S、C和X波段雷达系统的T／R“芯片”

介绍了三种MMIC芯片的设计和测量结果。这些芯片包括T／R转换开关、多位衰减器、多位移相器、放大器和LVTTL逻辑电路，用于测试S、C和X波段相控阵雷达系统。这组芯片采用标准pHEMT工艺，显示出良好的初通结果：RMS衰减器和相位误差小、增益变化小和平均50％的RF指标一次通过率。对设计和工艺做一些调整。相信未来的芯片生产实现70％的RF指标合格率是可能的，因而这组芯片对低成本相控阵T／R模块是非常具有吸引力的。     

METEOR 1500C型天气雷达发射机监控电路分析

METEOR 1500C是德国SELEX／GEMATRONIK公司开发的新一代C波段速调管多普勒天气雷达,为提高发射机系统运行的稳定性,厂家在发射机监控电路上采用了新的工作模式和架构,即利用工业级PROFIBUS—DP现场总线标准,结合自身开发的监控数据接口模块,构成新型的发射机监控电路,它具有响应速度快,运行稳定,能充分发挥计算机智能集中监控优势等特点。它是一种集中／分散相结合的工作模式,这种模式的优点在于：对不同的监控点有相应的数据采集接口模块一一对应,这样就有利于故障点的快速定位和判断。     

数控技术中的高级语言调用低级语言处理

本文通过第1象限直线插补实例说明了用C语言调用汇编语言程序的实现步骤和方法。在本例中既使用了屏幕动态显示运动轨迹,也发出了电机控制信号。     

基于均匀化方法的轴编C/C复合材料性能预测

把均匀化理论与有限元法相结合,应用于轴棒法多维编织C/C复合材料的性能预测,通过对该材料有效模量的计算和实验验证,表明本方法可以得到较准确的材料刚度性能,为该材料的设计提供了性能预测方法.     

二甲苯热解制备C/C复合材料的组织结构及力学行为研究

采用薄膜沸腾化学气相渗透技术,950～1 150℃下热解二甲苯对二维针刺炭毡致密化,30～35 h内制备出平均密度达1.72～1.74 g/cm3的C/C复合材料.采用排水法测量材料的密度,三点弯曲法测试材料的力学性能,偏光显微镜、扫描电子显微镜研究热解炭基体的组织结构和弯曲试样的断口形貌.结果表明,沉积温度为950℃时,热解炭在材料的轴向及径向呈现出从粗糙层(RL)向光滑层(SL)结构转变的趋势;在1 050℃和1 150℃条件下沉积的热解炭均为RL结构,且沉积温度为1 050℃时材料的密度分布较为均匀;当沉积温度由950℃升高至1 150℃时,C/C复合材料的弯曲强度从158.9 MPa降低到133.6 MPa,断裂方式也由脆性断裂转变为假塑性断裂.     

引射冷却系统设计与数值模拟

采用复合可压流法和考虑粘性影响的一维流法设计了满足最大次流流量的引射喷管冷却结构,并采用Delphi语言开发了具有友好人机界面的设计应用软件,对引射喷管抽吸特性规律进行了研究,利用Fluent商用软件进行了设计引射喷管结构的数值模拟,验证了计算方法的有效性.     

基于Matlab语言的系统可靠性仿真

Matlab是一种高性能数值计算语言 ,本文用Matlab语言编制系统可靠性仿真程序 ,并给出了具体实例。此方法比其他方法简单有效 ,可适用于复杂系统。     

基于扩维并行性实现的并行正交变换算法

为提高正交算法的运算速度,提出了一种将N点的一维正交变换分解成N0×N1点的二维正交变换(N=N0N1)和运算量较少的附加运算的并行扩维正交变换算法.在定义正交变换算法扩维并行性的基础上,讨论了离散傅里叶变换(DFT)、Hadamard变换和Hartley变换等算法的实现及性能.在TMS320C80多处理机平台上不同算法实现的试验结果表明:算法可有效减少数据的相关性、降低编程的复杂性,消除了处理单元片内内存容量的限制,适于以数字信号处理器(DSP)为处理单元的多处理机平台的并行实现.     

Keil C51中断编程中寄存器组的选用与保护

Keil公司推出的C51编译器事实上是80C51 C编程的工业标准,在Keil C编程环境下8051系列单片机寄存器组的使用具有一定的规律,特别是中断程序中寄存器组的使用需特别注意。文章通过对中断程序中寄存器组的保护机理进行分析,总结出适合KeilμVision V7.50环境下中断函数编程时需注意的事项。     

C/SiC复合材料喷嘴冲蚀磨损性能及其机理研究

为验证C/SiC复合材料喷嘴在液-固两相流实际环境中的应用可行性,采用化学气相沉积工艺和先驱体浸渍-裂解工艺制备了C/SiC复合材料喷嘴的,并充分结合工程化应用背景需求,对C/SiC复合材料喷嘴在实际应用环境中进行长寿命考核。基于C/SiC复合材料喷嘴在实际应用考核过程中表现出的冲蚀磨损特征,采用SEM手段分析了C/SiC复合材料喷嘴不同位置在液-固两相流中微观结构演变特点,并对其冲蚀磨损机理进行探讨。结果表明:C/Si C复合材料喷嘴从试验件入口段到出口段表现出逐渐加剧的冲蚀磨损程度,冲蚀磨损方式主要由冲蚀凹坑和热应力"崩块"组成,而"偏磨"现象产生的主要原因为C/SiC复合材料各向异性和液-固两相流的不均匀性所致。