激光陀螺的高频读出与自适应滤波方法的研究

针对三轴激光陀螺捷联惯导系统(LINS)中三个激光陀螺受各自抖动频率限制,读出频带不足且读出信号不同步,导致动态应用精度降低,研究并开发了一种新的环形激光陀螺(RLG)高频读出电路及信号处理方法。方案采用抖动角传感器获取RLG抖动输出结合原始输出信号构成闭环LMS自适应滤波器,通过DSP信号处理,同时用整周期采样的累积输出作补偿。给出了实现的原理框图和滤波算法。经测试,该方法提高了RLG的读出频带,解决了读出信号不同步的问题,并有效减小了RLG的输出信号噪声,提高了LINS的解算精度,为系统在高动态条件下,实现相关数据分析与误差补偿提供了前提和基础。     

高重复频率DPL激光辐照光学薄膜元件温升规律实验研究

光学薄膜是激光系统中最易损坏的薄弱环节。在高重复频率脉冲激光辐照下光学薄膜表面温度急剧上升,导致膜层应力、结构发生变化,最后出现宏观的灾难性损伤。文章采用红外热像仪实时测量了重复频率10 kHz 的DPL脉冲激光辐照下光学薄膜元件表面激光辐照中心点的温度变化,分析了影响薄膜元件温度变化的众多因素。结果表明,采用热导率较大的材料作基板的薄膜样品表面的温升较低;基板厚度越大的薄膜样品表面温升越低;薄膜表面激光辐照中心点的温度与样品的吸收峰值功率密度呈线性关系。     

C频段双线极化高隔离度微带天线设计

研究一种工作在C频段(5.25GHz^5.75GHz)的双线极化高隔离度微带天线,天线由2×2微带缝隙耦合天线阵列及其馈电网络组成。使用HFSS仿真软件对该天线进行仿真和优化,得到了较好的结果,在整个频段内驻波比低于1.30,隔离度大于30dB,天线在5.5GHz的水平极化增益达到13.53dB,垂直极化增益达到13.8dB。与常规的双线极化微带天线相比,该天线具有高隔离度、高增益的特点。     

多孔氮化硅高温氧化特性分析

采用TG-DSC、XRD、SEM、ICP 等分析手段,对某一典型多孔氮化硅样品进行4 个不同温度点的

静态和微动态连续氧化试验,最高氧化温度为1 400℃。结果表明:多孔氮化硅在0. 1 MPa 静态空气气氛下,

800℃之前,氧化反应非常微弱,800℃以上可见明显的氧化反应,1 000℃以上氧化反应加剧,增重速率加快,并

优先发生在表面与外部孔壁处,之后再发生在样品的内部孔隙处,氧化反应受界面处的化学动力学控制,以被

动氧化为主,主要生成物是SiO2,属吸热反应。当生成的SiO2 将氮化硅表面和孔壁处覆盖时,在其界面处,随

着温度的进一步升高或时间的延长,会生成Si2N2O,且需要注意防范样品可能出现脆性断裂情况。此外,同等

温度下,动态氧化气氛将加速氮化硅的氧化,特别是多孔和粉末状样品。

     

航空产品运输模拟试验结果的测量不确定度评估

航空产品制造、使用、维护过程中,需要采用公路运输模拟试验台在实验室进行运输试验,以检验产品质量。运输试验严酷等级及试验结果主要由主峰频率、加速度总均方根值及加速度功率谱密度三个参数进行控制。本文介绍了通过监测系统显示的此三个试验参数示值误差测量结果的不确定度评估方法。     

基于飞行器使用的高压薄壁气瓶的设计可靠性分析

本文对飞行器使用的承受内压的薄壁气瓶设计计算公式进行了分析,结合可靠性和概率设计理论,考虑压力、径比和材料性能等设计参数的不确定性,应用几个不同的强度设计理论,建立相应失效极限状态方程.之后对高压薄壁气瓶在相同设计输入下的可靠度进行了计算和对比分析,并对设计参数在不同强度设计理论下的敏感性进行了分析.     

铜团簇 (Cu)(n =2~7)的密度泛函理论研究

应用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-31G(d)和6-31++G(d)基组水平上对铜团簇(Cu)n(n=2~7)进行了研究,计算得到了铜团簇的各种稳定构型、总能量、团簇束缚能,以及n=4时铜团簇的红外振动光谱。通过能量最小化原理,确定了各尺寸铜团簇的最稳定构型,并利用二阶差分和分裂能理论,讨论了6种最稳定结构的生长规律,结果表明,n=4时的团簇结构最为稳定,具有明显的幻数特征,n=5时的团簇结构出现区域不稳定的特性。     

浅析T/R组件工艺集成技术对修理技术的影响

T/R组件是有源相控阵雷达的核心部件,能否实现T/R组件的深修精修将直接决定整部相控阵雷达的修理成本。本文从T/R组件组装密度、微组装工艺、气密性封装、组装无铅化以及一体化集成等方面介绍了T/R组件工艺集成技术的发展趋势,分析了这些技术对修理检测、修理工艺的影响,并对T/R组件的深修精修进行了探讨。     

退火温度对高纯钨靶显微组织和内应力的影响

采用热等静压工艺制备了高纯钨靶,并在不同温度下对其进行退火处理。采用金相显微镜、TEM、XRD和硬度计对不同温度退火的高纯钨靶的显微组织和内应力进行表征。结果表明:高纯钨靶经1200℃真空退火后,保留了热等静压后的细晶组织,晶粒未发生长大,但是位错密度却大幅度减小,晶格畸变率下降,硬度值降低,这是由于退火处理使热等静压高纯钨靶发生回复,内应力得以释放。当退火温度低于1200℃时,钨靶的内应力去除不完全,当退火温度高于1 200℃时钨靶的晶粒开始长大,故热等静压高纯钨靶的最佳退火温度是1 200℃。     

Effect of stress ratio on HCF and VHCF properties at temperatures of 20 °C and 700 °C for nickel-based wrought superalloy GH3617M

This paper attempts to investigate the effects of stress ratio and high temperature on the HCF(high-cycle-fatigue) and VHCF(very-high-cycle-fatigue) behaviors of nickel-based wrought superalloy GH3617 M. Fatigue tests over the full HCF and VHCF regimes were conducted on superalloy GH3617 M subjected to constant-amplitude loading at five stress ratios of -1, -0.5, 0,0.4, and 0.8 in environments of 20 °C and 700 °C temperatures. From experimental observation and fractographic analysis, fatigue mechanisms were deduced to reveal the synergistic interaction between high temperature and stress ratio on the HCF and VHCF behaviors of superalloy GH3617 M. A phenomenological model was crafted from available fatigue design knowledge to evaluate the synergistic interaction, and a good correlation between predictions and experiments has been achieved.