TC4钛合金微弧氧化涂层的制备与微动磨损性能研究

采用自制的微弧氧化装置,在TC4钛合金表面制备了微弧氧化涂层,利用维氏硬度计、轮廓仪、SEM、EDX和XRD等设备对涂层进行了表征,并与GCr15钢球对磨,以研究其微动磨损特性.结果表明:涂层主要由锐钛矿型、金红石型TiO2和少量Al2O3等相组成,表面较粗糙,为典型的高硬度多孔陶瓷结构;经微弧氧化处理后,抗微动磨损性能显著提高;在部分滑移区涂层的摩擦系数随位移幅值的增大而增大,而在滑移区和混合区,稳态摩擦系数与位移幅值的变化无关;在部分滑移区,涂层损伤轻微,在滑移区和混合区涂层的微动磨损机制主要为磨粒磨损、氧化磨损和剥层.     

钛合金零件涡流探伤试验频率研究

通过对BT-22钛合金零件涡流探伤试验频率进行研究,确定了某型飞机试修中BT-22钛合金零件涡流探伤的工艺参数,并为其他钛合金零件涡流探伤试验频率的选择提供了参考.     

光纤激光-MIG复合焊参数对钛合金焊缝成形的影响

采用板面堆焊方法,在焊接电流为极小值和极大值的条件下,通过试验研究了光纤激光-MIG复合焊工艺参数对工业纯钛焊缝横截面形貌、熔宽和余高的影响.     

LC4超硬铝微弧氧化膜的生长及表征

研究Al-Zn-Mg-Cu系LC4铝合金微弧氧化陶瓷膜生长动力学,测量样品外形尺寸随氧化时间的变化。分析膜的形貌、成分和相组成,测定膜层的显微硬度分布,并评估氧化前后样品的电化学腐蚀性能。氧化初期电流密度较高,膜生长较快。进入平稳生长期后,电流密度基本保持恒定,膜生长速度降低。膜层由γ-Al2O3,α-Al2O3和SiO2非晶相组成,γ-Al2O3的含量较高。氧化膜硬度比铝基体高得多,膜内层和外层平均硬度分别为1600 HV,450HV。LC4铝合金经过微弧氧化处理后,腐蚀电流大幅下降,耐蚀性得到很大提高。     

定向结晶涡轮叶片蠕变/疲劳寿命的试验与分析

针对定向涡轮叶片的使用工况,提出了用于涡轮叶片蠕变/疲劳试验的方法,包括摩擦原理的夹具设计和标定及相关试验、计算和分析技术,并以某型定向涡轮叶片为例,介绍了该方法的实现。试验结果表明:试验方法能够模拟涡轮叶片考核截面在实际工作状态下的应力场和温度,利用所提出的试验方法和分析技术得到叶片的寿命数据是合理的。此次提出的基于构件的定向结晶涡轮叶片的蠕变/疲劳试验方法,对于涡轮叶片的定寿、故障预防、以及维修都有重要意义。      

时效状态对7055铝合金疲劳裂纹扩展速率的影响

研究了室温大气环境下欠时效态和峰时效态7055铝合金的疲劳裂纹扩展行为,并分别利用透射电镜和扫描电镜对合金的微观组织及疲劳断口进行分析.结果表明,欠时效态合金的疲劳裂纹扩展速率较慢,表现出较大的疲劳裂纹扩展抗力.而峰时效态合金的疲劳裂纹扩展速率较快,疲劳裂纹扩展抗力较小.用位错的平面滑移性和循环滑移可逆性解释了时效对疲劳裂纹扩展速率的影响.欠时效态和峰时效态的疲劳断口均以穿晶为主.在疲劳裂纹的第二扩展阶段,欠时效态合金呈现清晰的疲劳条纹,而峰时效态合金出现二次裂纹,未发现疲劳条纹.     

半固态加工Ti14阻燃合金的高温拉伸性能和断口特征

以新型阻燃合金Ti14为研究对象,通过力学性能测试和断口分析等方法对比研究了合金常规加工和半固态加工后,试样在不同温度区间的宏观力学行为,分析了断口的宏观、微观形貌及断裂机制.结果表明:半固态加工试样300℃以下拉伸,表现出高强度、低塑性特征,400℃以上拉伸两种加工方法的强度和塑性非常接近;半固态高温断口特征表现为韧性断裂,宏观断口存在明显的二次裂纹.     

搅拌摩擦加工对稀土镁合金组织与性能的影响

制定三种参数对Mg-Nd-Zn-Zr稀土镁合金进行搅拌摩擦加工处理(FSP),通过金相实验观察了合金加工前后的显微组织,发现该工艺在很大程度上细化了合金晶粒;通过拉伸实验测量了合金加工前后的常温及170℃高温力学性能,结果发现合金的力学性能较加工前有明显的提高和改善,且有很好的高温性能。分析表明,合金性能的提高主要源于合金晶粒的细化及FSP加工过程中的沉淀强化作用,而合金晶粒的细化主要是因为在加工过程中合金发生动态再结晶所致,同时合金组织与性能的变化与加工参数也有关。     

铝液在多孔介质中流动的水力模拟测试

本文采用单片微型机辅助测试系统对铝液在多孔介质中渗流的水力模拟流动进行了测试,通过与图像处理结果比较表明该测试稳定性好,灵敏度高,所测结果较真实地反映了流体反重力渗流的流动规律。     

钠盐对铝硅合金的变质

采用高纯铝和硅（＞ ９９．９９％ ｗ ｔ）配制Ａｌ－１０％ Ｓｉ二元合金,经三元钠盐变质,研究合金中共晶硅相。结果表明：铝硅合金共晶凝固时,硅相滞后于铝相结晶。进行钠盐变质处理后,共晶凝固时硅相滞后更加明显,并使之由片状转变为纤维状。钠盐变质后的共晶硅中有较多的孪晶,孪晶轴为（１１１）Ｓｉ;孪晶方向为（２１１）Ｓｉ,共晶两相的位向关系符合〔１００〕Ａｌ∥〔１１０〕Ｓｉ。钠盐变质后的共晶硅以孪晶沟槽（ＴＰＲＥ）长大机制进行分枝、细化和弯曲,从而证明孪晶沟槽长大机制是产生变质结构的重要途径。