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271.
外场装备损伤部位快速修复可维持装备服役期间的功能性及寿命。文章对比分析了 AA 7B04铝合金表面损伤部位及六价铬转化膜再修复样品的表面微观组织、化学成分、电化学性能、酸性盐雾性能。研究结果表明,自主研发六价铬溶液可有效修复划痕样品。划痕修复部位形成一层致密薄膜,且主要成分包括 Cr、F、O、K等元素;对比分析拉曼光谱结果,划痕修复部位存在显著的六价铬 CrO42-(847 cm-1);电化学阻抗谱结果证明再修复样品在 10-2 Hz处阻抗膜值为 5.09 × 105Ω . cm-2,比划痕样品提高了 5倍;电动位极化曲线显示再修复样品自腐蚀电流密度为 10-5.5 A·cm-2,与划痕样品相比下降了 1个数量级;此外,再修复样品耐酸性盐雾周期超过 336 h,样品表面无腐蚀点,表面盐雾评级达到 10级,失重法表征的腐蚀速度比划痕样品下降 1个数量级。 相似文献
272.
LED光谱对模拟空间培养箱中植物生长发育的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过研究在空间植物培养箱中利用LED作为光源对植物生长发育的作用, 并以荧光灯作为对照, 评估LED光源在空间植物培养中的优缺点, 可为中国即将在空间实验室天宫二 号和空间站中开展的高等植物生长实验提供参考. 利用不同比例的红光与白光LED组合光源, 研究光谱组成(红蓝光比例)、光照强度、光周期和气体流通等条件对于模拟空间 植物培养箱中拟南芥和水稻生长发育的影响. 结果表明, 与荧光灯相比, 红蓝光比例高的LED会导致拟南芥提早开花和水稻叶片的早衰. 红蓝光峰值比在3.9左右时, 拟南芥 和水稻生长最为有利; 红蓝光峰值比超过16则明显抑制拟南芥和水稻的生长, 导致叶片早衰. 另外, 在密闭培养箱中, 光强小于150μmol·m-2·s-1时, 增加光照强度可以部分抵消气体流通不足导致拟南芥植物生长的抑制, 而光照强度大 于150μmol·m-2·s-1时, 光强越大拟南芥的生长发育受到抑制越严重. 水稻对密闭培养环境中高光强的耐受性明显好于拟南芥. 因此, 在设计空间植物培养箱的LED光照系统时, 红蓝光的比例选择是关键, 此外还需综合考虑空间微重力条件下气体对流变化影响植物对光的反应. 相似文献
273.
提出一种新型的光纤传感器——反射式动栅光纤传感器。这种传感器是采用光纤作为传光元件,而敏感元件是一对等节距光栅,其中一块为定栅,一块为动栅,当两光栅位置发生变化时,其光通量随之变化,再经光电转换系统转换信号后以电信号输出的传感系统。该传感器结构简单,使用方便,可用于测量位移、应变及其它物理量,尤其是在高温测量、连续变化量测量及实时监测等方面,更显示其优越性。文中给出了这种传感器的理论分析,并以测位移为例,给出了实测结果。实验结果表明,理论分析与实验结果相一致,并具有一定的测试灵敏度 相似文献
274.
275.
多光谱扫描仪的杂光计算 总被引:4,自引:0,他引:4
本文采用蒙特卡洛法计算太阳光进入星载光学系统的杂光数量级。并对一具体结构的多光谱扫描仪进行了计算,以确定其消杂光能力。对某些参数的变动也进行了计算,为设计和修改提供了依据 相似文献
276.
277.
时间、空间及运动的测量原理与时间和空间的理论 总被引:1,自引:1,他引:1
本文从分析时间、空间及运动的测量机理出发建立的时间和空间理论。导出了建立在电磁信号单向传递的相对性原理基础上的时空对称的新加里略变换,并证明了麦克斯韦方程对新加里略变换的协变性。阐明了光速不变原理和洛伦兹变换的物理意义和实质。引进了两套自治的速度定义,对应两套自治的变换。讨论了超光速运动的测量机制,相对运动特征出现负值是超光速运动的特征,导出了对应超光速运动的新加里略变换和洛伦兹变换。 相似文献
278.
在试样上用激光打了不同孔径、不同方向的冷却孔,采用电子束物理气相沉积( EB-PVD) 的方法在已打孔的试样上涂覆MCrAlY粘接层和ZrO2陶瓷层,观察和计算其孔径大小变化;然后对试样进行了热循环处理,以比较热循环前后的孔径变化。初步实验结果表明:激光打孔的入射角,对孔径变化影响不大;原始孔径增大,施以涂层后其相对变化就较小,采用EB-PVD 的方法在已打孔的试样上涂覆ZrO2陶瓷层后其孔径比原始孔径至少减少了15 %;在热循环试验前后,绝大部分孔径变化较小,而其总趋势是由大变小,孔径减少约5 %左右。 相似文献
279.
等离子热障涂层失效机理的数值分析研究 总被引:1,自引:2,他引:1
针对带等离子喷涂热障陶瓷涂层的圆筒金属基体结构在典型热循环载荷作用条件下的力学响应进行了数值计算,基于陶瓷层中的应力结果对陶瓷层剥落失效机理展开了分析.计算时对陶瓷层材料分别按理想线弹性本构和黏塑性本构模型开展了模拟.分析发现,陶瓷层的界面(横向)开裂存在两种模式:在降温过程中,陶瓷层容易出现界面波峰处的Ⅰ型开裂与腰部位置处的Ⅱ型开裂;在升温过程中,陶瓷层容易发生垂直开裂使结构中出现陶瓷层/基体的界面端,界面端部严重的应力集中效应使陶瓷层容易在该处横向开裂形成界面处的边裂纹. 相似文献
280.