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761.
在雷达吸波材料(RAM)涂覆位置影响球面收敛喷管(SCFN)雷达散射特性的结论上,研究了雷达吸波材料的脱落对SCFN雷达散射截面积(RCS)缩减效果的影响规律,采用加入阻抗边界条件的迭代物理光学(IPO)方法,计算了SCFN在5种不同脱落概率下的电磁散射特性。研究结果表明:吸波材料涂层的脱落会增加SCFN的RCS幅值;在俯仰探测面当脱落概率达到0.7时,依然能够保持68.19%的RCS缩减能力;在偏航探测面,当脱落概率达到0.5时,需要及时对吸波材料涂层进行修复。 相似文献
762.
首先,采用碳纤维增强树脂基复合材料(CFRP)与Al制备不同搭接长度双搭接胶接试验件,利用万能试验机进行拉伸试验,获得载荷-位移曲线和胶接接头失效形貌。然后,依据试验数据,基于连续损伤力学模型和3D Hashin失效判据模拟CFRP层合板损伤与演化,使用内聚力模型模拟胶层和基体损伤,获得CFRP层间应力分布与截面应力分布曲线。最后,在此基础上分析不同搭接长度下双搭接接头载荷-位移曲线与接头破坏模式,研究CFRP内部铺层应力分布对失效形貌影响,探究不同搭接长度下双搭接接头破坏机制。结果表明:搭接长度由20 mm增加至40 mm时,胶接接头力学性能显著提高;搭接长度大于40 mm后,搭接长度对力学性能的影响逐渐减弱。拉伸载荷导致90°纤维附近基体的1和2方向应力较大,产生应力集中,接头发生剪切与剥离破坏。双搭接接头失效过程为一侧发生剪切与剥离破坏,接头转变为单搭接结构,之后瞬间发生失稳,较大的剥离力使接头另一侧发生破坏。 相似文献
763.
764.
本文提出了一种利用微波频域干涉仪(FDI)测量伤的深度的新方法——“计算机辅助分析法”,并采用频域干涉、多路相关处理和数字信号处理等项技术研制出一套检测性能良好的二厘米波段FDI,为非金属材料的无损探伤提供了实用的检测装置。使用二厘米波段FDI可检测出非金属构件的内部伤,并可定量测量伤的深度、厚度和面积,其深度测量误差小于±0.5mm。 相似文献
765.
密封材料空间环境失效分析 总被引:5,自引:0,他引:5
吴国庭 《中国空间科学技术》1997,17(6):40-44
对空间环境造成载人航天器密封材料的各种失效机理进行了分析。材料低温脆化,高温时表面脆化;真空时材料内挥发成份的溢出,使材料渗透性增大;辐照使密封件失去弹性:这些是空间环境中温度、真空和辐照使密封失效的主要原因。真空条件下,密封件挥发成份中的可凝物在光学元件表面的凝聚从而破坏表面光学特性,是密封设计中一个值得重视的现象。 相似文献
766.
局部涂敷RAM复杂目标的电磁散射特性计算 总被引:1,自引:0,他引:1
李建辉 《北京航空航天大学学报》1998,24(3):256-259
给出了平行和垂直极化平面波投射到物体时散射场的通用表达式,阐述了确定目标主要回波源位置的方法,提出选取吸波材料涂敷区域的有效方法,同时分析了局部涂敷吸波材料(RAM)的复杂目标电磁散射特性的计算,最后给出计算结果,并经验证.这种方法提高了复杂目标雷达散射截面计算的精度,适用于工程应用. 相似文献
767.
768.
769.
Passive intermodulation(PIM) has gradually become a serious electromagnetic interference due to the development of high-power and high-sensitivity RF/microwave communication systems, especially large deployable mesh reflector antennas. This paper proposes a field-circuit coupling method to analyze the PIM level of mesh reflectors. With the existence of many metal–metal(MM) contacts in mesh reflectors, the contact nonlinearity becomes the main reason for PIM generation. To analyze these potential PIM sources, an equivalent circuit model including nonlinear components is constructed to model a single MM contact so that the transient current through the MM contact point induced by incident electromagnetic waves can be calculated. Taking the electric current as a new electromagnetic wave source, the far-field scattering can be obtained by the use of electromagnetic numerical methods or the communication link method. Finally, a comparison between simulation and experimental results is illustrated to verify the validity of the proposed method. 相似文献
770.
采用TG-DSC、XRD、SEM、ICP 等分析手段,对某一典型多孔氮化硅样品进行4 个不同温度点的
静态和微动态连续氧化试验,最高氧化温度为1 400℃。结果表明:多孔氮化硅在0. 1 MPa 静态空气气氛下,
800℃之前,氧化反应非常微弱,800℃以上可见明显的氧化反应,1 000℃以上氧化反应加剧,增重速率加快,并
优先发生在表面与外部孔壁处,之后再发生在样品的内部孔隙处,氧化反应受界面处的化学动力学控制,以被
动氧化为主,主要生成物是SiO2,属吸热反应。当生成的SiO2 将氮化硅表面和孔壁处覆盖时,在其界面处,随
着温度的进一步升高或时间的延长,会生成Si2N2O,且需要注意防范样品可能出现脆性断裂情况。此外,同等
温度下,动态氧化气氛将加速氮化硅的氧化,特别是多孔和粉末状样品。
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