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741.
难熔金属碳化物的加入可有效提高C/C材料的抗烧蚀性能,并成为近年来国内外研究的热点。文章主要介绍了中南大学在难熔金属碳化物TaC改性C/C材料制备技术方面的研究工作,主要包括含有Ta2O5的树脂/沥青浸渍-高温处理原位反应生成TaC的工艺方法、用含有有机Ta的树脂浸渍-高温处理原位反应生成TaC的工艺方法、预制体编织过程中加入TaC制备C/C-TaC的工艺方法、基于化学气相渗透法制备TaC及SiC/TaC中间界面层改性C/C材料的工艺技术以及基于化学气相沉积法制备抗烧蚀TaC及SiC/TaC难熔金属碳化物涂层的工艺技术。 相似文献
742.
743.
744.
高温处理对PCS裂解SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用聚碳硅烷(PCS)作为先驱体,通过浸渍裂解法制备C/C-SiC材料,分别经过1 400、1 500、1 600℃高温处理,研究了不同处理温度对SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料力学性能和抗氧化性能的影响。结果表明,3种处理温度下,SiC的晶型主要为β-SiC。温度升高,晶粒尺寸增大,1 500℃以后生长速度减缓;SiC微晶优先沿着(111)晶面生长,(220)和(311)晶面的生长取向逐渐增加。处理温度升高,C/C-SiC材料的弯曲强度和剪切强度不断下降。1 400℃处理后,C/C-SiC材料的断裂方式呈现出非常明显的韧性断裂。C/C-SiC材料在1 500℃静态空气中的氧化失重率随高温处理温度的升高而逐渐增大,氧化程度越来越严重,断面典型区域的氧化形貌由"尖笋状"成为"梭形"。 相似文献
745.
746.
747.
本文详细介绍了一种利用TI公司生产的16位定点DSP芯片TMS320C5402以及数字式温度传感器DS1820实现的温度监测及调节系统的硬件和软件实现方法。该系统以TMS320C5402为核心,配以检测电路、显示电路、报警电路、控制电路,从而实现智能温度监测及控制服务。由于系统硬件开销小,实时处理能力强,因此具有较高的应用价值。 相似文献
748.
张建军 《桂林航天工业高等专科学校学报》2001,6(4):8-10
该文介绍了利用AT89C2051设计的自动换档频率计,该频率计具有精度高,测频范围较宽,自动换档,价格低等优点,具有很高的性能价格比。 相似文献
749.
软件插补处理的新方法——比较积分法 总被引:3,自引:0,他引:3
本文以直线三坐标,曲线两坐标为例。介绍了一种新型插补方法—比较积分法,用这种插补方法,提高了插补的效率,提高了运动平稳性,使速度均匀。直线插补适合于多坐标联动运动。 相似文献
750.
简要地对我国航天陆基测控网的状况进行了介绍,分析了测控资源冲突的形成原因,表明了建立智能化测控资源分配决策支持系统的重要性。并在此基础上,提出了该系统的设计思想,系统结构、功能及其实现方法。该系统融合了丰富的测控资源分配和管理知识,采用定性推理和定量计算相结合的工作方式进行决策问题的求解,最终实现一个基于知识的决策系统,按照本文提出的系统构造,已经开发了有关分系统,而且在神州四号飞船和多颗卫星的测控任务中进行了应用,表明系统的构造是有效的。 相似文献