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301.
智能材料结构的研究进展   总被引:1,自引:2,他引:1  
智能材料结构是当前国内外研究的热门课题,进展很快。它的兴起将冲击材料研究部门,并引起了结构设计部门的变革。本文主要介绍埋入传感元件、驱动元件并采用人工神经网络、图形特征识别及新型声发射系统的三种强度自诊断智能结构,埋入形状记忆合金丝的大面积强度自适应结构,以及预报材料疲劳寿命、减振降噪、无舵面机翼和光电红外隐身等智能结构的研究进展。  相似文献   
302.
介绍西北工业大学NF-3低速翼型风洞稳速压控制系统的结构、控制原理和性能特点,由于采用了先进的模糊控制技术,传感器实时校准和变系数程控技术,解决了速压系统不建模自动调节,速压过程参数变化自适应和测量、控制、数据处理一体化等技术关键,使风洞速压控制达到高效和高品质性能。  相似文献   
303.
为建立主燃油计量装置的故障诊断方法,提出一种基于快速存取记录器(QAR)数据的燃油计量参数估计模型建模方法,并结合液压机械控制装置工作原理,给出了基于燃油计量参数残差设计的主燃油计量装置故障诊断方案。设计基于系统辨识的燃油计量活门位置(FMVP)估计模型,采取降阶处理策略以提高模型的估计精度和动态响应速度,在此基础上给出基于多项式拟合的燃油流量(FF)估计模型。结果表明:所建立的FMVP模型估计残差不超过±2%,FF估计模型残差不超过±5%;该方案能够有效地诊断出燃油计量活门故障、线性可变差动位移传感器故障和热式流量计故障。该方案结构简单,不需要大量的调试技术,提高了故障检测精度,具有工程应用前景。  相似文献   
304.
在某些特定情况下,某些电器系统或电路网络的运动微分方程在数学上与力传感器的运动微分方程是相似的,因而说测力传感器的机械模型与电器元件的网络模型也是相似的。从传递函数的角度讨论了这种相似性并指出了它在应变式测力传感器动态特性研究中的应用。  相似文献   
305.
根据压差归零式攻角传感器的工作原理、结构及工作条件,结合实际经验,分析了该传感器的主要失效因素,并重点分析了热失效问题;探讨了飞行中传感器探头加热器与环境之间的热交换情况。  相似文献   
306.
针对当前无线传感器网络时间同步协议通用性差的问题,提出了基于主动编程思想的时间同步协议动态切换机制,设计了能够动态适配的时间同步协议切换框架,重点讨论了节点间相互通信、时间戳标记、协议切换、本地时间与全局时间的转换等4个关键问题,并且在TinyOS(Tiny Operating System,微操作系统)平台上对新机制进行了仿真验证,比较了新机制同2种主流时间同步协议之间的性能差异.仿真结果表明:新机制能实现时间同步协议的动态配置,提高协同效率,节省切换开销,具有良好的应用前景.  相似文献   
307.
新型无位置传感器开关磁阻电机的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
提出了一种新型的基于测试线圈技术的无位置传感器方案.这种方案是通过测量导通相测试线圈的电感来获得实时转子位置的.文中对此进行了理论分析和实验验证,并成功地开发完成了一台无位置传感器开关磁阻电机原理样机.  相似文献   
308.
新型壁面剪应力传感器的出现为河口海岸工程中水下壁面剪应力的准确测量提供了新的方式。热式壁面剪应力传感器受环境温度影响显著,相关传感器的研究与应用需要准确的标定。本文基于宽扁管道内壁面切应力与沿程压力梯度的关系,研发了一种具有温控功能的水下壁面剪应力传感器静态标定装置,可实现不同水温条件下的壁面剪应力输出。该标定装置可提供的最大水温在35℃。最后通过对MEMS柔性热膜式壁面剪应力传感器在不同水温条件下的静态标定实验,确定了不同水温条件下传感器的标定系数,结果表明标定系数B与水温呈线性相关。  相似文献   
309.
在惯性导航系统/合成孔径雷达(Inertial navigation system/synthetic aperture radar,INS/SAR)组合导航系统中,传统的SAR只提供位置和航向角信息,本文引入SAR图像测速系统,实现对INS速度信息的补偿修正。同时,建立了该组合导航滤波的数学模型。针对图像匹配耗时较大、产生信息不同步的现象,本文利用INS信息增量来对SAR导航信息延迟、非等间隔以及SAR量测不在INS滤波离散间隔上所带来的误差进行修正,并进行了仿真。经过1 500s后,本导航系统导航信息没有出现发散,在飞行器出现加速、爬升、转弯等机动时,位置误差绝对值不超过36.8m,高度误差绝对值不超过18.1m,航向角误差绝对值不超过5.3′,速度误差绝对值不超过0.5m/s,并与曲线拟合法作对比,仿真结果表明本文算法能够有效提高INS/SAR组合导航系统的精度,并为其他组合导航系统提供参考。  相似文献   
310.
新型的CMOS集成硅膜压力传感器由一个含四个压阻元件的电桥电路,一个放大器和一个新设计的能抑制电源电压变化和温度漂移的激励电源电路组成。敏感元件用自准直双元硅门CMOS工艺技术制得。方形的硅膜片由异向腐蚀剂N_2H_4·H_2O经腐蚀加工而成。在0~70℃范围内,灵敏度和偏置电压的温度漂移量小于±0.5%。这些数据比常用的杂化技术制得的元件所达到的数值小。利用新设计的激励技术,当电源电压变化±10%时,灵敏的变化不超过±1.5%。  相似文献   
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