推进剂供应管道的集中参数近似模型研究——模态近似模型

提出了用模态近似法建立分布参数湍流管道的集中参数近似模型的新方法,发展了适用于水力和绝热气体湍流管道的两种模态近似模型：Ｉ－Ｒ－Ｃ模态和等效层流模型。模型中考虑了频率相关摩擦损失。利用单根管道阀门关断问题的仿真计算对本文的模型进行了验证,计算结果与考虑频率相关摩擦损失的特征线方法的计算结果十分吻合。     

真空羽流场的 N-S 和 DSMC 耦合数值模拟

根据调姿发动机真空羽流场的特点,采用差分求解Ｎ－Ｓ方程数值模拟喷管内流场,用ＤＳＭＣ方法数值模拟喷管外羽流场,得到了符合流动规律的数值模拟结果。为姿控发动机喷管设计提供了参考,并为真空羽流污染研究打下了良好的基础。     

涡轮叶片榫连接结构接触变形测量方法研究

航空发动机涡轮叶片与涡轮盘的连接往往采用枞树形榫头、榫槽的连接形式,其接触面的失效以微动磨损疲劳破坏的形式出现,它与榫齿工作面的接触应力及工作面之间的滑动参数有关。本方法利用光弹性模型的形变记忆功能及云纹干涉法测量了接触面的位移场,为分析接触应力及滑动参数提供了更接近实际情况的数据;解决了带滑动的接触应力的测量方法,结合数值计算将大大推动众多工程接触问题的研究。     

某微型发动机转子高速动平衡试验研究

介绍了某微型发动机转子在高速动平衡试验台上,在一阶临界转速附近进行柔性转子动平衡的方法,步骤。介绍了临界转速及平衡转速确定的方法和结果。高速转子去平衡结果表明,在平衡转速下,使转子达到了较高的平衡精度,振幅明显下降,能安全越过临界转速,并降低了转子传给发动机机匣的振动和减少了轴承负荷。     

从叶片表面静压分布分析弯曲扩压叶栅的能量损失

对常规直叶片、正弯曲叶片及反弯曲叶片组成的３种平面扩压叶栅的叶片表面静压和出口流场在－５°,０°,５°及１０°四个攻角下进行了测量,并给出了叶片表面静压分布特性及出口流场的能量损失分布特性。本文试图从叶片表面静压分布来分析弯曲扩压叶栅的能量损失机理,探讨不同弯曲叶片在扩压叶栅中应用的变工况性能。     

圆管内表面周向三维裂纹应力强度因子的新解法

对圆管内表面周向三维裂纹应力强度因子的求解,发展了传统的能量差率方法,同时研究了新兴的双重边界元理论,并运用这两种新解法,分别获得了关于裂纹张开位移的伯努利方程的半数值半工程封闭解和基于非连续裂尖奇异单元离散的应力强度因子数值解。并讨论了应力强度因子与裂纹形状a/c及裂纹深度a的关系,两者比较分析发现,其计算结果规律是一致的,且能量差率方法更保守,也更安全。     

一种采用新型抑制函数的地形跟随控制技术

提出了一种采用新型抑制函数的地形跟随控制技术,并以某电传操纵飞机为例,设计了航迹倾角(γ)控制律,同时通过地形跟随六自由度仿真计算,比较了不同抑制函数对地形跟随性能的影响。仿真结果表明,采用该新型抑制函数后,飞机的地形跟随飞行性能得到了大大提高。     

外形设计对微喷管性能的影响

利用直接模拟蒙特卡罗法对钟形、喇叭形和锥形等三种不同形状微喷管进行管内气体流动模拟,并对不同温度及入口压力下各形状喷管的性能变化进行模拟分析,模拟中采用与实际分子碰撞过程更为接近的内能松弛模型及CLL物面反射模型。研究结果表明钟形微喷管因扩张段回流区的存在,其推力性能明显低于喇叭形和锥形微喷管,锥形微喷管的推力性能同喇叭形微喷管较为相近。三种形状的微喷管推力值都随着入口温度的升高而降低,而微喷管的推力效率随着入口温度的升高而上升,入口压力的变化对微喷管推力有较大影响,但对微喷管的推力效率影响并不显著。     

非线性主轴降维映射法在固体火箭发动机设计优化中的应用

为在二维或三维空间中表达固体火箭发动机高维设计空间,引入非线性主轴降维映射法对多维非线性设计优化问题进行降维处理。以某大型固体火箭发动机设计问题为例,将10变量4有效约束优化问题降维映射到二维空间进行研究,拟合的非线性主轴降维映射模型中,目标函数和约束函数的相对误差控制在1.5%以内。研究表明,非线性主轴降维映射法具有发现多变量非线性优化数学模型本征特性的特点,能对设计变量重要性排序;通过降维展示设计空间全景,为优化算法和优化初始点优选提供了直观、有力的工具;优化轨迹实时展示为优化算法性质研究及算法切换提供了依据;根据优化轨迹从优化结果在降维空间中的位置能够判断优化结果是否具有全局最优解特性。     

质子辐照Kapton/Al的蒙特卡罗模拟

采用蒙特卡罗方法(MC方法),模拟了质子辐照时质子的能量损失、射程、射程偏离及其产生的空位缺陷和电离能损分布。模拟结果表明:入射能量在10~300keV区间,Kapton/Al对入射质子的阻止本领主要取决于电子阻止本领,在80keV出现峰值,可作为地面模拟试验能量选取的参考;质子在Kapton/Al中的射程分布可近似看作高斯分布,质子射程及其偏离随能量增加而增加;位移缺陷和电离作用是两个相对的过程,低能时主要表现为位移缺陷,高能时表现为电离作用。