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141.
142.
丁羟推进剂粘合剂网络结构调控方法探讨 总被引:4,自引:2,他引:4
把扩链剂的使用作为调整丁羟推进剂粘合剂网络及其形态结构的一个重要手段。采用扩链剂、交联剂和真实固化参数(Rt)等综合的方法调控丁羟推进剂性能,可望比单纯控制名义固化参数(Ro)获得更好的力学性能及其稳定性。推导了丁羟推进剂粘合剂系统网络调整的通用计算公式和各种特定条件下的计算公式。 相似文献
143.
航天铝基复合材料零部件超精密加工技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
针对航天高碳化硅铝基复合材料零部件采用聚晶金刚石PCD刀具进行了超精密车削加工试验,用原子力显微镜AFM和扫描电子显微镜对其进行了检测,分析了零部件表面粗糙度值的大小及影响因素、SiCw变形破坏机理、已加工表面微观结构及加工变质层特性。结果表明,超精密车削高碳化硅铝基复合材料零部件可以获得超精密级加工表面(如Ra11.5nm);超精密车削过程中SiC,存在着三种主要变形破坏机理:直接剪断型、拔出型和压入型,且以直接剪断型为主。直接剪断的SiCw对表面粗糙度值影响最小,而后二者是影响表面粗糙度值达到超精密级的主要障碍;超精密加工零部件表面仍会产生很薄的加工变质层。 相似文献
144.
145.
基于热化学平衡方法建立了任意比例C/SiC材料的主被动氧化烧蚀模型,开展了C/SiC材料氧化烧蚀机理的计算研究,并基于典型材料烧蚀试验结果进行了充分验证。计算结果表明,C/SiC材料的氧化烧蚀特性取决于表面温度、氧分压以及组分等因素,可能会出现主动氧化和被动氧化两种破坏机制,目前的烧蚀模型能够预测出任意比例C/SiC材料两种氧化烧蚀机制的转换过程;SiC含量对C/SiC材料的氧化烧蚀特性有明显的影响,随着SiC含量的提升,主/被动氧化转换临界分压会减小,材料的抗氧化性能越好;但当材料均处于主动氧化阶段时,SiC含量越高材料的无量纲烧蚀速率越大,材料的抗烧蚀性能减弱。 相似文献
146.
147.
文章采用反应烧结工艺制备 Si/SiC 材料,然后通过真空扩散渗铝工艺制备了 Al-Si/SiC 复合材料。通过精确调控浸渗合金的铝浓度使制备的Al-Si/SiC复合材料具有可控的热膨胀系数,利用该工艺制备出热膨胀系数连续可调(4.6×10-6K-1~8.7×10-6K-1,0~40℃)的 Al-Si/SiC 复合材料,其力学性能优异,经检测密度为2.86g/cm3,弹性模量为236GPa,断裂韧性为6.1MPa·m1/2,可采用线切割、铣磨、钻孔、攻丝等手段加工,相比SiC陶瓷材料更易于高精度机械加工。扫描电子显微镜分析表明,制备的Al-Si/SiC复合材料均匀、致密,光学抛光后表面粗糙度均方根值达到1.017 nm。各项测试数据表明, Al-Si/SiC复合材料作为反射镜可以满足空间光学的应用。 相似文献
148.
以粒度为80μm的粉煤灰为增强相,粒度为30μm的铝粉为基体,采用粉末冶金法成功制备了粉煤灰颗粒增强铝基复合材料。经SEM、金相显微镜等分析手段对制备的复合材料进行组织观察,并对其进行耐磨性测试。结果表明,粉煤灰含量为20%,烧结温度为650℃时,相对损率最小为0.1590%。随着粉煤灰含量和保压时间的增加,试样的耐磨性逐渐升高,随着烧结温度升高,试样的耐磨性呈现出先升高后降低的趋势。 相似文献
149.
150.
为在色高斯噪声背景下估计相干信源DOA,提出一种基于四阶累积量的相干信源DOA估计算法。对各个阵元接收数据与参考阵元接收数据的四阶累积量进行排列,构造Toeplitz矩阵,该矩阵的秩仅等于信号个数,而与信号间的相干性无关。通过特征值分解得到信号子空间和噪声子空间,从而实现相干信源DOA估计。仿真实验结果表明,在色高斯噪声背景下,此算法能有效地估计出相干信源的DOA,并且相对于空间平滑算法具有更好的估计性能。 相似文献