DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib–Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic–Ic0 as well as the related changes of the current gain (β) will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic–Ic0 increase; β and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of β are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT’s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phe-nomena were observed: Ic–Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will β in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristics was also discussed.     

飞机复合材料结构件的连接技术

本文叙述了飞机上复合材料机械接头的工艺特点，包括制孔、紧固件的选择及装配过程中的注意事项等。     

联合策略的数学模型及其最优化解

本文建立了联合策略的数学模型，首先给出在引进联合策略后，Ｎ人多次对策的数学模型的特殊代数表示式，其次建立了求解Ｍ方（ｒ＋１）个联合策略的数学模型。进而讨论了联合策略的最优化解。联合策略，Ｎ人多次对策，数学模型     

MCM和3—D封装

评述了多芯片组件（ＭＣＭ）、晶片规模集成（ＷＳＩ）、３—Ｄ堆垛技术以及３—Ｄ封装的概念、结构和特性．重点介绍了ＭＣＭ在航空机载电子设备中应用的实例，简要地描述了下一代微电子技术的某些发展方向．     

西安航天复合材料研究所

西安航天复合材料研究所（中国航天科技集团公司第四研究院四十三所）成立于1970年5月，是中国航天领域内集研究、开发、生产为一体的专业复合材料及工艺研究所，也是我国固体火箭发动机复合材料壳体、喷管以及复合材料导弹发射筒最大的研制、生产基地。     

用四步Runge—Kutta有限体积法求解绕翼型流动的二维N—S方程

本文应用四步Ｒｕｎｇ－Ｋｕｔｔａ有限体积法求解绕翼型亚、超临界流动的完全Ｎ－Ｓ方程。微元体的应力张量梯度通过微元体周边的面积分求得。     

美公司进行火箭投放试验

美国转型航天公司（t/Space）与比例复合材料公司6月14日完成了为期三周的火箭样箭高空投放试验，试验了从载机上投放载人火箭的一项新技术。作为转型航天公司“机组转移飞行器”（CXV）载人舱及其“快达”2火箭研制工作的一部分，     

基于USB接口的智能密码钥匙的研究

文中设计一种基于 USB接口的智能钥匙的实现方案 ,介绍其总体结构、硬件、软件性能指标及其应用     

基于C/S通用题库管理与考试系统的设计

题库与考试系统是计算机辅助教学非常重要的组成部分,给出了一种基于客户端/服务器结构的通用题库管理与考试系统的设计及实现过程。