包渗法制备Cf/SiC陶瓷基复合材料MoSi2-SiC-Si防氧化涂层

采用包渗法制备了Cf/SiC陶瓷基复合材料MoSi2-SiC-Si防氧化涂层,研究了渗层同埋粉关系,包渗时间对包渗结果的影响,并对涂层防氧化性能进行了分析,结果表明：包渗法制得的涂层致密,无裂纹,涂层起到了良好的防氧化作用,1400度在空气中氧化1h后试样的质量保留率为94．1％,保留强度为294．0MPa。     

一种用于电子薄膜导热系数和发射率测量的实验方案

薄膜传热性能对微电子设备的传热能力及其性能和可靠性有重大影响,测量薄膜的热物性参数并进一步研究其影响因素,可为微电子电路的设计和发展提供科学依据。评述了薄膜导热系数测量和研究的现状,在此基础上提出了一种新的能同时测量衬底薄膜导热系数和发射率的实验方案,并通过建立衬底薄膜试样传热的数学模型和分析推导,论证了该实验方案的可行性。本实验方案可推广应用于确定淀积在衬底薄膜上各种极小厚度薄膜的导热系数和发射率。     

碳纤维含量对Cf/SiO2复合材料组织与性能的影响

采用真空热压烧结工艺制备了碳纤维体积分数分别为20%、40%和60%的高致密Cf/SiO2复合材料,研究了碳纤维含量对其组织结构、力学性能、热膨胀特性和抗氧化性能的影响规律.结果表明SiO2基体及20%Cf/SiO2复合材料中,Si2仍保持非晶态,碳纤维含量为40%和60%时,Si2发生部分析晶;Cf/SiO2复合材料的抗弯强度、断裂韧性和断裂应变,随碳纤维含量增加均呈现先降低后又增加的趋势,而弹性模量则先增后降;60%Cf/Si2表现出明显伪塑性;碳纤维含量增大,使复合材料的热膨胀系数成倍增加,抗氧化性变差.     

Ti2AINb基合金的ISM熔炼研究

讨论了Ti2AINb基合金的熔炼特点，概括介绍了真空水冷铜坩埚感应激壳熔炼的设备结构原理和工艺技术，结合Ti2AINb基合金的熔炼实践，研究了合金元素的加入形式、熔炼室真空度对合金铸锭的均匀性以及合金中Al挥发烧损的影响规律。结果表明：采用水冷铜坩埚真空感应凝壳熔炼Ti2AINb基合金，合金铸锭成发均匀性很好，随着熔炼工艺的不同，Al挥发烧损在5%～10%(质量分数）之间。     

2.5D石英纤维织物增强二氧化硅基复合材料弯曲性能测试研究

简要介绍了2．5D石英纤维织物增强二氧化硅基复合材料弯曲性能测试装置，通过对比试验研究了试样跨厚比、变形测量等对材料弯曲性能的影响，用数理统计的方法对总体均值进行了显著性检验，合理确定了材料弯曲性能测试的试验参数。     

碳纤维含量对Cf/SiO2复合材料组织与性能的影响

采用真空热压烧结工艺制备了碳纤维体积分数分别为20％、40％和60％的高致密Cf/SiO2复合材料，研究了碳纤维含量对其组织结构，力学性能、热膨胀特性和抗氧化性能的影响规律。结果表明：SiO2基体及20％Cf/SiO2复合材料中，SiO2仍保持非晶态，碳纤维含量为40％和60％时，SiO2发生部分析晶；Cf/SiO2复合材料的抗弯强度、断裂韧性和断裂应变，随碳纤维含量增加均呈现先降低后又增加的趋势，而弹性模量则先增后降；60％Cf/SiO2表现出明显伪塑性；碳纤维含量增大，使复合材料的热膨胀系数成倍增加，抗氧化性变差。     

4-苯氧基邻苯二甲腈的合成研究

以4-硝基邻苯二甲腈和苯酚为原料，DMSO为溶剂，在K2CO3存在下80％进行硝基亲核取代反应制得了4-苯氧基邻苯二甲腈化合物。反应过程中采取两步法合成，首先使苯酚和K2CO3反应生成酚盐，然后再与4-硝基邻苯二甲腈反应生成目标产物。该反应过程平稳，产物经重结晶提纯后，收率为97．7％，熔点为102—103℃。傅里叶红外光谱和核磁共振氢谱的测定结果证明了产物的分子结构。     

JL8飞机安装XZG—2型综合告警器的质量控制及管理方法

介绍了ＸＺＧ－２型综合告警器质量控制和管理的方法与措施。     

基于S1,S2流面理论的液体火箭发动机涡轮内部流场计算

应用S1,S2流面理论对某大型液氢/液氧火箭发动机涡轮泵的两级轴流式涡轮内部跨声速流场进行计算和分析。流面的求解采用流线曲率法。将混合平面法的思想用于流线曲率法的求解过程中,对动、静叶排之间的相互干扰进行处理,将复杂的非定常问题简化为定常问题,从而简化计算。粘性的影响通过几种损失系数进行修正。计算结果较好地描述了涡轮内部的流动情况,为进一步完善涡轮设计、提高涡轮性能提供了理论依据。     

基于MC145152-2芯片的频率合成器的设计

主要介绍了频率合成芯片MC145152—2的主要特征、功能以及工作原理。运用MC145152—2芯片设计1800MHz频率合成器电路,从器件选取、参数分析、硬件电路构成等方面介绍了1800MHz频率合成器电路,试验测试中验证电路具有较低的相位噪声和较高的频率稳定度,与传统的频率合成器电路相比,性能有了很大的提高。