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51.
52.
研究了GH909合金在650℃长期时效后的组织和性能的变化.结果表明,合金在650℃长期时效后,针状ε和ε″相大量析出并粗化,γ'相数量增加,尺寸基本不变;合金的拉伸强度下降,塑性提高,650℃×510MPa缺口持久寿命提高.合金在650℃长期时效2000h后组织和性能比较稳定,具有较好的综合性能. 相似文献
53.
以四乙氧基硅烷为原料,以氨水为催化剂,采用Sol-gel反应合成了单分散性SiO_2小球。结果表明,通过控制原料及氨水的浓度,可以对小球的粒径(70~1 000 nm可调)进行控制;采用红外光谱、固体核磁共振、X射线衍射、扫描电镜及透射电镜等分析手段对小球的结构和形貌进行了表征。结果表明小球具有较为致密的实心结构,基本实现了无机化,并且具有较好的热稳定性能。 相似文献
54.
针对飞行器升降舵、副翼角运动的测试需求,提出了单轴捷联姿态系统的原理及算法,介绍了基于MEMS陀螺仪和加速度计的舵面运动测量仪的构成,并对测量仪的工作过程进行了仿真.仿真表明,测量仪的性能满足舵面运动测量的需要. 相似文献
55.
采用料浆法和粉末包埋渗法在Ni3Al基等轴晶合金IC6AE上分别制备了Al-Si和NiCr-CrAl涂层,并对Al-Si和NiCr-CrAl涂层及不加涂层的IC6AE合金三种试样进行900℃/20h,40h,60h,80h,100h的涂盐(5wt%NaCl 95wt%Na2SO4)抗腐蚀性能试验.试验结果表明,与Al-Si涂层试样和无涂层IC6AE合金试样相比,NiCr-CrAl涂层试样表现出最好的抗热腐蚀性能;与无涂层的IC6AE合金试样相比,Al-Si涂层试样的抗腐蚀性没有明显的改善.微观结构分析表明,无涂层的IC6AE合金在900℃时经过几个小时后就遭到了严重的腐蚀破坏.涂盐腐蚀100h后,表面生成了一层主要由Mo,Ni的氧化物组成的多孔无保护性的疏松层.对于Al-Si涂层的试样,900℃/100h腐蚀后试样表面生成了大量Mo,Ni的氧化物,此外还有少量Al2O3及NiAl3相,这些相对样品有一定的保护作用.涂覆NiCr-CrAl涂层的样品经900℃/100h腐蚀后,试样表面主要生成了连续致密的Al2O3及NiAl2O4层,并有少量的Mo,Ni的氧化物,因此对合金有着较好的保护作用,抗腐蚀性能得到了显著改善. 相似文献
56.
研究了GH909合金在700℃长期时效2000h后的组织和性能的变化.结果表明,合金在700℃时效500h后的拉伸强度下降,时效500~2000h拉伸强度趋于稳定;时效100h的650℃/510MPa缺口持久寿命提高,随时效时间的延长,缺口持久寿命下降.合金在700℃时效后性能的变化主要与γ′相和针状ε/ε″相的变化有关. 相似文献
57.
JI Lei* LI Shu-suo HAN Ya-fang JIANG Li-wu School of Materials Science Engineering Beijing University of Aeronautics Astronautics Beijing China 《中国航空学报》2006,19(Z1)
The thermal fatigue behavior of Ni3Al based superalloy IC6E during the cycles between 900 ℃/1 000 ℃ and the room tempera-ture was investigated. The experimental results indicate that the primary and secondary thermal fatigue cracks initiate inside or round the borides and then spread away along grain boundaries and/or in interdendritic areas. The fracture of borides and their separation from the matrix at interfaces are mainly responsible for the crack initiation and its spreading. At temperatures higher than 1 000 ℃, the grain boundary oxidation combined with cyclic stresses accelerates the crack growth. 相似文献
58.
59.
表面平整化技术是半导体工业的关键技术,在一定程度上制约着半导体芯片集成技术的发展,针对多层立体布线的IC全局平坦化技术,介绍了代表当今平整化技术及其未来的发展方向,其中一些技术会取代传统的CMP技术而成为IC产业的主导技术之一;叙述了超大规模集成电路(ULSI)的发展对全局平整化的具体要求;对传统的CMP技术的特点进行了分析;并论述了当今主流的IC平整化技术的原理、性能以及未来的发展方向。 相似文献
60.