旋转条件下SiC 单晶片锯切力建模研究

通过理论分析和实验研究相结合的方法,对工件旋转条件下电镀金刚石线锯切割SiC单晶片锯切力进行了分析.依据磨削和动态切削理论,分析了线锯与工件运动模型、单颗金刚石磨粒的切向和法向锯切力,建立了金刚石线锯锯切力模型;进行了工件旋转条件下SiC单晶切割实验,对理论分析结果进行验证,重点对线锯速率、工件进给速率、工件旋转速率及工件未切割直径等工艺因素对切向锯切力的影响进行分析.结果表明理论分析和实验结果相对误差不大于5.2％,验证了所建模型的正确性,为探索SiC单晶片的切削机理和参数优化提供依据.     

工艺参数对SiC单晶片切割表面质量的影响

SiC单晶片表面质量对其后续半导体器件的制造有很大影响,但其材料的高硬度和高脆性,使切片过程变得非常困难。本文在往复式电镀金刚石线切割装置上采用单因素和正交法进行了SiC单晶切割实验,研究了工件转速、线锯速率、工件进给速率、线锯磨损对晶片表面粗糙度的影响规律以及三维形貌特点。结果表明:附加工件旋转运动,晶片表面质量提高,划痕减少、深度变浅;线速增大、工件旋转速率增大或工件进给速率减小,表面粗糙度值减小;线锯磨损晶片表面粗糙度值增大。相对线速和线锯磨损,工件转速和工件进给速率对晶片表面质量及粗糙度的影响更大。应在综合考虑效率和线锯损耗的基础上合理确定切割参数,尤其是工件进给速率。     

C/ SiC 复合材料喷管焊接连接技术研究

C/SiC-金属连接是C/SiC复合材料喷管应用的关键技术.本文综述了上海空间推进研究所对CVD铌和钎焊两种C/SiC复合材料喷管连接技术的分析和研究试验,指出其存在的问题和解决途径以及后续发展的重点.此外,还探讨了工业CT在复合材料喷管焊接连接件的检测情况,说明微焦点工业CT对C/SiC喷管-金属连接件具有较好的检测效果,可以为产品质量评估提供可靠依据.     

C/ SiC 与TC4 钎焊接头的热震性能

采用AgCuTi+ 10vol％～30vol％ SiC对C/SiC与TC4进行钎焊,后对钎焊接头进行室温～600℃热震试验.使用扫描电镜观察了不同钎焊工艺下,钎焊接头的界面微观组织和热震裂纹的产生情况.结果表明:随着连接材料中SiC粉末含量的增加,接头残余应力降低;采用较大间隙值钎焊工艺,当中间层内SiC颗粒含量较高时(20vol％～30vol％),经过30次热震试验后,钎焊试样未发现热震裂纹.     

一种考虑温度影响的SiC JFET的数据驱动模型

提出了基于数据驱动建模思想建立考虑温度影响的常断型SiC JFET器件模型的方法,解决了目前物理建模方法应用于功率半导体器件建模过程中器件自身结构、材料等参数获取困难的问题。根据常断型SiC JFET器件手册的图表信息并结合部分实测数据,在Saber软件中建立其热电耦合模型。通过对其静态特性和动态特性的仿真和实验研究,验证了考虑温度影响的常断型SiC JFET数据驱动模型的准确性。该数据驱动建模方法可以推广应用于其他功率半导体器件如功率SiC MOSFETs和GaN FETs等的建模。     

SiC 多孔陶瓷的仿生合成

生物拟态SiC陶瓷以硅溶胶浸渍木材模板或其碳模板结合碳热还原法制备,模板不同的显微结构对SiC多孔陶瓷的仿生合成具有显著影响.结果表明:浸渍效果取决于模板的显气孔率、孔径大小及分布均匀性.松木的浸渍效果最好,经1次浸渍,松木模板及其碳模板的增重率分别为66.5wt％和76.8wt％.经3次浸溃—煅烧循环,松木的增重率为156.8％,累积SiO2吸收量远高于柚木和连香木.模板的显微结构、循环次数、煅烧温度影响陶瓷化程度,经3次浸渍—煅烧(1 600℃)循环,由松木生成的C/SiC模板中残碳率仅为15wt％,低于由柚木或连香木生成C/SiC模板的1/3.1 600℃煅烧4次循环后,由松木模板生成的SiC多孔陶瓷中残碳率接近零,碳细胞壁转变成SiC多孔陶瓷细胞壁,其孔隙率为71 vol％.     

预处理SiC颗粒在ZA-27合金中的分散润湿过程和界面反应模型

用扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）并应用搅熔铸造工艺研究了预处理过的SiC颗粒在加镁ZA－27合金中的卷入，分散和润湿过程，在低温搅拌（470℃）时，预处理过的SiC颗粒首先呈较大尺寸团聚体被卷入ZA－27合金半固态浆料中，随后在搅拌剪切力的作用下SiC团聚体逐渐变小，且由于发生了存在于SiC表面的SiO2与由于加Mg而降低表面能的合金液间的润湿，并在旋涡能的促进下，SiC能呈单粒状分散在熔体中，在高温（550℃）搅拌时，由于SiO2与合金液中的活性原子Mg 和Al等发生界面反应，促进了SiO2与合金液间的进一步润湿，随后SiC能与合金液发生非反应润湿的主要原因是界面反应提供了无气洁净的SiC表面，结合电镜观察和热力学计算及动力学分析，确认界面反应产物是尖晶石，探讨了搅拌时界面反应的过程并建立了反应润湿的模型，得出SiC表面的残余SiO百X与反应时间t成线性关系，即X＝L－DKVmt。     

Preparation of SiC_p/Al_2O_3-Al Composites by Directed Metal Oxidation

SiCp/Al2O3-Al composites were synthesized by means of direct metal oxidation method. The composition and microstructures of the composites were investigated using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and metallurgical microscope. The effects of technical parameters on the properties of the product were analyzed. The results indicate that the composite possesses a dense microstructure, composed of three interpenetrated phases. Of them, SiO2 layer prohibits the powdering of the composites; Mg promotes the wetting and infiltration of the system and Si restricts the interfacial reaction while improving the wetting ability between reinforcement and matrix.     

SiCf+p/LY12复合材料口盖板的制备与结构刚度

介绍了利用净成型液相压渗工艺的制备的ＳｉＣ纤维与ＳｉＣ颗粒混杂增强铝合金复合材料仪器舱口盖板。利用自行设计的热外压装置，考察了口盖板在室温和４００℃一外压时的刚度变化情况。结果表明ＳｉＣｆ＋ｐ／ＬＹ１２复合材料口盖板的室温结构刚度比ＬＹ１２铝合金口板提高约５０％，４００℃下复合材料口盖板的结构刚度比ＬＹ１２铝合金口盖板提高约８０％。     

反应气体配比对C/SiC复合材料ICVI工艺沉积性能的影响

研究了均热法化学气相渗透工艺过程中反应气体浓度、配比及流动对沉积物和复合材料性能的影响，提出了一种简单反应气体在线监控法。XRD分析结果表明，当H2／MTS摩尔比在2－5之间时，可沉积出纯净均匀的碳化硅基体；而H2／MTS摩尔比小于1时，沉积物中含有大量自由碳。SEM分析表明，甲基三氯硅烷的浓度对沉积速率和沉积深度影响很大，随着甲基三氯硅烷的浓度减小，沉积深度增大，但甲基三氯硅烷的浓度减小引起沉积速率下降，沉积周期延长，确保护内反应气体流动畅通，可提高沉积的均匀性和沉积速率。