全文获取类型
收费全文 | 1851篇 |
免费 | 430篇 |
国内免费 | 304篇 |
专业分类
航空 | 1325篇 |
航天技术 | 560篇 |
综合类 | 266篇 |
航天 | 434篇 |
出版年
2024年 | 12篇 |
2023年 | 35篇 |
2022年 | 78篇 |
2021年 | 91篇 |
2020年 | 91篇 |
2019年 | 91篇 |
2018年 | 126篇 |
2017年 | 118篇 |
2016年 | 115篇 |
2015年 | 94篇 |
2014年 | 153篇 |
2013年 | 110篇 |
2012年 | 132篇 |
2011年 | 145篇 |
2010年 | 119篇 |
2009年 | 134篇 |
2008年 | 91篇 |
2007年 | 105篇 |
2006年 | 102篇 |
2005年 | 94篇 |
2004年 | 64篇 |
2003年 | 52篇 |
2002年 | 48篇 |
2001年 | 49篇 |
2000年 | 32篇 |
1999年 | 38篇 |
1998年 | 50篇 |
1997年 | 38篇 |
1996年 | 29篇 |
1995年 | 23篇 |
1994年 | 27篇 |
1993年 | 17篇 |
1992年 | 22篇 |
1991年 | 22篇 |
1990年 | 14篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 11篇 |
1987年 | 3篇 |
1984年 | 2篇 |
排序方式: 共有2585条查询结果,搜索用时 31 毫秒
951.
952.
基于直接转矩控制电励磁同步电机转子励磁电流控制策略 总被引:1,自引:0,他引:1
同步电机转子励磁电流控制方式直接影响电机的运行特性。针对直接转矩控制电励磁同步电机提出一种全速度范围内转子励磁电流优化控制策略,它直接利用转矩给定和定子磁链给定计算出转子励磁电流给定值。仿真和实验结果表明:额定转速以下转子励磁电流较小,降低了转子绕组的发热;额定转速以上转子励磁电流较大,提高了电机负载能力;恒转矩区和恒功率区之间转换不需要设定过渡区,过渡平滑;全速度范围内电机的外功率因数均近似等于1。 相似文献
953.
低功耗CMOS带隙基准电压源的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了低功耗、高电源抑制比CMOS带隙基准电压发生器电路。其设计特点是采用了共源共栅电流镜 ,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路 ;使用CSMC标准 0 6 μm双层多晶硅n -wellCMOS工艺混频信号模型 ,利用Cadence的Spectre工具对其仿真 ,结果显示当温度和电源电压变化范围为 - 5 0℃~ 15 0℃和4 5V~ 5 5V时输出基准电压变化小于 1 6mV和 0 13mV ;低频电源抑制比达到 75dB。电路在 5V电源电压下工作电流小于 10 μA。该电路适用于对功耗要求低。 相似文献
954.
切向结构永磁同步电机辅助磁极的优化 总被引:10,自引:3,他引:7
为了减少切向结构永磁同步电机转轴侧永磁体的漏磁,提高气隙磁密,在切向结构永磁同步电机中合理引入辅助永磁体。辅助永磁体相对于切向永磁体的位置有3种.其中以模型b,c较为合理,永磁材料用量适中,对气隙磁通的贡献大。随着辅助磁极永磁体厚度的增加,气隙磁密增加,当永磁体厚度增加到一定值时气隙磁密开始减小(模型b)或几乎恒定(模型c),即辅助永磁体存在一个合理的厚度,该厚度与电机的极对数有关。 相似文献
955.
针对微波无线功率传输对于高功率处理能力的高效整流器需求,提出一种基于高效率功率放大器的功放-整流一体化设计思路。文章首先使用型号为CG2H40010F的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),通过谐波控制、负载牵引等方法,设计出一款工作在2.45GHz逆F类高效率功率放大器。在高效率功率放大器的基础上基于时间反转对偶理论,通过改变逆F类功率放大器电流方向,同时结合耦合器和移相器实现了高功率容量整流电路的设计。仿真结果表明,在245GHz工作频率下,功率放大器的输入功率为28dBm时,功率附加效率达到76%,输出功率40dBm;整流电路的输入功率为41dBm时,RF-DC转换效率可达到79%,整流最佳效率大于80%,显示了整流器的高功率处理能力。引入了两个单刀双掷开关实现功率放大器和整流器的功能切换,文章对核心电路功率放大器进行了实物测试,测试结果与仿真重合较好,验证了功放-整流一体化设计的可行性。 相似文献
956.
957.
958.
为实现高精度测量谐振式液体密度传感器的输出信号频率,在现有的FFT频率解算理论基础上,引入更符合实际情况的加窗插值FFT频率解算方法,并分析频率变化以及噪声对解算结果的影响。通过Matlab仿真实验对该方法中常用的窗函数进行对比分析,最终选择加入Rife_Vincent窗的插值FFT算法作为输出信号频率的解算方法,并在所设计的硬件系统上进行了实验验证,结果表明,采用加Rife_Vincent窗的插值FFT算法解算传感器输出信号的频率,其解算误差小于0.1Hz,解算精度高且易于实现。 相似文献
959.
通过分析2008年8月至2009年7月昆明站(25.6°N, 103.8°E) 中频(MF)雷达观测数据, 研究了太阳活动低年电离层D区电子密度的季节变化特性,发现D区电子密度主要呈现半年变化特征, 即在春秋季电子密度较大, 而在夏冬季则较小, 这与国际参考电离层(IRI)预测的年变化趋势不一致, 但与昆明站电离层测高仪的最低回波频率fmin的观测结果相符. 同时比较了D区电子密度半年变化与纬向风半年变化的关系, 发现二者之间保持了非常一致的变化趋势并对这种一致性的内在原因进行了分析. 相似文献
960.