新型TMC-2复合材料叶片小余量锻造工艺研究

研究了新型TMC-2复合材料的叶片小余量锻造工艺。结果表明,采用小余量锻造工艺研制的叶片锻件组织均匀,金属变形流线分布合理,因而,叶片的疲劳性能和抗腐蚀能力得到提高,同时,使用寿命得以延长。采用TMC-2复合材料研制的小余量叶片,在高温下具有优良的蠕变和热稳定性能。     

氮化硅颗粒预制体的设计及其制备

设计了一种与纤维预制体有类似孔隙结构的颗粒预制体微结构.裂纹穿越具有此种微结构的复合材料时将延长裂纹途径和吸收裂纹能量,达到复合材料强韧化的目的.采用团聚模压法制备具有此种微结构特征的氮化硅基复合材料的颗粒预制体有利于后期的CVI过程.     

Effects of Atomic Oxygen Irradiation on Transparent Conductive Oxide Thin Films

作为一种功能薄膜,透明导电氧化物(TCO)薄膜在飞行器的抗原子氧(AO)涂层和太阳能电池领域有着巨大的应用价值。ZnO:Al(ZAO)和In2O3:Sn(ITO)薄膜是目前研究和应用最广泛的TCO。本文对ITO薄膜和ZAO薄膜进行了不同通量的AO辐照。通过对辐照前后样品的X射线衍射、扫描电镜及霍耳效应的表征及测试,研究了AO辐照对这两种TCO薄膜的结构、性能及电学特性的影响。研究表明AO辐照对ZAO薄膜表面有明显的侵蚀作用,但对其结构和导电性能没有明显影响。对于ITO薄膜,随着AO通量的增大,其载流子浓度逐渐下降从而导致了电阻率的提高,电阻率的最大变化达到了21.7%。     

数据电路误码的模拟方法

分析数据电路中不同调制方式下的误码分布,对随机数进行数学变换产生不同的误码图案,从而给出数据电路模拟器中误码的模拟方法。     

Ti2AlNb基合金板材电子束焊接焊缝组织研究

选用了不同的焊接参数对厚度分别为3、5、7和9mm的Ti2AlNb基合金板进行电子束堆焊,并进行不同制度的焊后热处理.利用OM、SEM、EDS和显微硬度测试等方法对焊缝区域的显微组织特征进行了分析.     

BD2系统广域差分格网电离层模型研究与应用

电离层延迟误差是影响BD2卫星导航系统定位测速精度的关键因素,如何减少电离层误差是当前卫星导航定位领域研究的热点问题.常见的电离层模型包括广域差分格网模型和Klobuchar模型,已有研究主要关注Klobuchar模型,对BD2广域差分格网模型的研究较少.本文分析比较了广域差分格网电离层模型和Klobuchar模型对电离层延迟误差的影响,并进行了真实环境下的评测.实验结果表明,使用广域差分格网电离层模型修正电离层延迟可以减小电离误差,从而提高单频接收机导航定位精度.     

Sol-gel法制备CuSO4，Cu〈AC）2掺杂SnO2的气敏性能研究

以溶胶-凝胶法（Sol-gel）制备纳米SnO2及其不同比例的铜源掺杂物。采用热分析（TG-DTA），XRD等手段对其产物进行表征，利用静态配气法测试了掺杂产物的气敏性能。实验结果表明：采用Sol-gel法制备掺杂SnO2的气敏性能，同时受铜源和掺杂量的影响，且掺杂产物对乙醇不很敏感，但在150℃工作温度下对0．005％的H2S具有36367倍的高灵敏度。     

Thermoelectric Properties of Mg2Si1-xSnx Synthesized by Bulk Mechanical Alloying

Bulk mechanical alloying （BMA） has been successfully applied to solid-state synthesis of p-type and n-type thermoelectric materials Mg2Si1-xSnx （x = 0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1） from element-powders at the room temperature in a relatively short time. The electrical conductivity, the Seebeck coefficient and the thermal conductivity of the Mg2Si1-xSnx are quite sensitive to the x-content. With the x-content rising, the electrical conductivity increases. When x = 0.6, it reaches the lowest and Mg2Si shows an n-type of semi-conducting However, when x = 0.2 and T 〉525 K, the Seebeck coefficient of the samples will change the opposite way. While x≥0.4, the samples present a p-type of semi-conducting. The figure of merit, Z of Mg2Si1-xSnx will be obtained in the range from 300 K to 700 K. When x = 0.6, Z proves to be higher than that of other samples at 300 K≤ T≤650 K.     

新型近β钛合金Ti—5Al—2Sn—4Zr—3Cr—3Mo

近年来，在喷气发动机中，风扇及压气机盘采用了以断裂力学为基础的安全设计，不仅要求材料有高的疲劳强度及断裂韧性，还很重视疲劳裂纹的扩展速率。为此，日本学者研制出一种新型近β钛合金Ｔｉ－５Ａｌ－２Ｓｎ－４Ｚｒ－３Ｃｒ－３Ｍｏ。该合金通过热处理还可以得到比广泛应用的Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ更好的综合性能。