防溅射靶对离子推力器背溅射沉积污染的影响

针对目前对真空舱背溅射沉积污染的计算模型误差较大的问题,对地面实验中离子推力器的背溅射沉积污染效应开展了研究,提出了更精确的计算模型。由于Reynolds的模型对束流密度在轴向上误差较大,采用改进型的离子束流模型对偏离推力器80 cm位置的真空舱背溅射沉积率做了计算,并与实验结果对比校验,结果吻合较好。用校验过的模型对光舱环境和防溅射靶环境的背溅射沉积效应开展研究,研究结果显示:光舱工况的返流沉积率为2.36×10-10 g/(cm2·s),安装防溅射分子屏的工况在推力器上的背溅射沉积率为2.51×10-11 g/(cm2·s),结果表明添加防溅射分子屏后背溅射沉积污染量可以降低近1个量级。      

异形构件化学气相沉积SiC涂层的数值模拟

根据化学气相沉积(CVD)工艺制备SiC陶瓷涂层的工艺特点和典型异形构件的结构特点,建立了异形构件表面化学气相沉积SiC涂层的数学模型。利用该模型,对CVD法在典型异形表面制备SiC涂层进行了数值计算和分析。计算结果显示,带有斜面的构件对CVD SiC沉积过程有显著影响,在反应器大小允许的情况下,构件放置时,斜面与水平面的夹角越小越好,并尽可能将构件长的一面与水平面平行,这样有利于沉积的涂层均匀。此外,对于带有台阶的构件来说,正放的构件表面浓度大于倒放的构件,而浓度梯度则小于倒放的构件。因此,在实际应用中,应尽量使台阶部分放在气流的下游。上述研究结果对CVD工艺制备SiC涂层的优化具有一定的指导意义。     

8cm汞离子推进器样机用小孔空心阴极设计

对小孔空心阴极内部放电物理过程作了描述。根据8cm 汞离子推进器与阴极相关的设计参数,计算了阴极内部压强、粒子密度、初始电子能量平均交换自由程等参量,因而设计出阴极发射体、阴极顶小孔等主要尺寸。复核了阴极发射电流。对阴极热平衡、加热器工作参量作了计算,并与实验结果进行了比较。根据阴极在推进器中工作方式,对阴极结构设计进行了描述,包括材料选择和等离子体喷涂工艺制造。给出了长期阴极热模拟实验结果。     

低纬100—200km间电子数密度的变化

利用光化平衡模式计算了低纬100—200km间白天电子数密度的变化。求得E-F₁谷区的谷深,谷宽、谷高的变化特征。获得如下结果:a.太阳活动明显影响电子数密度随高度及太阳天顶角的变化,发现太阳活动指数与电子数密度间不仅存在正相关,而且存在负相关;b.太阳活动明显影响E-F₁谷区的形态。在一定太阳活动条件下,对同一太阳赤纬和地理纬度,谷深、谷宽与太阳天顶角的关系难以用一简单函数来表示;c.太阳耀斑、地磁活动对该区电子密度有明显影响;d.在讨论100—200km间电子密度时不能忽略O+（2P）和NO的光电离率。      

赤道异常峰区电离层的某些特点

由于赤道异常北峰覆盖我国整个南部地带,因此对峰区电离层特征的研究就成为掌握中国电离层特点的关键之一。本文试图对以下六个问题作些介绍和评述:1.逐日起伏和子夜前极大;2.峰位置的移动;3.赤道异常的经度效应;4.不均匀结构引起的强闪烁和快速法拉第衰落;5.顶部电离层的离化突起和中性赤道异常;6.粒子沉降的双峰分布.      

一氧化氮对电离层电子密度的影响

本文利用电离层电子密度的理论计算模式,研究了一氧化氮对中、低纬度100-200km间电子密度的影响,发现电子密度与一氧化氮密度间存在着正、负相关。正相关,只有当这一光电离成为一氧化氮离子的主要生成源时才出现。      

太阳X射线暴在地球大气中传输的Monte Carlo模拟

应用MonteCarlo方法对太阳X射线暴(1-8?及0.5-4?)与地球大气相互作用过程进行跟踪模拟,得到了X射线暴在电离层D层产生的电子产生率,并计算了由此产生的宇宙噪声吸收值。结果与作者在南极观测得到的X射线暴期间宇宙噪声吸收值符合较好.      

卫星用粒子探测系统

设计了一个卫星用电子和质子探测系统,电子和质子能量范围各为0.5～4MeV 和5～60MeV。系统具有质量轻、功耗低及可靠性高特点。     

喷射沉积高温合金的显微组织及其力学性能

介绍了三种典型高温合金喷射成形坯件的制备工艺,并对其显微组织和力学性能进行了分析和测试。研究表明,喷射成形高温合金坯件整体致密度高,含氧量低,化学成分均匀,组织细小,并具有优异的综合力学性能。     

喷雾共沉积石墨增强锌基复合材料的低频内耗

 在ZA27合金中添加50mg.g-1Si并采用喷雾共沉积技术制备了石墨颗粒体积分数分别为5%,10%,15%的锌基复合材料。采用多功能内耗仪对材料的低频内耗（1Hz,4Hz）行为进行了测量。结果发现,复合材料的内耗值大小与温度显着相关,较低温度时复合材料的内耗值低于喷雾沉积材料;随着温度的上升,40℃以后高于喷雾沉积材料;同时随石墨颗粒体积分数的增加,复合材料的内耗值逐步提高且不同频率条件下内耗相等时所对应的温度值线性上升。分析了石墨复合前后材料的主要内耗机制。