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671.
反应气体配比对C/SiC复合材料ICVI工艺沉积性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了均热法化学气相渗透工艺过程中反应气体浓度、配比及流动对沉积物和复合材料性能的影响,提出了一种简单反应气体在线监控法。XRD分析结果表明,当H2/MTS摩尔比在2-5之间时,可沉积出纯净均匀的碳化硅基体;而H2/MTS摩尔比小于1时,沉积物中含有大量自由碳。SEM分析表明,甲基三氯硅烷的浓度对沉积速率和沉积深度影响很大,随着甲基三氯硅烷的浓度减小,沉积深度增大,但甲基三氯硅烷的浓度减小引起沉积速率下降,沉积周期延长,确保护内反应气体流动畅通,可提高沉积的均匀性和沉积速率。 相似文献
672.
673.
混沌码用作测控扩频码的可行性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了混沌码的基本特性,提出用混沌码作为测控扩频码的构想,并讨论了混沌码扩频测控体系构成,以及体系中的关键技术,从而论证混沌码扩频测控体制的可行性,研究表明混沌码比传统扩频码有更强的保密和抗多址干扰特性。 相似文献
674.
基于TMS320C5402的温度监测及调节系统 总被引:1,自引:0,他引:1
本文详细介绍了一种利用TI公司生产的16位定点DSP芯片TMS320C5402以及数字式温度传感器DS1820实现的温度监测及调节系统的硬件和软件实现方法.该系统以TMS320C5402为核心,配以检测电路、显示电路、报警电路、控制电路,从而实现智能温度监测及控制服务.由于系统硬件开销小,实时处理能力强,因此具有较高的应用价值. 相似文献
675.
难熔金属碳化物的加入可有效提高C/C材料的抗烧蚀性能,并成为近年来国内外研究的热点。文章主要介绍了中南大学在难熔金属碳化物TaC改性C/C材料制备技术方面的研究工作,主要包括含有Ta2O5的树脂/沥青浸渍-高温处理原位反应生成TaC的工艺方法、用含有有机Ta的树脂浸渍-高温处理原位反应生成TaC的工艺方法、预制体编织过程中加入TaC制备C/C-TaC的工艺方法、基于化学气相渗透法制备TaC及SiC/TaC中间界面层改性C/C材料的工艺技术以及基于化学气相沉积法制备抗烧蚀TaC及SiC/TaC难熔金属碳化物涂层的工艺技术。 相似文献
676.
677.
678.
高温处理对PCS裂解SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用聚碳硅烷(PCS)作为先驱体,通过浸渍裂解法制备C/C-SiC材料,分别经过1 400、1 500、1 600℃高温处理,研究了不同处理温度对SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料力学性能和抗氧化性能的影响。结果表明,3种处理温度下,SiC的晶型主要为β-SiC。温度升高,晶粒尺寸增大,1 500℃以后生长速度减缓;SiC微晶优先沿着(111)晶面生长,(220)和(311)晶面的生长取向逐渐增加。处理温度升高,C/C-SiC材料的弯曲强度和剪切强度不断下降。1 400℃处理后,C/C-SiC材料的断裂方式呈现出非常明显的韧性断裂。C/C-SiC材料在1 500℃静态空气中的氧化失重率随高温处理温度的升高而逐渐增大,氧化程度越来越严重,断面典型区域的氧化形貌由"尖笋状"成为"梭形"。 相似文献
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680.