Simulation of the observed coronal kink instability and its implications for the SDO/AIA

Srivastava et al. (2010) have observed a highly twisted coronal loop, which was anchored in AR10960 during the period 04:43 UT-04:52 UT on 4 June 2007. The loop length and radius are approximately 80 Mm and 4 Mm, with a twist of 11.5 π$\pi$. These observations are used as initial conditions in a three dimensional nonlinear magnetohydrodynamic simulation with parallel thermal conduction included. The initial unstable equilibrium evolves into the kink instability, from which synthetic observables are generated for various high-temperature filters of SDO/AIA. These observables include temporal and spatial averaging to account for the resolution and exposure times of SDO/AIA images. Using the simulation results, we describe the implications of coronal kink instability as observables in SDO/AIA filters.     

Flux emergence,flux imbalance,magnetic free energy and solar flares

Emergence of complex magnetic flux in the solar active regions lead to several observational effects such as a change in sunspot area and flux embalance in photospheric magnetograms. The flux emergence also results in twisted magnetic field lines that add to free energy content. The magnetic field configuration of these active regions relax to near potential-field configuration after energy release through solar flares and coronal mass ejections. In this paper, we study the relation of flare productivity of active regions with their evolution of magnetic flux emergence, flux imbalance and free energy content. We use the sunspot area and number for flux emergence study as they contain most of the concentrated magnetic flux in the active region. The magnetic flux imbalance and the free energy are estimated using the HMI/SDO magnetograms and Virial theorem method. We find that the active regions that undergo large changes in sunspot area are most flare productive. The active regions become flary when the free energy content exceeds 50% of the total energy. Although, the flary active regions show magnetic flux imbalance, it is hard to predict flare activity based on this parameter alone.     

一种小体积低功耗微波倍频电路

针对微型相干布居囚禁（CPT）原子频标开展了小型、低功耗微波电路的研究,借助于ADS仿真,设计并实现了一种利用微带线传输微波,以阶跃恢复二极管作为非线性器件的小体积、低功耗微波倍频电路,电路面积为20mm×10mm、功耗小于10mW。测试结果表明：当输入功率为6dBm、频率为569.5MHz的信号时,获得了所需要的频率为3417MHz、功率为-9dBm的微波输出,满足CPT原子频标对微波信号的需求。     

高速流前端磁场B_z分量的变化

等离子体片高速流在磁层活动中起着重要作用,其形成机制以及与背景等离子体的相互作用日益引起关注.本文利用搭载于Cluster四颗卫星上的磁场和等离子体观测仪器,对2001和2002两年发生在磁尾等离子体片中高速流事件期间的磁场变化进行了统计研究.结果表明,在高速流前端,伴随着等离子体整体速度的增加,绝大多数高速流前端磁场的B_z分量经常出现先短暂减小然后剧烈增大的现象,符合以往利用Geotail卫星观测数据获得的统计特性.然而个例研究发现B_z的下降与上升常常是不对称的,且B_z分量下降的程度并不是总能达到反向的程度,说明这种变化特征并不一定是存在磁结构的表现.我们认为更多时候这种磁场的变化特征是高速流挤压背景等离子体磁场造成的,是相互作用的结果.当偶极化锋面形成后,由类似间断面的磁场界面反射的热离子产生抗磁效应,可能对B_z下降形成部分贡献,而B_z增加则是高速流携带磁通量堆积的效果.     

基于多用表磁感应开关测量方法研究

研究了磁感应开关的工作原理及其电气性能,提出了一种基于多用表磁感应开关电气性能测量方法,实现磁感应开关在空载和加载条件下性能指标的测量。试验验证表明,基于多用表方法能够对磁感应开关电气性能进行有效的测量,测量结果不确定度满足磁感应开关产品规范的要求。     

机械回路系统动力学分析的奇异值分解(SVD)缩聚法

本文在约束动力学系统的动力学分析中提出了奇异值分解(SVD)缩聚法,求解相应的微分代数方程组,推出了三套缩聚公式及相应的算法。SVD缩聚法计算简单,便于计算机执行,并克服了由于约束不连续而导致的数值积分的困难。     

一种新颖的零电压开关PWM三电平直流变换器

在直流变换器中，采用三电平技术可以将输入直流电压减半后加至开关管上，从而减小了开关管上的电压应力，特别适用于高输入电压场合。而带箝位二极管的零电压开关三电平（ZVSTL）直流变换器既可实现零电压开关，又可保证开关管电压应力为输入直流电压的一半。由于箝位二极管的作用，可有效消除副边整流电压尖峰。在此基础上，本文提出了一种新颖的ZVSTL直流变换器。这种变换器将原电路进行简化，去掉了其中的两个续流二极管，可达到与原电路同样的效果。文中分析了该电路的工作原理及实现零电压开关的措施，给出了600W实验样机的实验验证结果，并对该变换器的特点作了简单总结。     

基于智能功率模块PM30RSF060的驱动和保护电路设计

介绍智能功率模块PM30RSF060的原理与特性,在此基础上,提出一种基于PM30RSF060的驱动和保护电路设计方案。实际应用表明,此方案作为基于直流无刷电机驱动的稳定控制平台的驱动单元,具有良好的控制效果。     

防热瓦式防护系统缝隙热控设计规律

建立了热防护系统(Thermal protection system,TPS)缝隙气动热分析的计算流体动力学(Computational fluid dynamics,CFD)数值模型,将缝隙热流密度分布情况与平板热流进行了对比,结果表明由于缝隙的存在缝隙上端出现了热流峰值,并且缝隙迎风面热流密度大于背风面热流密度,缝隙热流密度主要集中在缝隙上端与缝隙宽度相当的区域内;采用分析获得的缝隙热流密度建立了缝隙热控分析的有限元传热模型,结果表明缝隙气动热和缝隙类空腔辐射会造成机体表面温度的升高,是造成缝隙热短路现象的原因;最后研究了缝隙几何形状(缝隙宽度、缝隙倒圆角以及缝隙台阶)对缝隙热控性能的影响,分析结果表明随缝隙宽度增加,机体表面最高温度升高。随缝隙倒圆角半径增加,机体表面最高温度降低。随缝隙台阶高度增加,台阶正差时机体表面最高温度升高,台阶逆差时机体表面最高温度降低。     

碳化硅基直流固态断路器短路保护方法

碳化硅器件比硅器件具有更低的导通电阻,用其制作直流固态断路器可以大大降低其通态损耗,减轻散热压力。然而相比于硅器件,由于碳化硅器件管芯面积小,电流密度大,其短路能力相对较弱,短路保护要求更高。为确保碳化硅器件安全可靠工作,提高碳化硅基直流固态断路器的可靠性,对比分析了硅基与碳化硅基MOSFET的短路能力,揭示了其器件恶化机理,研究了栅源极电压箝位方法,并结合去饱和检测,提出了一种基于源极寄生电感的"软关断"短路保护方法,制作了直流固态断路器样机进行实验验证。实验结果表明,所提方法可以降低功率器件的关断电压应力、抑制短路电流,适合碳化硅基直流固态断路器短路保护。