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221.
铝合金阳极化膜上铈转化膜沉积的电化学研究 总被引:2,自引:0,他引:2
阳极氧化膜在含1g/L CeCl3和2.7 g/L H2O2的水溶液中阴极电解可以在其表面沉积富铈转化膜.用循环伏安、φ-t和j-t曲线等电化学测试方法对转化膜成膜反应进行了研究,以期获得对成膜机理的深入了解和证实根据其它工作提出的成膜机理.研究结果表明铈转化膜的生成包括阳极氧化膜的化学溶解和4价铈化合物的电化学还原两个过程;在阴极电位达到析氢电位之前,这两个过程主要是由H2O2在阴极的电还原改变了阴极表面附近溶液的局部pH值引起的,而O2的还原通常不能引起这两个过程的发生. 相似文献
222.
板壳结构轻量化设计是工程中的常见问题,采用有限元法对板壳结构进行拓扑优化时,难以获得高质量的网格以精准描述几何模型,且单独使用拓扑优化受制于初始设计空间。提出了一种基于等几何分析的形状-拓扑协同优化方法,该方法执行先形状优化、后拓扑优化的步骤,在最佳结构形状的基础上实现最佳材料布局的优化目标。相比于其他组合形式的优化机制,极大地提高了计算精度与计算效率。采用3个数值算例验证了本方法的有效性与高效性,结果表明,与经典等几何拓扑优化方法相比,可得到更高性能的优化结构,有助于进一步拓宽结构优化的应用范围。 相似文献
223.
磁记忆检测力-磁效应微观机理的试验研究 总被引:4,自引:1,他引:3
铁磁材料在地磁场环境中受载荷的作用,其内部会发生具有磁致伸缩性质的磁畴组织定向和不可逆的重新取向.将去应力退火后的20钢和45钢压缩试件分别施加不同载荷并制作成金相观察试样,利用粉纹法观察受力程度不同的试件的磁畴结构,然后,对比同种材料不同载荷试样的磁畴结构照,分析不同残余应力对磁畴的影响.试验表明:未受力或应力集中较小时,晶粒内磁畴以片状畴为主,同一晶粒内畴壁相互平行,随着应力集中程度的增加,磁畴结构出现迷宫畴.且应力集中程度越大,迷宫畴个数越多,同时畴壁长度和间距发生改变. 相似文献
224.
225.
Zhang Yongkang 《中国航空学报》1997,(1)
SupportedbytheFoundationofAFFDThelasershock-processing(LSP)usesmechanics-effectproducedbyinteractionoflaserwithmattertoimprovesurfacepropertiesofmaterials.Thatistosay,anintensiveshort-pulselaserwithhigh-powerisusedtoshockthesurfaceofmetal,whichmakescoatingtovaporize,expand,ionize,andthentoformdetonationwavesthattravelintothemetals.Underthishighpressureoftheshockwavesitheplasticdeformationisproducedandastrengtheningsur-'facelayerisformed-Therefore,thefatigueresistanceisimproved.In199O,theF… 相似文献
226.
针对某型号飞机结构损伤容限设计的要求,对高强铝合金2124T851进行了不同环境与取向对疲劳裂纹扩展特性影响的试验研究。结果表明,3.5%NaCl溶液中的Cl加速了2124T851铝合金的疲劳裂纹扩展速率da/dN。断口电镜分析表明,分布密度较大的第二相质点使横向的da/dN高于纵向的da/dN。有效应力强度因子可以满意地表征不同取向及不同环境中的da/dN。裂纹面上的腐蚀产物较薄,对裂纹闭合的影响可以忽略不计,1~10Hz范围内的试验频率对3.5%NaCl溶液中的da/dN几乎没有什么影响。 相似文献
227.
用于钛合金胶接的碱性阳极化处理方法的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了5种碱性阳极化表面处理方法对TC4钛合金与SY-14环氧胶粘剂形成的胶接接头耐久性.通过搭接剪切试样在55℃,95%RH环境中的强度变化及楔子试验评价了各种表面处理方法,并采用SEM与XPS方法分析了各种方法处理后钛合金的表面形貌与成分.结果表明,这类碱性阳极化方法均可以在不同程度上改善TC4钛合金与环氧胶接接头的耐久性. 相似文献
228.
本文分别以张力冲击法和应变电阻法对非晶态(Fe_(50)Ni_(50))_(80-z)Cr_xP_(14)B_6合金(x=0,1,2,3,4,6,10)薄带的室温饱和磁致伸缩系数进行了测量;测量结果表明,Cr元素的加入,使样品的λ_(?)有所减少;并对结果进行了讨论。 相似文献
229.
230.
研究了(SIM SME)训练法中的Cu-Zn-Al合金单向形状记忆效应η_ο和双向形状记忆效应η_τ。结果表明:随训练次数增加,位错增加,晶格原子有序度降低,单向形状记忆效应先急剧下降,然后缓慢下降和趋于稳定。基本稳定时的单向形状记忆效应不到初时值的50%。伴随位错增加,引入更多择优取向位错,促使形成更多择优取向马氏体,导致双向形状记忆效应急剧上升,训练9次之内出现峰值,然后缓慢上升和趋于稳定。基本稳定时的双向形状记忆效应相当于峰值的64%~88%。同时,随训练次数增加,单向记忆的动作敏感性下降,然后趋于稳定。与初期动作敏感性值相比,1号合金基本稳定时下降58%。在元件设计中应注意动作敏感性下降问题和形状记忆效应下降问题。 相似文献