EBPVD 金属/陶瓷微层复合材料的研究与应用

介绍了电子束物理气相沉积(EBPVD)法制备微层复合材料的优点，详述了其四种不同材料体系的设计思想，同时对制备金属／陶瓷微层复合材料的具体气相沉积技术进行了介绍。     

TiN膜离子注入与沉积工艺研究

采用离子注入、沉积、动态混合注入沉积工艺,在硅基体上制备TiN膜层.用纳米划痕法检测成膜质量,用扫描电镜观察划痕形貌.对比分析结果表明,动态混合离子注入沉积工艺对提高膜层与基体的结合性能效果显著.     

化学气相沉积法制备铼管的研究

采用化学气相沉积方法研制成功我国第一只铼管(φ12.5mm×30mm),研究了铼管的组织结构和其他性能.金相及扫描电镜观察表明,化学气相沉积法制备的铼材基本无缺陷,密度接近理论值;维氏硬度测量值高于加工态工业铼片.化学气相沉积是一种制备铼管的可行且有效的方法.     

Electron coronal density irregularity\overline {n^2 } /(\bar n)^2 from measurements of K-coronal and lyman lines brightnesses

We propose a technique to derive the coronal density irregularity factor , wheren is the electron density. The absolute photometric comparison between the intensity of UV lines and the white-light K-coronal polarized brightness (pB) provides an unique constraint on the inhomogeneity of the corona. The ratio of the measured H I Lyman (Ly-) line intensity to the resonant-scattering dominated H I Lyman (Ly-) intensity can be used to extract the collisonal component of the Ly-. This component yields an estimate of . The quantity is then obtained from white-light K-coronal measurements. The use of lines of the same atomic species minimizes the effects due to outflow velocities (i.e., Doppler dimming), and reduces the errors introduced by the uncertainties in the ionization balance, the atomic parameters, and the solar abundances. The UVCS/SOHO unique capability of performing cotemporal and cospatial measurements of the Ly- and Ly- lines, and ofpB makes this instrument ideal for implementing this technique.     

C/C复合材料致密化制备技术发展现状与前景

综述了C／C复合材料致密化制备技术，分析比较了化学气相渗透工艺、液相浸渍工艺及化学液－气相沉积工艺的优缺点。认为化学气相沉积工艺在过去一些年中发展很快，但它的工艺周期长；液相浸渍工艺繁杂，其浸渍炭化和石墨化工序需反复多次（通常4－6次），因此其效率也比较低；而液－气相沉积工艺周期短、效率高，很有发展潜力，当前急需开展该沉积技术原理的研究及改进其实验设施。     

FY-2C星辐射定标及其结果分析

介绍了风云二号(FY-2)C星发射前后红外与水汽波段的地面真空辐射定标、星上黑体定标和地面辐射校正场定标,以及可见光波段的地面太阳定标、积分球定标、地面辐射校正场定标和太阳像的原理与方法.给出了C星不同波段不同定标法的结果.分析表明,C星采用的定标方法均有效,并互为补充和验证.为进一步提高定标精度,还可对环境温度模拟、二次曲线拟合、减小积分球定标误差和光谱响应等作相应的改进.     

低成本炭/炭复合材料的研究进展——化学液相沉积工艺

简述了制备炭/炭复合材料的新工艺——化学液相沉积(CLD)的沉积原理。利用工业燃油作为裂解炭前驱体,炭纤维毡作为增强体,通过工艺参数控制得到低成本炭/炭复合材料。CLD工艺所得材料沉积密度1.6 g/cm3,轴向压缩强度92 MPa,等离子烧蚀率0.06 mm/s,与CVD工艺所得材料相近。与常规CVD工艺相比,CLD工艺制备的C/C复合材料在制备时间上缩短了4/5,致密速率快5倍多。所得基体裂解炭为粗糙层与光滑层结构(大部分为粗糙层结构)。基体炭与炭纤维接合界面适中,且呈洋葱状分布,从而材料具有一定韧性。     

大尺寸金刚石膜生长中等离子体弧源的稳定性

保持等离子体弧源稳定性对于制备大尺寸平面金刚石膜极其重要,故从理论和实验两个方面对等离子体弧源稳定性进行了分析。研究表明,为了保持弧源的稳定,必须在生长过程中,保持稳定的电子温度和均匀的活性原子及原子基团密度。金刚石膜在某些条件下长时间生长时,会发生阳极环积碳现象,导致等离子体弧源扰动失稳,从而引起生长的金刚石膜含有石墨杂质。通过预处理阳极环、控制碳源、加大氢气量等措施可保持弧源稳定。在此条件下生长金刚石膜,经SEM,Raman分析表明,其晶粒均匀、晶界清晰,仅有金刚石特征峰出现。     

PCB高稳定性化学镀铜工艺研究

通过正交试验得到了化学镀铜速率适中而稳定性极高的化学镀铜工艺；采用PdCl2加速分解实验研究了多元合剂化学镀铜液的稳定性。结果表明：使用多元络合剂时存在交互作用可大大延长镀液的分解时间，同时使镀液的全面分解转变为少量颗粒上的缓慢分解。稳定剂的加入主要是抑制Cu^ 的生长，同时也降低了金属铜的生长速率。     

磁暴期间中纬度电离层剖面结构变化的数值模拟

利用电离层理论模型模拟了磁暴期间热层大气温度、成分、中性风和电场扰动对电离层电子密度剖面结构，特别是峰值密度和峰值高度变化的影响，结果表明，热层大气温度变化所引起光化反应系数的改变对电离层剖面结构影响不大；热层大气成分特别是Ｎ２／Ｏ的变化能有效地引起密度剖面变化，Ｎ２增加足以使峰值密度产生所观测到的负相暴；由中性风和电场引起等离子体漂移是峰值高度ｈｍＦ２变化的主要原因，但对电子密度的影响不足以抵消