基于电化学刻蚀与微电铸工艺的微流控芯片模具制作

为解决微流控芯片模具在微电铸工艺中铸层与基底结合力差的问题,在光刻工艺的基础上,采用掩膜电化学刻蚀和微电铸相结合的方法,制作出了结合力较好的镍基双十字微流控芯片模具。针对掩膜电化学刻蚀的工艺参数进行了试验研究,选定了制作微流控芯片模具的最佳工艺参数,解决了酸洗引起胶膜脱落失效、刻蚀引起侧蚀等问题。使用剪切强度表征界面结合强度,运用剪切法测量了微电铸层与基底的剪切强度,定量分析了酸洗工艺和刻蚀工艺的参数对界面结合强度的影响。试验结果表明,酸洗20s后电铸层与基底的剪切强度相对于直接电铸提高了98.5%,刻蚀5min后剪切强度提高了203.6%。刻蚀5min后的剪切强度相对于酸洗20s后电铸的剪切强度提高了53.0%。本文提出的方法能够有效提高铸层与基底的界面结合强度,延长微流控芯片模具的使用寿命。     

惯性微系统封装集成技术研究进展

随着微机电系统(Micro Electro Mechanical System,MEMS)的器件圆片级封装技术、垂直互连转接板技术、新键合工艺技术等技术研究的出现,惯性微系统正在朝着三维封装集成架构发展,以满足微电子技术更高集成度、更小体积、更低功耗、更低成本的发展需求。介绍了MEMS惯性器件和MEMS惯性微系统三维集成技术,硅通孔(Through Silicon Via,TSV)三维互连技术和倒装芯片技术为惯性MEMS微系统三维集成一体化提供了设计空间,有效地降低了惯性MEMS三维集成模块的体积、质量,提高了集成度,符合未来惯性MEMS三维集成多功能融合趋势的需求。     

一种单片机控制超低频任意信号波形发生器

本文介绍一种以AT89C52单片机为控制核心，采用直接数字波形合成技术产生方波、三角波、锯齿波、正弦波和其他周期信号波形的方法。其频率范围在0．001Hz～999．9Hz之间。幅度在0～20V无级连续可调，波形失真度：〈0．5％。具有稳定性好、性能优越、功能强大、操作方便等特点，使用价值高。     

高温合金螺纹铣削力优化研究

针对高温合金材料的螺纹铣削加工,分析了切削厚度的表达方法,建立了相邻两次走刀形成的截面积的表达方法。在此基础上,研究了高温合金螺纹铣削过程中的铣削力和扭矩,结果表明:螺纹铣削时,铣削力及扭矩与截面积呈正相关。提出了通过使螺纹粗精加工过程中每次走刀的截面积相等,进而优化高温合金螺纹铣削径向切深的加工策略。该策略可有效控制切削力值和扭矩值,这不仅有利于提高刀具寿命和加工精度,亦为制定难加工材料螺纹铣削工艺提供了依据。     

面铣刀正交车铣加工切屑厚度的计算方法

切屑厚度的求解是进一步研究切削过程机理以及实现加工过程仿真的基础.针对面铣刀正交车铣加工过程进行了研究,通过对刀刃轨迹进行简化,推导了计算几种不同形状面铣刀切屑厚度的统一公式,并结合几组具体实例与通过数值方法求得的切屑厚度进行了对比.最后,应用所建立的切屑厚度计算公式实现了对正交车铣加工切削力的仿真,并在车铣复合机床上进行了实验验证.对比仿真实例及切削力实验结果显示所给出的切屑厚度计算模型具有良好的精度和较高的计算效率.同时,统一的表达形式也使得所提出的方法适合于正交车铣加工过程通用仿真软件的开发,具有较大的工程应用价值.      

C51程序优化技巧

介绍了几种对51系列单片机的C51程序进行优化的方法，它能有效地减少程序和数据存储空间，使单片机内有限的硬件资源得到充分的发挥。这些方法同样适用于其它C语言程序。     

镀铁过程的自动控制

“镀铁氮化”是修复钢件工艺中的后起之秀。它的推广应用，将会给我们带来较大的经济效益和社会效益。镀铁过程的自动控制是通过其关键设备－供电系统来实现的，本文对此做了详尽的叙述。     

金属切削加工的热力耦合模型及有限元模拟研究

基于切削加工的热-弹塑性有限元方程并在一定假设的条件下,建立了金属正交切削加工的热力耦合有限元模型。分析、研究了切屑分离标准、刀屑界面的摩擦模型以及热控制方程等切削加工模拟所涉及的关键技术,并提出了几何-应力切屑分离标准。最后,采用ABAQUS软件对材料40CrNiMoA进行了切削加工模拟,并分析、讨论了模拟结果。通过与试验数据比较,证明了所建立的有限元模型的正确性。     

Expression of p53-regulated genes in human cultured lymphoblastoid TSCE5 and WTK1 cell lines after spaceflight in a frozen state

The 53 kDa tumor suppressor protein p53 is generally thought to contribute to the genetic stability of cells and to protect cells from DNA damage through the activity of p53-centered signal transduction pathways. To clarify the effect of space radiation on the expression of p53-dependent regulated genes, gene expression profiles were compared between two human cultured lymphoblastoid cell lines: one line (TSCE5) has a wild-type p53 gene status, and the other line (WTK1) has a mutated p53 gene status. Frozen human lymphoblastoid cells were stored in a freezer in the International Space Station (ISS) for 133 days. Gene expression was analyzed using DNA chips after culturing the space samples for 6 h on the ground after their return from space. Ground control samples were also cultured for 6 h after being stored in a frozen state on the ground for the same time period that the frozen cells were in space. p53-Dependent gene expression was calculated from the ratio of the gene expression values in wild-type p53 cells and in mutated p53 cells. The expression of 50 p53-dependent genes was up-regulated, and the expression of 94 p53-dependent genes was down-regulated after spaceflight. These expression data identified genes which could be useful in advancing studies in basic space radiation biology. The biological meaning of these results is discussed from the aspect of gene functions in the up- and down-regulated genes after exposure to low doses of space radiation.     

微系统集成用倒装芯片工艺技术的发展及趋势

倒装芯片(Flip Chip,FC）技术是一种应用广泛的集成电路电子封装技术。随着电子产品不断向小型化和多功能化方向升级,尤其是在微系统集成领域飞速发展的驱动下,FC技术也在不断发展以满足细节距和极细节距芯片的封装要求。同时,FC技术也在工业化的过程中追求着性能、成本和封装效率的平衡。将FC封装体分为芯片凸点、基板以及底填充材料三个主要部分,深入讨论了FC封装的主流工艺和新兴工艺,介绍了各个工艺的流程及优缺点。此外,还分析了FC封装体在热、力以及电载荷作用下的可靠性问题。