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提出了一种同步信号数据处理的算法,并给出了以此算法为软件基础,以C8051F020片上系统为硬件核心的同步信号接收单元设计方案。 相似文献
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采用无压烧结的方法,以V、Al、C混合粉末为原料制备V2AlC粉体材料。通过不同烧结温度下物相的演变过程对反应路径进行研究,同时探究了烧结助剂NaF对烧结过程的影响。实验结果表明,在1 300~1 500℃温度区间内V3Al2、C和VC发生反应生成V2AlC相,且无压烧结制备高纯V2AlC的最佳工艺为1 500℃保温2 h,元素摩尔配比为 V：Al：C=2：1.2：1。此外,烧结助剂NaF的使用加快了反应过程,并使得反应温度降至1 400℃。实验得到的高纯度、颗粒尺寸分布适中（40~100 μm）的V2AlC可用做提高材料耐磨性的增强体以及二维材料V2C的前驱体。 相似文献