启动和LC储能滤波电路配合方式。首先通过采用非线性器件MOSFET的低频微变等效模型对新旧配合电路进行了数学建模。之后针对小电感小电容和大电感大电容两种应用模式下的数学模型进行了简化和分析,在小电感小电容模式下新旧配合电路均可简化为无超调的一阶系统,在大电感大电容模式下传统配合电路为具有振荡特性的二阶系统,而新的配合电路仍为一阶系统,可以满足大电感大电容模式下启动电流无超调要求。最后通过Multisim仿真对比分析和实际试验证明了新的配合电路的合理性和有效性,试验表明启动电流均匀平稳无超调,启动电流峰值抑制约50%。 相似文献
523.
对电路进行计算机辅助分析和设计,其基础是根据电路元件的模型,编制程序输入计算机进行运算。晶闸管是功率电子电路中的主要器件,所以在进行功率电子电路的计算机辅助分析和设计时,必须建立晶闸管的模型。在众多的模型中,不是简单粗糙,就是网络太大,需要在大型计算机上计算。考虑到一个晶闸管可以看成由两个三极管组合而成,而一般通用电路分析程序都含有三极管模型,所以可用电路分析程序对含有晶闸管的功率电子电路进行计算机辅助分析,且可在PC机上进行。 模型的主要参数可根据晶闸管的主要参数求出,本文对Hu—Ki模型提出的计算公式进行了初步论证。利用得到的模型,在IBM—PC上进行仿真分析,结果与试验结果基本一致。 相似文献
524.
525.
针对模拟电路的故障诊断和定位问题,提出了一种改进支持向量机(suppon Vector Machine,SVM)故障诊断方法。通过在标准SVM中加入了对数据流形局部分布的约束,设计了一种依赖于数据分布的新型SVM。相对于标准SVM方法而言,新方法有效融合了数据分布的先验信息,提高了模型的诊断精度。将其用于模拟电路的故障诊断,验证了所提方法的有效性。 相似文献
526.
527.
528.
本文开展了对CMV4000传感器国产化替代的研究工作以及芯片验证平台设计工作,替代芯片为上海集成电路生产的ASG043传感器芯片。本文首先通过元器件手册信息,从硬件电路和FPGA软件设计两个角度开展替代工作的研究。然后在搭载ASG043图像传感器的星敏感器上对电源以及图像传感器驱动代码进行设计修改,以满足国产ASG043传感器的供电,时序,训练等要求,ASG043成功运行后,对比替代前后黑白图及采集星点图像。由对比结果可知其成像效果与进口探测器相当,可在不更改印制板的条件下原位置替代CMV4000图像传感器。 相似文献
529.
接口阻抗测试是航天产品中对产品状态是否正常来进行判断的常用方法。在航天产品应用中,通常认为接口芯片阻抗测试异常即代表该接口芯片已经失效。本文针对一种LVDS接口发送芯片由静电导致阻抗测试异常,但功能正常的现象进行分析。在元器件失效分析的基础上,定位静电损伤的位置为芯片内部静电防护电路,从而建立了对应的电路模型,对芯片静电损伤的现象进行理论分析。分析说明:该芯片在被静电打击时,其静电防护电路中一个NMOS管受损,但该电路保护了芯片的功能电路,被击穿的NMOS管等效为一个电阻,因此导致阻抗测试异常,但芯片功能电路未受损的现象,为静电软击穿现象。且可认为该芯片在受静电影响后并未失效,相关电路仍具有正常工作的能力。即阻抗异常现象并不是芯片失效的充分条件。 相似文献
530.