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171.
大型太阳模拟器拼接准直镜技术 总被引:2,自引:0,他引:2
KM6太阳模拟器采用离轴准直光学系统,离轴角为29°,准直角≤±2°,准直镜最大外形直径为6800mm。根据太阳模拟器光学系统的特性,同时也为降低制造成本,准直镜可以采用球面反射镜来代替原本的抛物面反射镜,并且采用多个小镜拼接而成。文章从外形尺寸计算、单元准直镜及其调节机构、框架结构及其调节机构、准直镜的温控和准直镜的装调等方面全面介绍了KM6太阳模拟器拼接准直镜的设计技术。与此同时,详细阐述了在平面结构基础上拼接大型球面反射镜的可行性及其相关位置尺寸的计算方法,阐述了单元准直镜和框架的调节机构的原理及其拼接球面反射镜过程中的作用,论述了准直镜辐射制冷、电加热调温的温控方案的可行性,进行了必要的热分析计算,对空间环境模拟器中大型反射镜的研制具有参考价值。 相似文献
172.
采用SHS法合成了Ti_2Al C、TiB_2、TiC三相复合陶瓷粉体;应用SPS技术制备了Ti_2AlC/TiB_2/TiC块体复相陶瓷材料;采用XRD、SEM和EDS等手段对复相材料的相组成、微观形貌进行了分析。研究结果表明:在所制备的复相块体陶瓷中,Ti2Al C为基体相,TiB_2和TiC弥散分布于基体相中;复相块体陶瓷具有高的致密度,为99.6%;显微硬度平均为12.96 GPa;断裂韧性为45.28 MPa·m~(1/2),这为下一步研究其可加工性提供了实验依据。 相似文献
173.
孔隙分布对陶瓷材料热辐射特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
通过引入吸收性介质内粒子散射Mie理论,结合多弥散粒子系独立散射理论,针对孔隙具有修正Gamma分布规律的多孔陶瓷提出一种计算热辐射特性的方法,以氧化锆陶瓷为例分析了孔隙分布对热辐射特性的影响.结果表明孔隙分布规律和平均孔径对热辐射特性有显著影响.孔径趋于单弥散分布,将使衰减系数、散射反照率、非对称因子等参数减小,而孔... 相似文献
174.
介绍一种新型干涉测量系统,该系统采用并列的两个参考镜,将产生的两组干涉条纹复合在同一视场。当测量系统产生的光程改变时,两组干涉条纹相对关系按一定规律变化,借助光电转换和图像分析技术,可用于长度和微小角度测量。介绍了可行性实验和测取的数据及分析所得出的结论。 相似文献
175.
张国兵%郭全贵%刘朗%史景利%宋进仁 《宇航材料工艺》2006,36(Z1):60-65
采用粉末冶金法中的叠层法在2 000℃、40 MPa的热压烧结条件下制备了几类不同层数及成分分布指数的SiC/C功能梯度块体材料(FGM).所得样品的结构扫描图表明材料总体梯度特征显著,相比四层FGM样品,八层(SF8)FGM样品梯度过渡趋于连续,其不同层间层界面相对模糊化,界面处的结合性能良好,与最初设计相吻合;500℃~室温循环淬水实验表明,采用参数优化设计的SF8(P=0.6)FGM有效地缓和了内部热应力,具有良好的抗热震性能. 相似文献
176.
177.
静电拉伸空间薄膜反射镜面形控制机理研究 总被引:1,自引:1,他引:0
薄膜反射镜将解决反射镜孔径与重量相互制约的问题. 采用静电拉伸法控制薄膜反射镜面形, 具有结构简单、反射镜面形易于控制等优点, 其原理为利用静电场上库仑力作用使薄膜产生面形变化, 生成所需的光学曲面. 由于薄膜变形力学, 以及静电场理论的复杂性, 目前薄膜成形及其面形控制在理论分析上仍未有定量的结果. 本文主要以单电极静电场中的薄膜反射镜面形为考察因素, 通过数值计算的方法得到薄膜反射镜上的静电力分布, 运用有限元分析获得该分布下的反射镜面形, 并将其与理想面形进行比较. 提出采用多电极闭环控制可获得更高的控制精度, 对静电拉伸薄膜的研究具有一定的指导意义. 相似文献
178.
179.
采用PCD刀具进行了C/SiC复合材料的铣削加工实验,通过观察加工表面/亚表面损伤,分析了C/SiC复合材料铣削加工表面形成机制,并结合切削力讨论了铣削参数对加工表面形貌和粗糙度的影响。研究结果表明,C/SiC材料以脆性断裂方式实现去除;加工表面存在纤维的层状脆断、拔出和纤维束断裂等现象;碳纤维区域粗糙度随铣削参数的变化规律与表面微观形貌基本一致;提高切削速度能改善表面质量,增大切深会使表面质量严重恶化,每齿进给量对表面质量影响较小。 相似文献
180.
C/SiC复合材料热辐射性能研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用稳态量热计法和傅里叶红外光谱仪分别测定了C/SiC复合材料在90℃时的半球向总发射率和室温法向光谱反射率.研究了纤维预制体编织方式、涂层厚度及表面形貌对C/SiC复合材料热辐射性能的影响.结果表明,3D C/SiC复合材料的热辐射性能优于2D C/SiC.2D C/SiC的总发射率为0.78,3D C/SiC达到0.82;SiC涂层厚度对C/SiC复合材料的热辐射性能影响很大,随着SiC涂层厚度的增加,C/SiC总发射率先降低后上升,最高值可达0.85;表面抛光后C/SiC复合材料热辐射性能有所下降,2D和3D C/SiC总发射率分别为0.74和0.75. 相似文献