基于纳米吸能流体的火工点式分离装置缓冲技术研究

运载火箭火工点式分离装置工作时具有强冲击载荷特性,为有效降低冲击峰值,提出了一种基于纳米吸能流体结构的冲击缓冲技术。首先进行纳米吸能流体的吸能原理研究,建立其本构关系,揭示影响其吸能密度的主要因素;其次开展火工装置有限空间内的纳米吸能流体缓冲结构设计;最后通过有限元仿真与试验验证其缓冲性能。试验结果表明,本文设计的基于纳米吸能流体的缓冲结构,吸能密度高达122.8 J/g,冲击力峰值较空载条件下降了59.2%,冲击加速度峰值下降了63.4%。     

面阵CCD时序抗弥散方法研究

文章通过讨论n沟道CCD的物理结构以及两种CCD饱和弥散(弥散型饱和状态和表面型饱和状态)的差异,介绍了面阵CCD抗弥散技术,它通过改变垂直转移时序使普通CCD具有抗弥散功能。对采用该技术前后相机抗弥散的实际效果进行了对比,进一步研究了面阵CCD时序抗弥散所必需的表面型饱和高电平偏置电压测定方法、低电平电压偏置测定方法以及时序工作频率标定方法,给出了工程实现的具体途径。总结了时序抗弥散技术的优缺点,列出了该技术的使用范围和限制条件。     

CCD相机系统中的高信噪比多通道信号处理设计

简要介绍了高速CCD相机中的电子学系统及CCD信号的处理流程。根据相机多路CCD信号同步处理的要求,设计了一个信号处理单元并行处理24路像元速率为4MHz的CCD信号。CCD信号处理主要关注在提高相机成像信噪比、暗电平箝位及多路信号一致性调整3个方面,文章针对上述问题进行了分析,提出了解决方案。最后,给出了相机系统的测试结果。     

钢球连接方式火工装置的结构强度校核

文章介绍了钢球连接方式火工装置中，钢球连接处的结构强度校核。通过经典的接触应力计算公式，结合钢球在火工装置上的具体使用情况，利用微变形理论，归纳出了火工装置上起连接承载作用的钢球连接方式新的强度校核判断法则。试验结果表明，该判据能够较为真实地反映火工装置上钢球连接方式的结构承载能力。     

空间用功率MOSFET器件2N7266总剂量

文章针对空间用功率MOSFET器件2N7266进行了60Co源γ射线辐射试验研究。在辐射过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机实时监测器件电参数随辐射剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征,得出了被试器件抗总剂量辐射的指标。研究结果可为被试器件在航天器型号的使用提供技术参考依据。     

新型柔索式杆束结构压紧释放装置

针对空间机械臂、空间可展开天线等空间机构在收拢状态的杆束结构压紧与释放问题,提出一种基于柔性索捆绑压紧与热刀释放的新型压紧释放装置。建立了柔索式压紧释放装置锁紧状态的力学模型,分析了静态压紧和考虑惯性载荷情况下的绳索预紧力变化情况,得到了满足可靠压紧的绳索预紧力设计值。基于质量和刚度等效,设计了机械臂杆束结构力学等效件,并进行了正弦与随机振动力学试验。试验结果验证了所设计的柔索式杆束结构压紧释放装置的可行性,并可以推广到具有复杂包络的杆束结构压紧释放中。     

电磁兼容实验室接地装置的设计与安装

合理地设计和安装接地装置对无线电实验室、电磁兼容实验室以及电磁屏蔽室等具有十分重要的意义。分析了影响接地线电阻和流散电阻的主要因素，提出了结合电磁兼容实验室的特殊要求接地线、接地体选取的方案以及通过土壤改良来降低土壤电阻率的具体措施，并简要阐述了接地装置安装施工的过程及接地电阻测量的方法。     

基于混合加密的 移动存储文件安全系统设计与实现

针对移动存储设备数据传递过程中面临的信息泄露、内容篡改等安全问题,基于多层嵌套混合加密思想,将ECC公钥密码体制与AES高级加密标准相结合,建立操作系统服务层的移动存储文件安全体系。设计了ECC密钥对存储格式、公钥离线交换机制和基于ECDH的密钥交换协议。将密钥信息以密文身份认证文件的形式随加密文件同时存储至移动存储设备中;解密时,以身份认证文件和ECC算法为依据进行解密。设计了二层混合加密和三层混合加密2种模式,使系统在安全和便捷方面具有一定的弹性,并在提高文件分发灵活度的同时,保证了系统的安全性。经严格测试,系统具有理想的安全性,能够实现对移动存储设备文件的有效防护。     

空间模拟碎片释放装置技术方案

为配合空间碎片主动清除技术的演示验证试验,提出了一种空间模拟碎片释放装置的技术方案:由模拟碎片及分离解锁装置组成。模拟碎片不具备任何合作特征,最初通过压紧杆与分离解锁装置相连,释放时由火工切割器切断压紧杆,模拟碎片在压缩弹簧的驱动下与分离解锁装置分离。最后,通过静载、模态、运动特性分析及分离解锁试验验证了该释放装置设计的正确性。     

宇航用双极器件和光电耦合器位移损伤试验研究

文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦合器的电流传输比(CTR)和硅晶体管电流增益hFE的退化率随等效剂量的变化规律。研究结果表明,在质子70 MeV以上高能量范围,对于硅器件适用的位移损伤等效原理对于GaAs化合物器件则不再适用,需要修正。根据试验数据,给出了经验的修正系数。