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231.
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反应气体配比对C/SiC复合材料ICVI工艺沉积性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了均热法化学气相渗透工艺过程中反应气体浓度、配比及流动对沉积物和复合材料性能的影响,提出了一种简单反应气体在线监控法。XRD分析结果表明,当H2/MTS摩尔比在2-5之间时,可沉积出纯净均匀的碳化硅基体;而H2/MTS摩尔比小于1时,沉积物中含有大量自由碳。SEM分析表明,甲基三氯硅烷的浓度对沉积速率和沉积深度影响很大,随着甲基三氯硅烷的浓度减小,沉积深度增大,但甲基三氯硅烷的浓度减小引起沉积速率下降,沉积周期延长,确保护内反应气体流动畅通,可提高沉积的均匀性和沉积速率。 相似文献
233.
234.
为研究激光选区熔化(SLM)成形技术制备SiC颗粒增强AlSi10Mg复合材料的成形机理,开展了SLM成形工艺参数(扫描间距、扫描速度)对致密度、机械性能等影响情况的研究。结果表明:所制备试样中SiC增强颗粒分布均匀,并与基体具有连续相容的冶金结合界面。当激光扫描速度从900 mm/s升高到2 100 mm/s时,在不同的扫描间距下,复合材料试样致密度均随之降低;当扫描间距在0.09~0.12 mm内变化时,在不同的扫描速度下,致密度变化趋势并不一致;在激光功率490 W、铺粉层厚0.04 mm、扫描间距0.12 mm、扫描速度900 mm/s时,制备的SiC颗粒增强AlSi10Mg复合材料试样得到最佳综合性能(相对密度99.1%,显微硬度198.7 HV0.2,抗拉强度341.9 MPa);在该最佳工艺参数下,成功制备出复杂结构的薄壁零件。研究为SLM成形SiCP/AlSi10Mg复合材料在航空航天和空间领域的应用提供了理论基础和实验依据。 相似文献
235.
高温处理对PCS裂解SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用聚碳硅烷(PCS)作为先驱体,通过浸渍裂解法制备C/C-SiC材料,分别经过1 400、1 500、1 600℃高温处理,研究了不同处理温度对SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料力学性能和抗氧化性能的影响。结果表明,3种处理温度下,SiC的晶型主要为β-SiC。温度升高,晶粒尺寸增大,1 500℃以后生长速度减缓;SiC微晶优先沿着(111)晶面生长,(220)和(311)晶面的生长取向逐渐增加。处理温度升高,C/C-SiC材料的弯曲强度和剪切强度不断下降。1 400℃处理后,C/C-SiC材料的断裂方式呈现出非常明显的韧性断裂。C/C-SiC材料在1 500℃静态空气中的氧化失重率随高温处理温度的升高而逐渐增大,氧化程度越来越严重,断面典型区域的氧化形貌由"尖笋状"成为"梭形"。 相似文献
236.
237.
238.
张峰%胡海峰%陈朝辉%简科 《宇航材料工艺》2007,37(3):41-42,54
采用无压成型工艺制备了2D-Cf/SiC及复杂构件。结果表明:复合材料弯曲强度达到328MPa,断裂韧度达到14.9MPa·m1/2,层间剪切强度达到35.9MPa,同时材料也具有很好的高温抗氧化性能。利用本工艺制备了某型号发动机的尾喷管,并成功通过了应用部门的试车考核。 相似文献
239.
范壮军%宋进仁%刘朗%翟更太%李建刚%陈峻岭 《宇航材料工艺》2001,31(6):44-46
以天然石墨为原料,进行多组元掺杂制备了SiC-B4C-ZrC/C复合材料。研究了ZrO2的加入量对材料性能的影响。实验结果表明:加入少量的(小于8%)ZrO2石墨材料的力学性能和电学性能明显得到提高;而继续添加ZrO2,石墨材料的力学性能和电学性能则有所下降。 相似文献
240.
碳化硅铝基复合材料的应用与加工 总被引:5,自引:0,他引:5
文中就近年来国内外对碳化硅铝基复合材料的研究、应用和加工进行综述,并就碳化硅铝基复合材料在中国航天仪器产品上的应用、测试状况进行了分析。主要内容包括:碳化硅铝基复合材料的制备、材料性能的对比分析、力学试验内容和结果、热平衡试验分析。并详细地介绍了这种材料的机械加工和热处理方法。此外还结合国外对碳化硅铝基复合材料的研究应用现状,提出了这种材料在中国航空航天高科技领域应用发展前景的看法。 相似文献