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291.
月球着陆器用金属橡胶高低温力学性能试验研究   总被引:9,自引:2,他引:9  
金属橡胶作为一种有弹性的阻尼元件首次用在月球着陆器原理样机中。采用Э 71型低温万能拉伸实验机对圆环状金属橡胶试件进行了月球温度范围内的准静态刚度实验,得出了力 位移实验曲线。采用最小二乘法对试验曲线进行了数据拟合,用Matlab编程计算得出了金属橡胶试件力 位移回归方程。采用自由衰减法和冲击实验法分别对金属橡胶试件高、低温阻尼比和动力学特性进行了测试,最后得出了金属橡胶适合于用做月球着陆器中缓冲元件的结论。  相似文献   
292.
硬铝合金预拉伸、热处理后成形性能的正交试验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在铝合金实际成形工艺的基础上通过正交试验研究了成形过程的各个因素:热处理前的变形、试件取样拉伸方向、时效时间及材料厚度对淬火后铝合金各成形性能指标的影响,得到了这些因素对材料各个性能指标的影响规律和新淬火状态下铝合金成形性能的特点,指出了热处理后材料的变形效应并没有消失,甚至依然显著地影响着某些成形性能,给出了2D12铝合金板料在新淬火状态下的本构关系,为成形工艺的制定及数值模拟分析提供了依据。  相似文献   
293.
对粘土片层在纳米粘土/高性能环氧树脂体系中的分散状态及力学性能进行了研究。通过加入较少的粘土(含量≤5wt%)得到插层型纳米复合材料。纳米粘土的存在使环氧树脂的玻璃化转变温度有所降低。粘土质量含量为2%时,复合材料的冲击强度约上升10%,但超过2%后。冲击强度随之下降。材料的弯曲强度则随着粘土含量的升高而逐步降低。  相似文献   
294.
肖泽娟  程惠尔  周红玲  黄瑞生 《推进技术》2006,27(2):124-127,145
根据空间发动机的总体结构、环境特点和能量守恒原理,提出推进剂在推力器喷注管内流动降温的简化数理模型,研究启动时单元推进剂在推力器喷注管内的流动降温现象.耦合求解推进剂流和喷注管能量方程,可以获得单元推力器喷注管单推三流整体温度的沿程分布规律.用推进剂模拟液实际考察和验证推力器喷注管的流动特点和理论模型的计算结果,分析推进剂流速、喷注管长度和内径对推进剂流温度变化的影响,导出推进剂流前缘出口温度和这3个物理参量间的拟合关系式.研究结果对推力器的热控设计有参考价值.  相似文献   
295.
Micro-X概念验证机热防护系统研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
简述了国外可重复使用运载器的研究现状及发展趋势,详细介绍了美国下一代可重复使用运载器Micro—X概念验证机的热防护材料及设计。  相似文献   
296.
在分析了空间多层打孔隔热材料中导热和辐射的复合传热问题的基础上,提出了空间多层打孔隔热材料反射屏温度计算的模型以及内部辐射数值分析模型.利用该模型对不同几何、物理参数下的对象进行模拟计算,通过对计算结果的分析,明确作为几何参数的层密度和层数以及作为表面特性参数的黑度和打孔率对材料热性能的影响.该热性能的研究对提高空间多层打孔隔热材料的隔热效果,实现材料的优化设计具有积极的指导意义.  相似文献   
297.
纳米金属和复合金属粉对AP/HTPB推进剂热分解的影响   总被引:8,自引:1,他引:8       下载免费PDF全文
用热分析法(DTA)研究了纳米金属和复合金属粉(Cu,N i,A l,N iCu,N iCuB,N iB)对AP/HTPB推进剂热分解的影响。结果表明,纳米金属和复合金属粉对HTPB推进剂的热分解具有明显的催化作用。纳米铜粉使AP/HTPB推进剂的低温和高温热分解温度分别降低了51.6℃和33.6℃,DTA表观分解热增大为3.7kJ.g-1,催化效果十分显著。纳米铜粉和含铜的纳米复合金属粉(N iCu和N iCuB)的催化效果强于其他纳米金属粉。纳米金属粉主要通过催化AP/HTPB推进剂中AP的热分解,表现出对HTPB推进剂具有较好的催化效果。  相似文献   
298.
非连续增强金属基复合材料的热残余应力   总被引:5,自引:1,他引:5       下载免费PDF全文
详细地论述了非连续增强金属基复合材料热残余应力的产生、松弛机理以及热残余应力对材料组织和性能的影响,并预测了今后的发展方向。指出增强体与基体的线膨胀系数之差、界面结合和温度变化是产生热残余应力的必要条件,非连续增强金属基复合材料的热残余应力的松弛将使得金属基复合材料基体内的位错密度增加,热残余应力使复合材料的拉伸强度降低。  相似文献   
299.
介绍了复合材料的特点及加工工艺方法,针对目前复合材料存在的损伤容限/耐久性设计在理论上尚不完善等一些问题,着重阐述了复合材料的修理技术,对飞机设计及制造具有一定的参考作用。  相似文献   
300.
表面平整化技术是半导体工业的关键技术,在一定程度上制约着半导体芯片集成技术的发展,针对多层立体布线的IC全局平坦化技术,介绍了代表当今平整化技术及其未来的发展方向,其中一些技术会取代传统的CMP技术而成为IC产业的主导技术之一;叙述了超大规模集成电路(ULSI)的发展对全局平整化的具体要求;对传统的CMP技术的特点进行了分析;并论述了当今主流的IC平整化技术的原理、性能以及未来的发展方向。  相似文献   
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