包裹和热压工艺制备Al2O3／Ni金属陶瓷

首先通过非均相沉淀法合成Ni颗粒包裹Al2 O3 粉体 ,然后热压制备Al2 O3 / 5vol%Ni金属陶瓷。XRD结果表明 ,非晶态包裹层经 5 5 0℃煅烧和 70 0℃还原后 ,完全转变为Ni金属。显微照片表明 ,包裹层的Ni颗粒呈球形 ,团聚少 ,大小在 15～ 2 0nm。在 14 0 0℃热压包裹粉体获得 98 6 %理论密度的烧结体。显微观察发现 ,烧结体中Ni颗粒均匀分布在基体中 ,且绝大部分位于三角晶界。与单相Al2 O3 相比 ,金属陶瓷抗弯强度、断裂韧性和热导率都有明显的提高 ,并探讨了增强、增韧和热导率提高的机理     

掺杂SiO2气凝胶结构及其热学特性研究

以正硅酸四乙酯为硅源,钛白粉为红外遮光剂,通过溶胶－凝胶及超临界干燥过程制备了钛白粉掺杂ＳｉＯ２ 气凝胶。用透射电镜、扫描电镜以及孔径分布仪对其结构进行了表征,并用动态热线法对其热学特性进行了测试。结果表明： 钛白粉能较均匀的分散在ＳｉＯ２ 气凝胶中;掺杂ＳｉＯ２ 气凝胶的孔洞大小分布在５～７０ｎｍ ,峰值在２０ｎｍ 附近,组成ＳｉＯ２ 网络的胶体颗粒为５～１０ｎｍ ;随着钛白粉掺杂量的增加,掺杂ＳｉＯ２ 气凝胶的孔径分布峰高变矮,同时出现孔径为几纳米的微孔;热学测试结果显示钛白粉掺杂量为２０ｗ ｔ％ 的ＳｉＯ２ 气凝胶在常压、８３１Ｋ 时的热导率为０．０３５ｗ ｍ － １Ｋ－ １。     

电子学常见波形的联系

锯齿波、方波、三角波和梯形波都可以展开为正余弦波形的叠加。利用一个与数论有关的公式,给出了用锯齿波、方波、三角波和梯形波表示正余弦波形的方法,进一步还给出了锯齿波、方波、三角波和梯形波之间的联系。这些关系在应用中具有基本而重要的作用。     

Ti/ZrO_2界面反应研究

借助DSC、SEM分析 ,分别对Ti ZrO2 体系、Ti Al ZrO2 体系、Ti B Al ZrO2 体系中Ti和ZrO2 的界面反应进程及初始反应温度进行了研究。结果发现 :随着Al、B及微量添加剂的加入 ,Ti和ZrO2 的初始反应温度逐步升高 ;Ti Al ZrO2 和Ti B Al ZrO2 体系与Ti ZrO2 体系相比较 ,Ti和ZrO2 初始反应温度分别提高近 5 0℃和70℃ ,从而弱化了Ti和ZrO2 型壳材料之间的界面反应     

陶瓷热障涂层的研究进展

综述了陶瓷热障涂层的材料体系研究进展，分析了陶瓷热障涂层的制备工艺、组织特点及其对涂层性能的影响，并指出了热障涂层今后的发展方向。     

有机硅树脂在SiO2基复合材料中的应用研究

本文介绍了由硅溶胶转化的ＳｉＯ２基复合材料的结构特点和存在的主要问题，利用机硅要树脂进行应用研究。     

流线正交坐标下湍流分离再附流的实验研究

本文采用二维激光多普勒测速仪测量了二维非对称曲壁扩压器内的湍流分离再附流动。湍流边界层在强逆压梯度下于曲壁上分离,而后于后续的平直通道上再附。扩压器进口处的雷诺数为1.2×10~5,速度为25.2米/秒。在新定义的局部斜流线坐标下,给出了实验结果,并做了分析。实验结果表明:在瞬时分离点后的近壁反流中,雷诺剪应力为负值。采用最大雷诺剪应力为尺度,从分离至再附的流动过程,存在着雷诺剪应力的相似分布,同时Schofield-Perry速度分布在正向流动区成立。由雷诺剪应力相似分布及Schofield-Perry速度分布可假设一新的涡粘性湍流模型,其长度尺度来源于Schofield-Perry速度分布,其速度尺度由最大雷诺剪应力、自由流速度和Schofield-Perry速度尺度形成。     

大气中低温液相过渡连接Al_2O_3陶瓷与WX60钢的研究

用快速凝固合金薄膜作插入金属在大气中低温液相过渡连接Ａｌ＿２Ｏ＿３陶瓷与低合金钢。接头的剪切强度及开焊温度试验结果表明：用快速凝固合金薄膜作插入金属时能明显地提高接头的剪切强度及开焊温度。其中用非晶态Ｃｕ＿（５０）Ｔｉ＿（５０）合金薄膜作插入金属时接头的改性效果最佳，最高剪切强度达７４ＭＰａ，开焊温度为７８０℃。保温时间对接头的强度及开焊温度影响很大，接头的开焊温度随保温时间的延长而明显提高，但对强度而言，保温时间却存在一个最佳范围。     

共聚聚丙烯、纳米二氧化钛(cPP/nano-TiO2)复合材料的流变行为与结晶形态

用毛细管流变仪测定了cPP/nano-TiO2复合材料在通常剪切应力下的流变性能.用热重对复合材料的降解温度进行了测定,发现纳米二氧化钛的加入使复合材料的降解温度逐渐降低.     

Ti2SnC的合成及其反应机制的研究

采用常压烧结技术,分别对Ti/Sn/C和Ti/Sn/TiC两种配料,在950～1250℃温度范围、保温15～360 min,真空条件下进行烧结.结果表明,两种配料均在1200℃短时间内合成了高纯度Ti2SnC粉.利用X射线衍射(XRD),能量色散谱仪(EDS)及扫描电镜(SEM)对Ti2SnC粉末进行了表征,并对Ti2SnC的形成机制进行了分析.所制备的Ti2SnC为片状颗粒,表面光滑,颗粒尺寸小于10 μm,厚度约为1～2 μm.Ti2SnC的形成机制是,在Ti-Sn-C反应系统中,Ti和Sn先反应形成Ti-Sn化合物;然后是Ti和C反应形成TiC;最后,Ti-Sn化合物和TiC反应形成Ti2SnC.此反应机制进一步由Ti-Sn-TiC反应系统验证.