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41.
李俊  何婕 《导航与控制》2010,9(4):53-57
近几年,激光陀螺在产品数字化、小型化方面有较好的发展,为其在军用领域和商用领域广泛应用打下坚实基础。纵观国内外发展情况,激光陀螺产品小型化发展进程,主要体现在其电路系统方面的改进。电路系统的发展主要经历了四个阶段:分立元件组成的控制系统,单片机构成的分立控制系统,高性能芯片构成的集成控制系统,单片集成的片上系统。在集成电路和数字处理技术发展的前提下,激光陀螺电路系统的研究也在逐步深入。本文揭示了激光陀螺电路系统的发展方向,这对国内激光陀螺产品的发展有着重要的参考意义,有助于推动激光陀螺数字化、小型化的发展。  相似文献   
42.
多管理域合作检测DDoS攻击的一个方法   总被引:3,自引:0,他引:3  
为有效地防御分布式拒绝服务 DDoS(Distributed Denial of Service) 的 攻击,提出了基于多域间入侵检测系统 IDSs(Intrusion Detection Systems) 合作的攻击检测模型.围绕重要网络资源,构建了以〈路由器,IDS〉对为基础的闭合的IDS 合作环,通过环上节点间信息共享和合作组内的警报关联分析,能够在DDoS攻击数据包汇聚成致命攻击流之前捕获攻击特征并采取相关措施.提出了合作环组织方式、共享信息交换方式、警报关联算法以及各节点系统逻辑结构.利用原型多域合作入侵检测 MDCI(Multiple Domains Cooperative Intrusion-detection)系统实施了DDoS攻击实验,针对实验数据分析可以看出,合作环模型有效地提高了IDS系统对DDoS攻击的预警速度.   相似文献   
43.
激光捷联惯导系统角增量输入姿态算法   总被引:2,自引:1,他引:2  
在对经典理想角增量输入的圆锥算法分析总结基础上,提出并推导了更为合适的经典角增量输入圆锥算法通式.在对经典理想角增量与实际工程滤波角增量的圆锥响应对比分析基础上,推导了滤波角增量输入圆锥补偿算法的补偿系数和误差主项通式.最后,利用文中讨论的理想角增量输入和滤波角增量输入圆锥补偿算法,结合激光陀螺惯性导航系统的频谱特性进行了大量的仿真验证.仿真结果表明,文中讨论的角增量圆锥算法有效,能显著提高激光陀螺捷联惯性导航系统的姿态精度.  相似文献   
44.
随着航电系统的发展,传统的通信网络传输速率已经不能满足发展需要,因此,FC协议作为新一代的高性能网络通信协议被引入到航电系统中.如何基于FC协议设计出满足航电系统应用需求的通信网络成为FC技术研究的关键.本文介绍了一种面向航电系统应用的基于FC通信协议的双余度环网的设计与实现方案,着重从软硬件两个方面对系统的容错设计给出了说明,最后对系统的容错能力进行了全面的验证.  相似文献   
45.
某型飞机起落架作动筒发生漏油故障,分解后发现作动筒橡胶密封圈断裂,直接影响了飞行安全。通过对断裂的密封圈断口及表面进行观察和硬度测定,分析密封圈的失效性质及断裂产生的原因,确定了橡胶密封圈失效模式,并提出了纠正措施。  相似文献   
46.
根据飞机液压系统橡胶密封圈使用中易出现老化,引起串油、串气等故障问题,结合某机型试验提出新材料密封圈改进方案,以满足系统的高温及动密封性使用要求。试验结果表明,新材料密封圈适合高温、动密封部位的使用,可以替代丁腈试5171橡胶密封圈,应用于液压系统,提高系统性能。  相似文献   
47.
选用两种不同降温方式探究压制成型工艺对球阀阀座用聚三氟氯乙烯(PCTFE)密封环密封性能的影响。低温试验结果表明,自然降温工艺成型的制品外表面在常温-低温循环工况下出现裂纹,而保压降温得到的制品则不出现上述问题。性能测试与表征分析结果表明,自然降温工艺成型的密封环PCTFE其内部会出现微裂纹等缺陷,导致其在低温测试后出现亚表面裂纹,造成密封失效。降温阶段保压操作可抑制材料成型阶段微裂纹缺陷的产生,避免材料在室温-低温循环工况下因内应力而产生裂纹缺陷。  相似文献   
48.
通过分析新一代运载火箭叉形环与球形箱底环形焊接的结构特点,针对其研究了一种新型的焊接夹紧机构。介绍了机构的组成与工作原理,分析了夹紧机构的可靠性。该焊接夹紧机构有效地实现了叉形环与球形箱底焊接夹紧定位,满足了新一代运载火箭的焊接工艺要求。  相似文献   
49.
研究了具有饱和功能性反应的食饵—捕食者两种群模型:dxdt=xg(x)-yφ(x),dydt=y[-d eφ(x)]。分析了该系统的平衡点的类型,及平衡点稳定性。运用Du lac函数法,得到了系统不存在极限环的充分条件。运用Pioncare-Bendixson环域定理,证明了该系统存在极限环的充分条件。  相似文献   
50.
    
针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析。以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后仿真,后仿真结果表明,利用背偏技术的22 nm FDSOI环阵的输出频率可在57.8~206 MHz的范围内进行调节,相应的工作电流变化范围为24.4~90.4 μA;而利用体偏技术的28 nm体硅环阵的输出频率调节范围则为92.8~127 MHz,对应的工作电流变化范围为67.8~129 μA。对22 nm FDSOI工艺的环阵进行了实测,实测结果与仿真结果一致。分析认为,在功耗和性能2个方面,22 nm FDSOI电路的背偏调节能力优于28 nm体硅电路的体偏调节能力。  相似文献   
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