氢氧火箭发动机羽烟紫外辐射参数反演研究

针对氢氧火箭发动机羽烟紫外辐射特性参数分析,提出一种基于紫外CCD(change coupled device)相机采集的单幅辐射图像,同时反演羽烟内紫外辐射源项和吸收系数的方法.该方法将羽烟简化为发射-吸收轴对称介质,通过对辐射图像数据进行Able变换得到三维介质内辐射强度分布,利用最小二乘法将反演问题转化为使计算得到的与Abel变换得到的辐射强度误差最小的最优化问题,然后利用共轭梯度法求解该最优化问题.通过在求解正问题得到的准确值的基础上添加随机噪声,模拟辐射图像数据,分析了测量误差对算法反演精度的影响.结果表明:该算法对测量误差不敏感,能够准确的重建羽烟内的辐射源项和吸收系数分布.      

基于Tanaka-Mura模型的电子束焊接头疲劳裂纹萌生模拟

为揭示高温合金电子束焊接头的疲劳特性,对其开展了疲劳裂纹萌生数值模拟研究。考虑焊缝区微观组织特性,对Voronoi图法进行改进,建立了焊缝区包含柱状晶、细等轴晶及粗等轴晶的混合晶区微观组织模型;对ABAQUS进行二次开发,考虑晶粒随机取向,生成晶粒多滑移带模型。基于Tanaka-Mura位错滑移模型,编写了疲劳裂纹萌生算法,考虑晶界处裂纹的连接与合并,对算法进行了改进,并结合有限元计算建立了电子束焊接头疲劳裂纹萌生数值模拟方法。基于上述方法对GH4169电子束焊接头不同载荷大小的疲劳裂纹萌生进行数值模拟,分析了裂纹萌生过程及萌生寿命,并与试验结果进行对比验证;还探讨了不同热影响区晶粒尺寸对焊接接头疲劳裂纹萌生的影响规律。结果表明,电子束焊接头疲劳裂纹均萌生于热影响区,但随着载荷水平的提高,萌生位置向熔合区一侧靠近;当热影响区晶粒尺寸与母材区晶粒尺寸越接近时,接头疲劳寿命越长。     

旋转热源传热特性的理论研究

研究了旋转热源的热传导问题，并将其简化为一维、旋转的周期性脉冲热源传热问题。类似于流体流动，一组新的由旋转角速度ω、热物性参数和几何尺寸组合而成的无量纲拟贝克数Pe1，Pe2．毕奥数Bi被导出。结果表明．它们对传热过程起决定性作用。尤为重要的是，数值仿真对每周转的温度分布给出了微观的“精细”结构和宏观的“粗糙”结构，两的差别取决于上述无量纲数的不同组合，显示了上述几个无量纲准则数的相对关系对传热特性的影响。     

全位置自动焊管机TIG焊电源研制

本文介绍了一种适用于管－管、管－板对接的全位置自动TIG焊晶体管电源，该电源采用可编程控制器控制，具有直流／脉冲功能，焊接参数在4个区间内可分别预测，试验表明，该电源区间过渡时电弧稳定，抗干扰能力强，焊缝均匀、连接。     

ADI-FDTD在激励源和完纯导体边界处的精确格式

证明了当采用交替方向隐式时域有限差分法(AD I-FDTD)计算时,完纯导体和激励源处的算法格式与无源空间的算法格式不同,并推导了AD I-FDTD算法在源和完纯导体所在网格处的精确格式。利用常规的FDTD、无源空间的AD I-FDTD以及在源和导体处采用精确格式的AD I-FDTD,分别计算了点源激励的在自由空间传播的二维TE波、TM波垂直入射于金属条带FSS的散射场。计算结果表明,如果计算域中包含导体或激励源,直接采用通常的AD I-FDTD格式会带来很大的计算误差,而采用该精确格式后,计算结果与FDTD的计算结果吻合,从而证明了本文导出的AD I-FDTD在导体和激励源处的精确格式的正确性和使用的必要性。     

小波聚类算法在本科招生生源质量分析中的应用

招生是高校人才培养工作的首要环节,生源质量的好坏直接关系到高校的人才培养质量.随着我国高等教育招生制度的改革、发展和完善,自主招生越来越受到高校的重视,优质生源的竞争日趋激烈.本文将小波阈值方法引入到数据的聚类分析中,建立了一种新的数据挖掘模型并应用到在校学生学习成绩信息的分析研究中,对建立科学的本科招生生源质量评价体系进行了初探,分析结果对高校招生管理工作起到了科学指导和辅助决策作用.     

标准压力源自校准方法探讨

当前以压力传感器为一次仪表组成的标准压力源,用软件实现自校准既可提高校准效率,又能提高仪器的性价比.对标准压力源的软件自校准方法进行了探讨.     

利用栅网控制空间等离子体环境效应模拟中的等离子体参数

通常采用ECR等离子体源产生的等离子体的温度和密度都比较大，通过附加适当目数的栅网，并在栅网上加一定的偏置电位来对等离子体参数，尤其是温度，密度进行调整，满足空间等离子体环境模拟要求，本文利用14目，25目的栅网，对已有的地面实验室空间等离子体环境进行了改进，得到了更加接近空间等离子体参数的一个地面模拟环境。     

二次包封CMOS器件电子辐照实验研究

对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封，研制了试验电路板，在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试．结果表明，二次封装的器件抗总剂量的能力提高了1—2个数量级，得到了预期的数据和结果．这些工作为商用器件的空间开拓使用提供了很好的途径．     

无电阻CMOS带隙基准电压源的设计

设计了一种高准确度无电阻的带隙基准电压源。该电路采用差分结构的电压传输单元来代替电阻,并且没有使用运算放大器,从而避免了运算放大器所带来的高失调和必须补偿的缺陷。电流源采用共源共栅结构,提高了电源抑制比。增加了启动电路,保证电路可以正常工作。在0.6μm CMOS工艺条件下,电路的各项性能指标采用Sm artSp ice进行模拟验证,结果表明有效温度系数可以达到6×10-6/℃,电源电压从3.8 V变化到5.5 V时,输出的基准电压波动不到3 mV。