修形斜齿轮的承载接触分析

提出了一种斜齿轮承载接触分析(LTCA)的方法。这一方法包括了齿间间隙、齿面间隙、误差、轮齿变形、支撑变形等多种因素的影响,可以编制成高仿真度的计算机软件。这一方法还可通过对单齿对的几何和力学计算,进行多对齿啮合的接触分析,并且采用有限元素柔度系数法计算轮齿变形,极大地节约计算工作量。      

飞机层合风挡鸟撞击有限元数值模拟

建立了鸟撞击层合风挡三维有限元分析模型,对层合材料采用具有失效模型的率型本构模型,用非线性接触-碰撞有限元程序模拟了飞机层合风挡的鸟撞击动响应过程,给出了层合风挡鸟撞的计算实例,讨论了层合风挡结构被鸟冲击变形破坏的机理,数值模拟结果为层合风挡抗鸟撞击叠层设计提供了理论依据。     

弹性支承下弧齿锥齿轮齿面接触特性的理论与实验研究

航空发动机采用弹性支承后,转子弹性变形会造成主传动弧齿锥齿轮相对位置的变化,从而影响齿面接触性能。针对某型涡喷发动机转子系统,分析求解了弹性支承下齿轮安装处的变形,并将其等效地转化为齿轮副间的安装距偏差,在此基础上,完成了弧齿锥齿轮齿面接触特性分析。在转子系统模拟试验台上,对发动机主传动锥齿轮接触性能进行了实验研究。分析与实验结果同时表明支承刚度对齿面接触区和传动误差皆有很大影响。     

多部件模型在全尺寸小型双函道涡扇发动机气流数值模拟中的应用

利用高阶单调Ｇｏｄｕｎｏｖ显／隐格式求解全尺寸小涡扇发动机Ｓ２流面上带粘性力项的非定常Ｅｕｌｅｒ方程组,获得了令人满意的稳定收敛解。对多部件模型方法在双函道小涡扇发动机气流数值模拟应用中存在的问题提出了建议。     

双材料界面裂纹应力强度因子的无网格分析

应用改进的无网格方法对双材料界面裂纹进行了分析,积分区域采用基于节点的Voronoi图,通过在裂纹尖端加密节点提高位移场的计算精度,采用位移外插法确定出应力强度因子,避免了应力场的奇异性和振荡性。本文对由环氧树脂和铝 环氧树脂组成的双材料进行分析,对比了均匀离散、均匀细化和局部细化三种不同模型,通过与光弹性实验结果比较可知,采用裂纹尖端局部细化的模型计算量低并且计算效果好,其计算结果与实验结果基本吻合。     

超精密偶件测量仪的误差运动综合数学模型

把超精密测量机床误差元素分为几何运动误差和热变形、接触变形等非刚体效应误差,利用齐次坐标变换方法结合测头与工件之间联结链的封闭特性,给出了超精密偶件测量仪几何和热误差以及探头和工件接触变形误差的综合数学模型.     

铝合金薄板中裂纹的电磁热效应局部跨越止裂

 讨论了电磁热裂纹止裂时脉冲放电瞬间的电流、温度和热应力的耦合关系。通过自制的 ZL-1型强脉冲放电止裂装置进行了模拟实验研究;理论分析中采用了复变函数的研究方法给出了跨越止裂后裂纹尖端附近的温度值和热应力值;通过热 -电耦合和热 -机械耦合 2个过程对脉冲放电瞬间的电流 -温度 -热应力的演变进行了数值模拟,数值模拟的结果与理论分析和实验研究有较好的吻合。三方面的研究结果均表明 :通过电磁热效应局部跨越止裂可以使铝合金薄板中裂纹在裂纹尖端处很小的范围内熔化形成微小焊口,减小了裂纹尖端的应力集中,并在裂尖处形成压应力区,从而遏制了裂纹的扩展。该方法可应用于飞机机翼疲劳裂纹的止裂中。     

求解矩形平板问题的通用应力函数

本文用变量分离法推导了求解矩形域平面问题的通用应力函数和用该通用应力函数表达的应力分量、应变分量以及位移分量公式。该通用应力函数可用来求解受任意载荷作用的矩形域平面问题。且所得解答不是放松边界条件的圣维南意义下的解答，而为精确级数解答。     

纳米铁酸铜的制备及对RDX热分解的催化作用

以CuCl2·2H2O和Fe(NO3)3·9H2O为原料,采用室温固相化学反应法制备出三种不同铜、铁摩尔质量比的纳米CuFe2O4粉体,产物的粒径约为5nm。采用差示扫描量热法(DSC)测试了纳米CuFe2O4对RDX热分解的催化作用。结果表明:纳米CuFe2O4对RDX热分解有明显的催化效果。在三种纳米CuFe2O4中,铜、铁摩尔质量比为1∶1的纳米CuFe2O4的催化效果最好,它使RDX的分解峰温前移了17 8℃,放热量增加了250J/g,活化能降低了21 9kJ/mol。纳米CuFe2O4的用量增加对RDX热分解的催化效果显著增大。     

低电阻率SiC纤维先驱体聚碳硅烷的制备与表征

由聚二甲基硅烷（PDMS）与3％－7％（质量分数）聚氯乙烯（PVC）共热解反应生成的聚碳硅烷（PC—P），是制备力学性能优良的低电阻率SiC纤维的先驱体。研究了PC-P先驱体的合成条件，利用GPC、IR、XPS、元素分析等手段对PC—P的组成与结构进行了分析。结果表明，PC—P先驱体的最佳合成条件为450℃保温6h-8h，熔点为180℃—230℃，数均分子量为1350-1800，分子量分散系数为2.0左右；PC—P含有Si、C、H、O元素，其C含量高于由PDMS制备的先驱体PCS，而Si含量低于PCS；结构与PCS相似，但Si-H键含量低于PCS中Si-H键含量。